SK海力士完成业内首款多堆栈176层4D闪存的研发，容量512Gb（64GB），TLC
继美光后，sk海力士宣布完成了业内首款多堆栈176层4d闪存的研发，容量512gb（64gb），tlc。
sk海力士透露，闪存单元架构为ctf（电荷捕获），同时集成了puc技术。
4d闪存是sk海力士自己的说法，此番的176层更是被称之为第三代，每片晶圆可以切割更多有效的闪存硅片。
除了容量增加35%，闪存单元的读取速度也提升了20%，使用加速技术可使得传输速度加快33%到1.6gbps。
sk海力士预计相关产品明年年中上市，目前主控厂商已经在测试样品，预计会在手机闪存领域首发，目标是70%的的读速提升和35%的写速提升，后续还会应用到消费级ssd和企业产品上。
另外，sk海力士已经表示，正在开发1tb（128gb）容量的176层4d闪存。
显然，今后手机可以在更紧凑的空间内做到大容量rom空间了。
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