SemiQ推出一系列采用SOT-227封装的1,200V MOSFET
为了扩大qsic sic模块的选择范围，semiq推出了一系列采用sot-227封装的1,200v mosfet，可与或不与1,200v sic肖特基二极管一起使用。
最近推出的 semiq sic 模块建立在高性能陶瓷的坚实基础上，经过精心设计，可在苛刻的环境下始终如一地运行，实现了异常高的性能水平。改进的功能可实现更简化的设计配置和更高的功率密度。高击穿电压 (> 1,400 v)，高温工作 (tj= 175°c)，以及在整个工作温度范围内的低 rds(on) 位移是 qsic 模块的所有特性。此外，它们还提供最长的栅极氧化层寿命和稳定性、抗雪崩 (uis) 和更长的短路耐受时间。
电动汽车充电、车载充电器 (obc)、dc-dc 转换器、电动压缩机、燃料电池转换器、医疗电源、储能系统、太阳能和风能系统、数据中心电源、ups/pfc 电路以及其他汽车和工业电源应用是新型 qsic 模块与我们现有的 sot-227 sic sbd 模块结合使用的目标市场。
为确保每个新的qsic模块都具有稳定的栅极阈值电压和高质量的栅极氧化物，所有模块都经过晶圆级的栅极老化测试。除了有助于稳定外在故障率的老化测试外，还进行了包括高温反向偏置 (htrb) 漏极应力、高湿度、高压和高温 (h3trb) 漏极应力在内的应力测试，以保证工业使用所需的质量水平。
semiq 的新型 1,200v sot-227 模块提供 20 mω、40 mω 和 80 mω sic mosfet 尺寸。
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