纳微GaNFast™氮化镓功率芯片获三星旗舰智能手机Galaxy S23采用
从三星s22到s23，下一代ganfast技术持续在超便携、超快充的手机市场中取代传统硅功率芯片
加利福尼亚托伦斯2023年10月31日讯 — 纳微半导体（纳斯达克股票代码：nvts）今日宣布再度进入三星进供应链：纳微ganfast氮化镓功率芯片获三星旗舰智能手机galaxy s23采用。作为下一代功率半导体技术，氮化镓正持续取代传统硅功率芯片在移动设备、消费电子、数据中心、电动汽车的市场份额。
galaxy s23可谓配置“拉满”——配备一块大小为6.1英寸，分辨率为2340×1080的dynamic amoled 2x屏，刷新率为120hz，屏幕峰值亮度高达1750尼特，同时配备了康宁大猩猩玻璃增加耐用性。性能方面则搭载了高通第二代骁龙8移动平台，8g运存和512g存储空间，使用更加流畅。后置最高达5000万像素的3摄镜头，带来更优异的影像体验。
为支撑强大的性能，galaxy s23配备一块3900mah的锂离子电池，搭载ganfast氮化镓功率芯片的25w充电器（型号为ep-t2510）以及usb pd3.0接口，使其仅需30分钟就能充满50%的电量，并在待机模式下，只消耗5mw的电力。pd 3.0接口意味着这款新充电器可以为从galaxy buds2耳机到galaxy z fold5，galaxy flip和galaxy a23的一系列设备供电。
纳微半导体的ganfast氮化镓功率芯片运用在该充电器的150khz高频反激(hfqr)拓扑结构中，并凭借着领先的高频性能，使得充电器体积缩小30%以上。此外，纳微的器件具有领先的交付能力、可靠的质量和极高可靠性，完美符合三星严格的资质要求。
纳微半导体
全球高级销售副总裁
david carroll
“作为移动快充的行业先驱，纳微半导体持续领导着下一代快充市场，目前全球前十大移动设备生产商都在生产我们的ganfast充电器。
从25w到20mw，我们将不断扩大领先的氮化镓和碳化硅产品组合，全面覆盖从移动设备和消费电子，到电动汽车、太阳能及工业应用的所有领域。”
关于纳微半导体
纳微半导体（纳斯达克股票代码: nvts）成立于2014年，是唯一一家全面专注下一代功率半导体事业的公司。ganfast氮化镓功率芯片将氮化镓功率器件与驱动、控制、感应及保护集成在一起，为市场提供充电更快、功率密度更高和节能效果更好的产品。性能互补的genesic碳化硅功率器件是经过优化的高功率、高电压、高可靠性碳化硅解决方案。重点市场包括移动设备、消费电子、数据中心、电动汽车、太阳能、风力、智能电网和工业市场。纳微半导体拥有超过185项已经获颁或正在申请中的专利，其中，氮化镓功率芯片已发货超过1亿颗，碳化硅功率器件发货超1200万颗。纳微半导体于业内率先推出唯一的氮化镓20年质保承诺，也是全球首家获得carbonneutral认证的半导体公司。
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galaxy s23可谓配置“拉满”——配备一块大小为6.1英寸，分辨率为2340×1080的dynamic amoled 2x屏，刷新率为120hz，屏幕峰值亮度高达1750尼特，同时配备了康宁大猩猩玻璃增加耐用性。性能方面则搭载了高通第二代骁龙8移动平台，8g运存和512g存储空间，使用更加流畅。后置最高达5000万像素的3摄镜头，带来更优异的影像体验。
为支撑强大的性能，galaxy s23配备一块3900mah的锂离子电池，搭载ganfast氮化镓功率芯片的25w充电器（型号为ep-t2510）以及usb pd3.0接口，使其仅需30分钟就能充满50%的电量，并在待机模式下，只消耗5mw的电力。pd 3.0接口意味着这款新充电器可以为从galaxy buds2耳机到galaxy z fold5，galaxy flip和galaxy a23的一系列设备供电。
纳微半导体的ganfast氮化镓功率芯片运用在该充电器的150khz高频反激(hfqr)拓扑结构中，并凭借着领先的高频性能，使得充电器体积缩小30%以上。此外，纳微的器件具有领先的交付能力、可靠的质量和极高可靠性，完美符合三星严格的资质要求。
纳微半导体
全球高级销售副总裁
david carroll
“作为移动快充的行业先驱，纳微半导体持续领导着下一代快充市场，目前全球前十大移动设备生产商都在生产我们的ganfast充电器。
从25w到20mw，我们将不断扩大领先的氮化镓和碳化硅产品组合，全面覆盖从移动设备和消费电子，到电动汽车、太阳能及工业应用的所有领域。”
关于纳微半导体
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