美光正式出货全球最先进的 1β技术节点DRAM
2022 年 11 月 2 日；内存与存储解决方案领先供应商 micron technology inc.（美光科技股份有限公司，纳斯达克股票代码：mu）今日宣布，其采用全球最先进技术节点的 1β dram 产品已开始向部分智能手机制造商和芯片平台合作伙伴送样以进行验证，并做好了量产准备。美光率先在低功耗 lpddr5x 移动内存上采用该新一代制程技术，其最高速率可达每秒 8.5gb。该节点在性能、密度和能效方面都有显著提升，将为市场带来巨大收益。除了移动应用，基于 1β 节点的 dram 产品还具备低延迟、低功耗和高性能的特点，能够支持智能汽车和数据中心等应用所需的快速响应、实时服务、个性化和沉浸式体验。
继 2021 年批量出货基于 1α（1-alpha）节点的产品后，美光推出全球最先进的 1β 节点 dram，进一步巩固了市场领先地位。1β 技术可将能效提高约 15%，内存密度提升 35%以上1，单颗裸片容量高达 16gb。
美光技术和产品执行副总裁 scott deboer 表示：“1β dram 产品融合了美光专有的多重曝光光刻技术、领先的制程技术及先进材料能力，标志着内存创新的又一次飞跃。全球领先的 1β dram 制程技术带来了前所未有的内存密度，为智能边缘和云端应用迎接新一代数据密集型、智能化和低功耗技术奠定了基础。”
此前，美光已在今年 7 月出货全球首款 232 层 nand，为存储解决方案带来了前所未有的性能和面密度。得益于美光在尖端研发与制程技术方面的深厚根基，这两项业界首发预示着美光将继续在内存和存储创新领域领跑市场。
随着 lpddr5x 的出样，移动生态系统将率先受益于 1β dram 产品的显著优势，从而解锁下一代移动创新和先进的智能手机体验，并同时降低功耗。1β 技术的速率和密度将使高带宽用例在下载、启动以及同时使用数据密集型的 5g 和人工智能应用时，提供更快的响应和流畅度。此外，基于 1β 节点的 lpddr5x 不仅可以加速智能手机拍摄启动，提升夜间模式和人像模式下的拍摄速度和清晰度，还可以实现无抖动、高分辨率 8k 视频录制和便捷的手机视频编辑。
1β 制程技术能实现比以往更低的每比特功耗，为智能手机提供了目前市场上最节能的内存技术。它将助力智能手机制造商推出更长续航的设备——消费者在使用高能耗、数据密集型应用时，延长电池续航时间将至关重要。
全新 jedec 增强型动态电压和频率调节扩展核心（edvfsc）技术使基于 1β 的 lpddr5x 更加节能。在高达 3200 mbps2 的双倍频率层上添加 edvfsc，可改善节能控制，从而基于独特的终端用户模式实现更低功耗。
美光通过先进的光刻技术
和纳米级制造工艺挑战物理定律
美光领先业界的 1β 节点可在更小的尺寸内实现更高的内存容量，从而降低单位数据成本。dram 的扩展性很大程度上取决于每平方毫米半导体晶圆面积上集成更多更快内存的能力，这就需要缩小电路面积，从而在指甲大小的芯片上容纳数十亿个内存单元。几十年来，随着工艺节点的不断进步，半导体行业每年或每两年都会缩小器件尺寸。但随着芯片变得越来越小，在晶圆上定义电路图案需要挑战物理定律。
为了克服这些技术挑战，半导体行业开始使用具备极紫外光刻技术的新设备。但是，该技术仍处于发展初期。为规避技术风险，美光采用了其成熟的尖端纳米制造和光刻技术。公司凭借专有的先进多重曝光技术和浸润式光刻技术，以最高精度在微小尺寸上形成图案。缩小器件尺寸从而提供更大容量，还将使智能手机和物联网设备等外形尺寸较小的设备能够在紧凑的空间里集成更大的内存。
为了在 1β 和 1α 节点取得竞争优势，美光在过去数年还积极提升卓越制造、工程能力和开创性研发。加速创新使美光比竞争对手提前一年率先实现 1α 节点技术量产，从而在公司的历史上首次同时确立了在 dram 和 nand 领域的领导地位3。多年来，美光已进一步投资数十亿美元，将晶圆厂打造成高度自动化、可持续和人工智能驱动的先进设施。这其中包括对日本广岛工厂的投资，美光将在这里量产基于 1β 节点的 dram 产品。
1β 节点为无处不在的互联
和可持续世界奠定坚实基础
随着机器对机器通信、人工智能和机器学习等高能耗应用兴起，节能技术对企业显得愈发重要，特别对那些希望满足严格的可持续发展目标和降低运营支出的企业而言更是如此。研究人员发现，训练单个人工智能模型所产生的碳排放量是一辆美国汽车全生命周期（包括制造）碳排放量的五倍。此外，到 2030 年，信息和通信技术预计将消耗全球 20%的电力。
互联世界需要快速、无处不在、节能的内存产品来助推数字化、最优化和自动化，而美光的 1β dram 节点为此提供了一个全面的基础。基于 1β 节点的 dram 产品具备高密度、低功耗特点，能够在数据密集型智能设备、系统和应用程序之间实现更节能的数据流动，并为智能边缘和云端应用提供更强的智能特性。美光于未来的一年中将在诸如嵌入式、数据中心、客户端、消费类产品、工业和汽车等其他应用中量产 1β 节点，推出包括显示内存和高带宽内存等产品。
1 与上一代 1α 节点对比
2 与支持 dvfsc 的 1α 节点 1600 mbps 相比
3 继美光于 2020 年 11 月批量出货行业领先的 176 层 nand 之后
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测量设备的数据传输支持先进 5G 应用的高性能无线设备
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继 2021 年批量出货基于 1α（1-alpha）节点的产品后，美光推出全球最先进的 1β 节点 dram，进一步巩固了市场领先地位。1β 技术可将能效提高约 15%，内存密度提升 35%以上1，单颗裸片容量高达 16gb。
美光技术和产品执行副总裁 scott deboer 表示：“1β dram 产品融合了美光专有的多重曝光光刻技术、领先的制程技术及先进材料能力，标志着内存创新的又一次飞跃。全球领先的 1β dram 制程技术带来了前所未有的内存密度，为智能边缘和云端应用迎接新一代数据密集型、智能化和低功耗技术奠定了基础。”
此前，美光已在今年 7 月出货全球首款 232 层 nand，为存储解决方案带来了前所未有的性能和面密度。得益于美光在尖端研发与制程技术方面的深厚根基，这两项业界首发预示着美光将继续在内存和存储创新领域领跑市场。
随着 lpddr5x 的出样，移动生态系统将率先受益于 1β dram 产品的显著优势，从而解锁下一代移动创新和先进的智能手机体验，并同时降低功耗。1β 技术的速率和密度将使高带宽用例在下载、启动以及同时使用数据密集型的 5g 和人工智能应用时，提供更快的响应和流畅度。此外，基于 1β 节点的 lpddr5x 不仅可以加速智能手机拍摄启动，提升夜间模式和人像模式下的拍摄速度和清晰度，还可以实现无抖动、高分辨率 8k 视频录制和便捷的手机视频编辑。
1β 制程技术能实现比以往更低的每比特功耗，为智能手机提供了目前市场上最节能的内存技术。它将助力智能手机制造商推出更长续航的设备——消费者在使用高能耗、数据密集型应用时，延长电池续航时间将至关重要。
全新 jedec 增强型动态电压和频率调节扩展核心（edvfsc）技术使基于 1β 的 lpddr5x 更加节能。在高达 3200 mbps2 的双倍频率层上添加 edvfsc，可改善节能控制，从而基于独特的终端用户模式实现更低功耗。
美光通过先进的光刻技术
和纳米级制造工艺挑战物理定律
美光领先业界的 1β 节点可在更小的尺寸内实现更高的内存容量，从而降低单位数据成本。dram 的扩展性很大程度上取决于每平方毫米半导体晶圆面积上集成更多更快内存的能力，这就需要缩小电路面积，从而在指甲大小的芯片上容纳数十亿个内存单元。几十年来，随着工艺节点的不断进步，半导体行业每年或每两年都会缩小器件尺寸。但随着芯片变得越来越小，在晶圆上定义电路图案需要挑战物理定律。
为了克服这些技术挑战，半导体行业开始使用具备极紫外光刻技术的新设备。但是，该技术仍处于发展初期。为规避技术风险，美光采用了其成熟的尖端纳米制造和光刻技术。公司凭借专有的先进多重曝光技术和浸润式光刻技术，以最高精度在微小尺寸上形成图案。缩小器件尺寸从而提供更大容量，还将使智能手机和物联网设备等外形尺寸较小的设备能够在紧凑的空间里集成更大的内存。
为了在 1β 和 1α 节点取得竞争优势，美光在过去数年还积极提升卓越制造、工程能力和开创性研发。加速创新使美光比竞争对手提前一年率先实现 1α 节点技术量产，从而在公司的历史上首次同时确立了在 dram 和 nand 领域的领导地位3。多年来，美光已进一步投资数十亿美元，将晶圆厂打造成高度自动化、可持续和人工智能驱动的先进设施。这其中包括对日本广岛工厂的投资，美光将在这里量产基于 1β 节点的 dram 产品。
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随着机器对机器通信、人工智能和机器学习等高能耗应用兴起，节能技术对企业显得愈发重要，特别对那些希望满足严格的可持续发展目标和降低运营支出的企业而言更是如此。研究人员发现，训练单个人工智能模型所产生的碳排放量是一辆美国汽车全生命周期（包括制造）碳排放量的五倍。此外，到 2030 年，信息和通信技术预计将消耗全球 20%的电力。
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1 与上一代 1α 节点对比
2 与支持 dvfsc 的 1α 节点 1600 mbps 相比
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