NY8A051F是以EPROM作為記憶體的 8 位元微控制器

描述
ny8a051f是以eprom作為記憶體的 8 位元微控制器,專為多io產品的應用而設計,例如遙控器、風扇/燈光控制或是遊樂器周邊等等。採用cmos製程並同時提供客戶低成本、高性能等顯著優勢。ny8a051f核心建立在risc精簡指令集架構可以很容易地做編輯和控制,共有 55 條指令。除了少數指令需要 2 個時序,大多數指令都是 1 個時序即能完成,可以讓使用者輕鬆地以程式控制完成不同的應用。因此非常適合各種中低記憶容量但又複雜的應用。
在i/o的資源方面,ny8a051f有 6 根彈性的雙向i/o腳,每個i/o腳都有單獨的暫存器控制為輸入或輸出腳。而且每一個i/o腳位都有附加的程式控制功能如上拉或下拉電阻或開漏極(open-drain) 輸出。此外針對紅外線搖控的產品方面,ny8a051f內建了可選擇頻率的紅外載波發射口。
ny8a051f有兩組計時器,可用系統頻率當作一般的計時的應用或者從外部訊號觸發來計數。另外ny8a051f提供 1組 8 位元解析度的pwm輸出或者蜂鳴器輸出,可用來驅動馬達、led、或蜂鳴器等等。ny8a051f採用雙時鐘機制,高速振盪或者低速振盪都由內部rc振盪輸入。在雙時鐘機制下,ny8a051f可選擇多種工作模式如正常模式(normal)、慢速模式(slow mode)、待機模式(standby mode) 與睡眠模式(halt mode)可節省電力消耗延長電池壽命。
在省電的模式下如待機模式(standby mode)與睡眠模式(halt mode)中,有多種事件可以觸發中斷喚醒ny8a051f進入正常操作模式(normal) 或 慢速模式(slow mode) 來處理突發事件。
产品特点
寬廣的工作電壓:
2.0v ~ 5.5v @系統頻率≦8mhz。
2.2v ~ 5.5v @系統頻率>8mhz。
寬廣的工作温度:
-40°c ~ 85°c。
高 達 ±5kv 的esd。
內建 11 階準確的低電壓偵測電路lvd)
有需要详细资料或样品测试可加+v:runzexin-18
在ny8a051f中有一个由wdt使用的片上自由运行的振荡器。由于该振荡器独立于其他振荡电路,wdt在备用模式和停止模式下仍可以继续工作。wdt可以通过一个配置字来启用或禁用。当wdt通过配置字启用时,在程序执行过程中仍然可以通过寄存器位wdten(pcon[7])来控制其操作。此外,wdt超时后的机制可以重置ny8a051f或发出由另一个配置字决定的中断请求。同时,在wdt超时后,将注册位/to(状态[4])清除为0。wdt超时时间的基线可为3.5ms、15ms、60ms或250ms,由两个配置字决定。如果将前置计算器0分配给wdt,则可以延长超时时间。通过写入1来注册位ps0wdt,将前置服务器0分配给wdt。wdt的预计算器0的划分速率由寄存器位ps0sel[2:0]决定,并取决于wdt的超时机制。如果wdt超时将重置ny8a051f,则除法速率从1:1到1:128;如果wdt超时将中断ny8a051f,则除法速率从1:2到1:256
ny8a051f将通过写0来注册位自我控制来进入慢速模式。在慢速模式下,选择flosc作为系统振荡,以节省功耗,但仍能保持ic运行。但是,ny8a051f不会自动禁用fhosc。因此,用户可以写0,以慢速模式注册位stphosc(osccr[1]),以进一步降低功耗。但需要注意的是,禁止进入慢模式,同时停止fhosc,必须先进入慢模式,然后禁用fhosc,否则程序可能会挂起。


碳化硅芯片正成为车企争相绑定的“宠儿
愿共同推动集成电路高端设备产业的发展
艾迈斯半导体新推出的超薄传感器为耳塞、贴片和其他可穿戴设备带来全新的血氧监测功能
智慧物联网平台的搭建是智慧物业建设的核心
三星QLED与LGD的OLED之争,决定输赢并不限于技术
NY8A051F是以EPROM作為記憶體的 8 位元微控制器
堡盟推出HMG10P/PMG10P系列编码器 重载编码器技术高度提升
电感式升压/降压的原理图 正/负压发生器的“最小系统”电路图
畅玩机械师i9新机,机友齐聚成都体验新品科技
谷歌并不隐瞒其AI雄心,宣布实现AI大胆计划的下一步行动
市场红利紧缩,机器人企业该如何提升产品竞争力
Nexperia推适用于CAN-FD应用的新款无引脚ESD保护器件,支持使用AOI工具
两台电动机的顺序控制线路
虎贲T310瞄准的4G手机市场则有很大潜力可挖
用于架构探索和功能安全分析的虚拟样机平台
设计高效分布式智慧终端系统的关键要素
可穿戴技术是什么 有哪些特点
5G基带芯片的华山论剑
小米5C还会在小米6以前发?小米平板3还有吗?
GMM-HMM语音识别原理详解