华大电子MCU-CIU32F011x3、CIU32F031x5嵌入式闪存
5.嵌入式闪存（flash）
5.1.模块介绍
华大电子mcu ciu32f011x3、ciu32f031x5 集成了嵌入式 flash 控制模块，该模块控制 flash 的擦除、编程以及读取数据。上电时会从 flash 中读取相关数据进行校验以及初始化配置，保证芯片程序在正确且安全的情况下运行。
5.2.功能特点
• 支持高达 64k 主闪存空间的 flash
• 存储器结构
– 主闪存空间 64k 字节
– 副闪存空间 4.5k 字节
• 指出对闪存空间的擦写、编程和读操作
• 支持对闪存空间访问限制和擦写保护
• 支持低功耗模式
5.3.功能说明
5.3.1.闪存结构
闪存空间由 32 位宽的存储单元组成，既可以存代码又可以存数据。主闪存块按 32 页（每页 1k 字节）分块，以页为单位设置写保护（参见存储保护相关内容）。
注：当主闪存空间 64kb 不够存放用户程序时，可把副闪存空间的扇区 0 至扇区 7 扩展为程序存放空间，即支持 68kb的程序存放空间。
5.3.2.闪存读保护
读操作在整个芯片工作电压范围内都可以完成，用于存放指令或者数据。当 nvr8 用户配置区经过自定义的保护配置后,swd 连接时会对 flash 的代码数据执行保护机制。
注：flash 运行在 24mhz 工作频率，当系统时钟超过 30mhz 时，需要配置 timer_reg0 的 rc 参数，增加时钟周期数再把 flash 接口的数据写到寄存器。
5.3.3.闪存擦除和烧写操作
烧写和擦除操作在整个芯片工作电压范围内都可以完成。烧写和擦除操作由下列 6 个寄存器完成，先根据烧写的时钟配置好烧写时序(time_reg1)，再配置烧写密码，配置好编程地址，最后配置好编程数据，即可开始执行烧写，然后等待操作结束。
烧写操作相关寄存器
• 时序寄存器 1 ：time_reg1
• 密码寄存器：nvr_password/main_password
• 编程地址寄存器：prog_addr
• 编程数据寄存器：prog_data
• 状态寄存器：done
擦除操作相关寄存器：
• 擦除控制寄存器：erase_ctrl
注：需要注意的是，flash 在擦除/烧写的同时不可以从 flash取数据，所以 flash 在擦除/烧写过程中会让总线停顿，直到完成后才能继续运行。
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5.2.功能特点
• 支持高达 64k 主闪存空间的 flash
• 存储器结构
– 主闪存空间 64k 字节
– 副闪存空间 4.5k 字节
• 指出对闪存空间的擦写、编程和读操作
• 支持对闪存空间访问限制和擦写保护
• 支持低功耗模式
5.3.功能说明
5.3.1.闪存结构
闪存空间由 32 位宽的存储单元组成，既可以存代码又可以存数据。主闪存块按 32 页（每页 1k 字节）分块，以页为单位设置写保护（参见存储保护相关内容）。
注：当主闪存空间 64kb 不够存放用户程序时，可把副闪存空间的扇区 0 至扇区 7 扩展为程序存放空间，即支持 68kb的程序存放空间。
5.3.2.闪存读保护
读操作在整个芯片工作电压范围内都可以完成，用于存放指令或者数据。当 nvr8 用户配置区经过自定义的保护配置后,swd 连接时会对 flash 的代码数据执行保护机制。
注：flash 运行在 24mhz 工作频率，当系统时钟超过 30mhz 时，需要配置 timer_reg0 的 rc 参数，增加时钟周期数再把 flash 接口的数据写到寄存器。
5.3.3.闪存擦除和烧写操作
烧写和擦除操作在整个芯片工作电压范围内都可以完成。烧写和擦除操作由下列 6 个寄存器完成，先根据烧写的时钟配置好烧写时序(time_reg1)，再配置烧写密码，配置好编程地址，最后配置好编程数据，即可开始执行烧写，然后等待操作结束。
烧写操作相关寄存器
• 时序寄存器 1 ：time_reg1
• 密码寄存器：nvr_password/main_password
• 编程地址寄存器：prog_addr
• 编程数据寄存器：prog_data
• 状态寄存器：done
擦除操作相关寄存器：
• 擦除控制寄存器：erase_ctrl
注：需要注意的是，flash 在擦除/烧写的同时不可以从 flash取数据，所以 flash 在擦除/烧写过程中会让总线停顿，直到完成后才能继续运行。
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