STT-RAM作为通用的可扩展存储器具有巨大的潜在市场
自旋转移扭矩随机存取存储器（stt-ram）技术希望用其下一代mram取代dram，最终取代nand。它结合了dram的成本优势，sram的快速读写性能以及闪存的非易失性。据说stt-ram还解决了第一代现场交换mram的主要缺点。
stt-ram作为通用的可扩展存储器具有巨大的潜在市场。它可以取代嵌入式sram和45nm的闪存，32nm的dram，并最终取代nand。stt-ram是一项很有前途的技术，从经济角度考虑，stt-ram将取代dram还是nand。
多年来，feram，mram，相变，rram和其他技术的开发人员分别声称，它们将成为最终的通用存储器，并取代当今的存储器。但是许多下一代存储器类型推向市场的时间很晚，还没有达到高潮。并且今天的存储器继续扩展，从而消除了对下一代存储器类型的需求。
任何这些新技术（例如–fram，mram和pcm）都有很多机会来替代现有技术。他们所要做的就是降低成本，使其低于已建立的内存。听起来很简单，但实际上却非常困难，这一挑战使这些技术中的任何一种都无法达到临界质量。
mram是一种利用电子自旋的磁性来提供非易失性的存储器。该技术具有无限的耐用性。stt-ram是第二代磁性ram技术，可以解决常规mram结构带来的一些问题。现在正在开发的大多数mram都是通过施加由流过隧道磁阻（tmr）元件附近的导线的电流产生的磁场来改变磁化强度来写入数据的。这可以实现快速操作。
飞思卡尔半导体公司的子公司everspin将其16 mbit mram定位为sram替换，数据保留和相关市场。在工业及相关的嵌入式应用中，everspin希望取代电池供电的sram或相关的分立解决方案，此举威胁着赛普拉斯，issi，maxim，意法半导体，ti等公司。
stt方法使用自旋极化电流来切换磁性位，这项技术消耗更少的功率并增强了可伸缩性。stt-ram通过对齐流经tmr元件的电子的自旋方向来写入数据。
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mram是一种利用电子自旋的磁性来提供非易失性的存储器。该技术具有无限的耐用性。stt-ram是第二代磁性ram技术，可以解决常规mram结构带来的一些问题。现在正在开发的大多数mram都是通过施加由流过隧道磁阻（tmr）元件附近的导线的电流产生的磁场来改变磁化强度来写入数据的。这可以实现快速操作。
飞思卡尔半导体公司的子公司everspin将其16 mbit mram定位为sram替换，数据保留和相关市场。在工业及相关的嵌入式应用中，everspin希望取代电池供电的sram或相关的分立解决方案，此举威胁着赛普拉斯，issi，maxim，意法半导体，ti等公司。
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