ST扩大STripFET技术的高效功率晶体管系列
横跨多重电子应用领域、全球领先的功率芯片供应商意法半导体(stmicroelectronics，简称st;纽约证券交易所代码：stm)扩大采用第六代stripfet™技术的高效功率晶体管的产品系列，为设计人员在提高各种应用的节能省电性能带来更多选择。
最新的stripfet vi deepgate 功率mosfet可承受高达80v的电压，可用于太阳能发电应用(如微型逆变器)、电信设备、联网设备以及服务器电源。高额定电压可准许晶体管在48v电信应用中稳定工作，高能效还可有效降低运营商网络成本。此外，这项技术不仅可降低消费电子的电源能耗，在可使其在更低的温度下工作，从而提高用户的使用体验，并延长电池寿命。
首批推出的5款产品分别为60v 的stp260n6f6和sth260n6f6-2、75v的 stp210n75f6 和sth210n75f6-2以及80v的stl75n8lf6。由于采用了意法半导体最新的deepgate™沟道mosfet架构，这五款产品拥有业界同类产品最低的单位芯片面积通态电阻。这些低损耗器件选择多种微型工业标准封装，使客户能够提高系统能效，同时降低印刷电路板的尺寸和总体组件数量/成本。
主要特性：
· 60v和80v击穿电压
· 0.0016ω通态电阻 (sth260n6f6-2)
· 180a额定电流 (stx260f6n6)
· 100%雪崩测试
采用to-220封装的stp260n6f6、stp210n75f6与采用h2pak-2贴装的sth210n75f6-2、sth260n6f6-2 目前已上市。
采用powerflat 5x6封装的stl75n8lf6预计于2011年第三季度推出样片。powerflat封装可缩减芯片的占板空间，同时优化输出电流。
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