1、前言
快充及电源适配器通常采用传统的反激变换器结构,随着快充及pd适配器的体积进一步减小、功率密度进一步提高以及对于高效率的要求,传统的硬开关反激变换器技术受到很多限制。采用软开关技术工作在更高的频率,可以降低开关损耗提高效率,减小变压器及电容的尺寸降低电源体积,同时改善emi性能,从而满足系统设计的要求,特别适合于采用超结结构的高压功率mosfet或高压gan器件的高功率密度快充及电源适配器。
传统的硬开关反激变换器功率开关管电压、电流应力大,变压器的漏感引起电压尖峰,必须采用无源rcd吸收电路进行箝位限制,rcd吸收电路的电阻r产生额外的功率损耗,降低系统效率,如图1所示。如果将rcd吸收电路的电阻r去掉,同时将二极管换成功率mosfet,这样就变成了有源箝位反激变换器,通过磁化曲线在第一、第三象限交替工作,将吸收电路的电容cc吸收的电压尖峰能量,回馈到输入电压,从而实现系统的正常工作。
图1:传统的硬开关反激变换器
图2:有源箝位反激变换器
2、有源箝位反激变换器工作原理
非连续模式dcm有源箝位反激变换器电路结构及相关波形如图2、图3所示,图中的各个元件定义如下。
lm:变压器初级激磁电感
lr:变压器初级漏感
lp:变压器初级总电感,lp=lm+lr
n:变压器初级和次级的匝比,n=np/ns
q1:主功率开关管,dq1、cq1为q1寄生体二极管和寄生输出电容
qc:箝位开关管,dqc、cqc为qc寄生体二极管和寄生输出电容
do:次级输出整流二极管
cc:箝位电容
cr:cq1、cqc以及其它杂散谐振电容cto总和,cr=cq1+cqc+cto
cc1:cc1=cc+cq1+cto
vsw:q1的d、s两端电压
vin:输入直流电压
vo:输出直流电压
vc:箝位电容电压
每个开关周期根据其工作状态可以分为8个工作模式,各个工作模式的状态及等效电路图分别讨论如下。
图3:有源箝位反激变换器波形(非连续模式dcm)
(1)模式1:t0-t1
在t0时刻,q1处于导通状态,qc、do保持关断状态。lp两端所加的电压为vin,lp激磁,其电流从0开始,随着时间线性上升。
图4:模式1(q1导通,qc、do关断)
(2)模式2:t1-t2
在t1时刻,q1关断,qc、do保持关断状态。q1关断后,lp和cr谐振,激磁电流对cq1充电,对cqc放电,vsw电压谐振上升。
图5:模式2(q1、qc、do关断)
(5)模式5:t4-t5
在t4时刻,lr的电流谐振下降到0,do、qc保持导通状态,q1保持关断状态。lr的电流下降到0后,lr和cc1反向谐振,就是cc对lr反向激磁,cc、cq1放电,vsw电压、vc电压谐振下降,lr的电流从0开始反向谐振上升,到达反向的最大值后继续谐振,其反向电流的绝对值下降,而lm继续向输出负载释放能量,电流保持线性下降。
(6)模式6:t5-t6
在t5时刻,lm的电流降低为0,lm电感储存能量全部释放完毕,do自然关断,qc保持导通状态,q1保持关断状态。do关断后,输出反射电压n•vo断开,此时,lm又重新串联进入到谐振回路,lp和cc1谐振,vc电压反向加在lp,cc放电对lp反向激磁,lm的电流过0后和lr一起继续反向增加。
在do关断瞬间,lr的电流有一个高频振荡换流的过程,在这个过程中,lr的电流快速下降到几乎为0、和lm电流相等的过程,其中一部分能量转送到输出负载,另一部分能量转移到lm。
(7)模式7:t6-t7
在t6时刻,关断qc,do、q1保持关断状态。qc关断后,lp和cr谐振,lp的电流对cqc充电,对cq1放电。
图11:模式7(qqc、q1、do关断)
在t6-t7中间某一时刻tn,对应的vsw电压为vin:①t6-tn期间,lp所加电压为负,其电流谐振下降,其反向电流的绝对值进一步增加。②tn-t7期间,从tn时刻开始,lp所加电压为正,其电流谐振上升,其反向电流的绝对值降低。
(8)模式8:t7-t0
在t7时刻,cq1放电到0,vsw电压为0,d1自然导通续流,将vsw电压箝位到0,do、qc保持关断状态。d1导通后,lp两端所加的电压为vin,lp的电流从负值线性上升,其电流绝对值进一步降低,直到降低为0,完成一个开关周期。然后,lp的电流继续正向激磁,从0开始正向线性上升,开始下一个开关周期。
图12:模式8(d1导通,q1、do关断)
在t7-t0期间任一时刻,开通q1,由于d1处于导通状态,其两端电压为0,因此q1的开通就是零电压开通zvs。
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