NP2012(20 v n沟道增强型MOSFET)
描述
np2012使用先进的海沟技术 提供优秀的rds(上)、低门和收费
操作门电压2.5 v。这设备适用于作为负荷开关或脉宽调制
应用程序。
一般特征
vds =20v，id= 12
ds(上)(typ) = 15 mΩ @vgs= 2.5 v
ds(上)(typ) = 12 mΩ @vgs= 4.5 v
high 功率 和 电流 处理 能力
lead 免费 产品
surface 安装 包
应用程序
pwm 应用 程序
load 开关
封装
dfn2*2-6l-b
原理图
标记和引脚分配
订购信息
典型的性能特征
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NP2012(20 v n沟道增强型MOSFET)
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