一文了解随机存取和非随机存取的区别
随机存取和非随机存取的区别
1、随机存取就是直接存取，可以通过下标直接访问的那种数据结构，与存储位置无关，例如数组。非随机存取就是顺序存取了，不能通过下标访问了，只能按照存储顺序存取，与存储位置有关，例如链表。
2、顺序存取就是存取第n个数据时，必须先访问前（n-1）个数据 （list），随机存取就是存取第n个数据时，不需要访问前（n-1）个数据，直接就可以对第n个数据操作 （array）。
随机存取和非随机存取的结构 1、顺序存储结构
在计算机中用一组地址连续的存储单元依次存储线性表的各个数据元素，称作线性表的顺序存储结构。
顺序存储结构是存储结构类型中的一种，该结构是把逻辑上相邻的节点存储在物理位置上相邻的存储单元中，结点之间的逻辑关系由存储单元的邻接关系来体现。由此得到的存储结构为顺序存储结构，通常顺序存储结构是借助于计算机程序设计语言（例如c/c++）的数组来描述的。
顺序存储结构的主要优点是节省存储空间，因为分配给数据的存储单元全用存放结点的数据（不考虑c/c++语言中数组需指定大小的情况），结点之间的逻辑关系没有占用额外的存储空间。采用这种方法时，可实现对结点的随机存取，即每一个结点对应一个序号，由该序号可以直接计算出来结点的存储地址。但顺序存储方法的主要缺点是不便于修改，对结点的插入、删除运算时，可能要移动一系列的结点。
2、随机存储结构
在计算机中用一组任意的存储单元存储线性表的数据元素（这组存储单元可以是连续的，也可以是不连续的）。
它不要求逻辑上相邻的元素在物理位置上也相邻。因此它没有顺序存储结构所具有的弱点，但也同时失去了顺序表可随机存取的优点。
链式存储结构特点
1、比顺序存储结构的存储密度小 （每个节点都由数据域和指针域组成，所以相同空间内假设全存满的话顺序比链式存储更多）。
2、逻辑上相邻的节点物理上不必相邻。
3、插入、删除灵活 （不必移动节点，只要改变节点中的指针）。
4、查找结点时链式存储要比顺序存储慢。
5、每个结点是由数据域和指针域组成。
随机存取的用途 sram：静态随机存取存储器采取多重晶体管设计，通常每个存储单元使用4-6只晶体管，但没有电容器。sram主要用于缓存。
dram：动态随机存取存储器中每个存储单元由配对出现的晶体管和电容器构成，需要不断地刷新。
fpm dram：快速页模式动态随机存取存储器是最早的一种dram。在存储器根据行列地址进行位元定位的全程中，fpm dram必须处于等待状态，数据读取之后才能开始处理下一位数据。向二级缓存的最高传输速率约为176mb每秒。
edo dram：扩展数据输出动态随机存取存储器在处理前一位数据的过程中无需全程等待，就可以开始处理下一位数据。只要前一位数据的地址定位成功，edo dram就开始为下一位数据寻址。它比fpm快5%左右。向二级缓存的最高传输速率约为264mb每秒。
sdram：同步动态随机存取存储器利用了爆发模式的概念，大大提升了性能。这种模式在读取数据时首先锁定一个记忆行，然后迅速扫过各记忆列，与此同时读取列上的位元数据。之所以有这种设计思想，是因为多数时候cpu请求的数据在内存中的位置是相邻的。sdram比edo ram快5%左右，已成为当今台式机内存中应用最广的一种。向二级缓存的最高传输速率约为528mb 每秒。
ddr sdram：双倍速率同步动态ram与sdram相似，但带宽更高，即速度更快。向二级缓存的最高传输速率约为1064mb每秒。（133兆赫兹ddr sdram）。
rdram：rambus动态随机存取存储器同先前的dram体系有着根本性的区别。由rambus公司设计的rdram采用了rambus直插式内存模组（rimm），在外形尺寸和引脚构造方面类似于标准的dimm。rdram与众不同之处在于它采取一种特殊的高速数据总线设计，称为rambus信道。rdram内存芯片在并行模式下工作频率可达800兆赫（数据速率1600兆字节）。由于操作速率很高，rdram产生的热量要大大多于其他类型的芯片。为了驱散多余的热量，rambus芯片配有散热器，这种散热器看上去就像是又长又薄的圆片。正如dimm有其小外形版本一样，生产商还为笔记本电脑设计了小外形rimm。
信用卡内存：信用卡内存是一种享有专利权的独立dram内存模组，使用时要将其插入笔记本电脑的特制长槽中。
pcmcia内存卡：另一种用于笔记本电脑的独立dram内存模组，这种内存卡不享有专利权，只要系统总线能与内存卡设置相互匹配，即可用于各种笔记本电脑。
cmos ram：cmos ram这一术语是指用于电脑和其他设备中的一种小容量存储器，用来存储硬盘设置等信息——有关详细信息，请查见《计算机基本知识》一文。这种内存需要一个小型电池来供电，以维持存储器的内容。
vram：视频ram，亦称多端口动态随机存取存储器（mpdram），为显示适配器和3d加速卡所专用。所谓“多端口”是指vram通常会有两个独立的访问端口，而非单一端口，允许cpu和图形处理器同时访问ram。vram位于图形卡上，且种类繁多，其中很多享有专利权。vram的大小往往能决定显示器的分辨率和色深度。vram还可以用来保存一些图形专用信息，例如3d几何数据和质素图。真正的多端口vram往往价格不菲，因而当今的图形卡使用sgram（同步图形ram）作为替代品。两种显存性能相差无几，而sgram价格更为便宜。
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2、顺序存取就是存取第n个数据时，必须先访问前（n-1）个数据 （list），随机存取就是存取第n个数据时，不需要访问前（n-1）个数据，直接就可以对第n个数据操作 （array）。
随机存取和非随机存取的结构 1、顺序存储结构
在计算机中用一组地址连续的存储单元依次存储线性表的各个数据元素，称作线性表的顺序存储结构。
顺序存储结构是存储结构类型中的一种，该结构是把逻辑上相邻的节点存储在物理位置上相邻的存储单元中，结点之间的逻辑关系由存储单元的邻接关系来体现。由此得到的存储结构为顺序存储结构，通常顺序存储结构是借助于计算机程序设计语言（例如c/c++）的数组来描述的。
顺序存储结构的主要优点是节省存储空间，因为分配给数据的存储单元全用存放结点的数据（不考虑c/c++语言中数组需指定大小的情况），结点之间的逻辑关系没有占用额外的存储空间。采用这种方法时，可实现对结点的随机存取，即每一个结点对应一个序号，由该序号可以直接计算出来结点的存储地址。但顺序存储方法的主要缺点是不便于修改，对结点的插入、删除运算时，可能要移动一系列的结点。
2、随机存储结构
在计算机中用一组任意的存储单元存储线性表的数据元素（这组存储单元可以是连续的，也可以是不连续的）。
它不要求逻辑上相邻的元素在物理位置上也相邻。因此它没有顺序存储结构所具有的弱点，但也同时失去了顺序表可随机存取的优点。
链式存储结构特点
1、比顺序存储结构的存储密度小 （每个节点都由数据域和指针域组成，所以相同空间内假设全存满的话顺序比链式存储更多）。
2、逻辑上相邻的节点物理上不必相邻。
3、插入、删除灵活 （不必移动节点，只要改变节点中的指针）。
4、查找结点时链式存储要比顺序存储慢。
5、每个结点是由数据域和指针域组成。
随机存取的用途 sram：静态随机存取存储器采取多重晶体管设计，通常每个存储单元使用4-6只晶体管，但没有电容器。sram主要用于缓存。
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fpm dram：快速页模式动态随机存取存储器是最早的一种dram。在存储器根据行列地址进行位元定位的全程中，fpm dram必须处于等待状态，数据读取之后才能开始处理下一位数据。向二级缓存的最高传输速率约为176mb每秒。
edo dram：扩展数据输出动态随机存取存储器在处理前一位数据的过程中无需全程等待，就可以开始处理下一位数据。只要前一位数据的地址定位成功，edo dram就开始为下一位数据寻址。它比fpm快5%左右。向二级缓存的最高传输速率约为264mb每秒。
sdram：同步动态随机存取存储器利用了爆发模式的概念，大大提升了性能。这种模式在读取数据时首先锁定一个记忆行，然后迅速扫过各记忆列，与此同时读取列上的位元数据。之所以有这种设计思想，是因为多数时候cpu请求的数据在内存中的位置是相邻的。sdram比edo ram快5%左右，已成为当今台式机内存中应用最广的一种。向二级缓存的最高传输速率约为528mb 每秒。
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