基于N沟道MOSFET实现BPS电路的理想方法
在这个设计中，我们看到了使用n沟道mosfet实现bps电路的理想方法。
在这种分立式双向开关电路中，使用背靠背连接的n-香奈儿mosfet。这种方法需要一个外部驱动器电路，以促进从a到b和反向的双向功率传导。
肖特基二极管ba159用于多路复用来自a和b的电源，以激活电荷泵电路，以便电荷泵能够为n沟道mosfet产生必要的导通电压。
电荷泵可以使用标准倍压器电路或小型升压开关电路构建。
3.3 v用于为电荷泵提供最佳电源，而肖特基二极管直接从相应的输入（a/b）获得栅极电压，即使输入电源低至6
v。然后，mosfet栅极的电荷ump使该6 v电压加倍。
较低的 n 沟道 mosfet 用于根据所需规格控制双向开关的 on/off 开关。
与前面讨论的p沟道相比，使用n沟道mosfet的唯一缺点是这些额外的元件可能会占用pcb上的额外空间。然而，mosfet的低r（on）和高效率传导以及低成本的小尺寸mosfet抵消了这一缺点。
也就是说，这种设计也不能提供任何有效的过热保护，因此可以考虑将超大尺寸器件用于高功率应用。
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