富士通电子推出全新2Mbit FRAM产品，满足汽车对低功耗电子器件的需求
2020年5月11日 – 富士通电子元器件（上海）有限公司近日宣布，推出型号为mb85rs2mly的全新2mbit fram，可在125℃高温度下正常运行。该器件工作电压可低至1．7v至1．95v，配有串行外设接口（spi）。目前可为客户提供评测版样品，将在6月实现量产。
这款全新fram产品是汽车电子电控单元的最佳选择，满足高端汽车市场对低功耗电子器件的需求，如adas。
图1:mb85rs2mly 8pin dfn 封装
图2：应用实例（adas）
fram的读/写耐久性、写入速度和功耗均优于eeprom和闪存，已有对传统非易失性内存性能不满意的客户采用我们的fram。
自2017年以来，富士通电子不断推出工作电压3．3v或5v的64kbit～2mbit的汽车级fram产品。但高端汽车电控单元的推出，使得一些客户开始要求fram的工作电压低于1．8v。富士通电子近日推出的这款全新fram正是为了满足这一市场需求而面世的。
mb85rs2mly在-40°c至+125°c温度范围内可以达到10兆次读/写次数，适合某些需要实时数据记录的应用，比如连续10年每天每0．1秒记录一次数据，则写入次数将超过30亿。另外，这款产品可靠性测试符合aec-q100 grade 1标准，达到汽车级产品的认证标准。因此，在数据写入耐久性和可靠性方面，富士通电子最新推出的这款fram完全支持adas等需要实时数据记录的应用。
这款fram产品采用业界标准8-pin sop封装，可轻松取代现有类似引脚的eeprom。此外，还提供外形尺寸为5．0mm x 6．0mm x 0．9mm的8-pin dfn（无引线双侧扁平）封装。
图3:8pin dfn和8pin sop封装
除2mbit fram，富士通电子目前正在研发125°c温度系列容量为4mbit的存储产品。富士通电子将继续提供内存产品和解决方案，满足市场和客户的未来需求。
关键规格
• 组件型号：mb85rs2mly
• 容量（组态）：2 mbit（256k x 8位）
• 接口：spi（serial peripheral interface）
• 运作频率：最高50 mhz
• 运作电压：1．7伏特 - 1．95伏特
• 运作温度范围：摄氏零下40度 - 摄氏125度
• 读∕写耐用度：10兆次 （1013次）
• 封装规格：8-pin sop与8-pin dfn
• 认证标准：符合aec-q100 grade 1
词汇与备注
注一：铁电随机存取内存（fram）
fram是一种采用铁电质薄膜作为电容器以储存数据的内存，即便在没有电源的情况下仍可保存数据。fram结合了rom和ram的特性，并拥有高速写入数据、低功耗和高速读/写周期的优点。富士通自1999年即开始生产fram，亦称为feram。
小米5C或小米笔记本齐发挑战联想 雷军不给杨元庆活路？
三星Galaxy Note 9即将迎来Android 10测试版
苹果计划至少到2020年暂不发布5G手机
全新荣威i6 PLUS给寒冬里的车市添了一把火
嵌入式系统定义及特点
富士通电子推出全新2Mbit FRAM产品，满足汽车对低功耗电子器件的需求
维安股份沪主板IPO获受理！熔断器市占位居全球前列，募资超15亿发力车规功率器件
软性机器人以柔克刚 开启机器人市场新方向
泰矽微自主研发TCB561单串锂电池电量计芯片
华为云通用 AI 解决方案（EI 服务），如何成为企业智能的强大动力？
Tipster揭示了Sammy考虑在非美国5G Galaxy S21产品线上使用的芯片
包装生鲜牛肉pH值的高光谱无损检测方法
VRLA电池及其应用
三星推出BESPOKE缤色铂格十字门冰箱，开启保鲜新时代
GaN MEMS/NEMS应变调控谐振器研究
如何通过STM32的定时器输出PWM？
科创板方邦股份董事刘西山介绍、履历信息
电源输入保护技术详解
防护织物合成血液穿透测试仪的用途以及原理的介绍
12家硬件厂商发布飞桨生态发行版 软硬一体协同发展
这款全新fram产品是汽车电子电控单元的最佳选择，满足高端汽车市场对低功耗电子器件的需求，如adas。
图1:mb85rs2mly 8pin dfn 封装
图2：应用实例（adas）
fram的读/写耐久性、写入速度和功耗均优于eeprom和闪存，已有对传统非易失性内存性能不满意的客户采用我们的fram。
自2017年以来，富士通电子不断推出工作电压3．3v或5v的64kbit～2mbit的汽车级fram产品。但高端汽车电控单元的推出，使得一些客户开始要求fram的工作电压低于1．8v。富士通电子近日推出的这款全新fram正是为了满足这一市场需求而面世的。
mb85rs2mly在-40°c至+125°c温度范围内可以达到10兆次读/写次数，适合某些需要实时数据记录的应用，比如连续10年每天每0．1秒记录一次数据，则写入次数将超过30亿。另外，这款产品可靠性测试符合aec-q100 grade 1标准，达到汽车级产品的认证标准。因此，在数据写入耐久性和可靠性方面，富士通电子最新推出的这款fram完全支持adas等需要实时数据记录的应用。
这款fram产品采用业界标准8-pin sop封装，可轻松取代现有类似引脚的eeprom。此外，还提供外形尺寸为5．0mm x 6．0mm x 0．9mm的8-pin dfn（无引线双侧扁平）封装。
图3:8pin dfn和8pin sop封装
除2mbit fram，富士通电子目前正在研发125°c温度系列容量为4mbit的存储产品。富士通电子将继续提供内存产品和解决方案，满足市场和客户的未来需求。
关键规格
• 组件型号：mb85rs2mly
• 容量（组态）：2 mbit（256k x 8位）
• 接口：spi（serial peripheral interface）
• 运作频率：最高50 mhz
• 运作电压：1．7伏特 - 1．95伏特
• 运作温度范围：摄氏零下40度 - 摄氏125度
• 读∕写耐用度：10兆次 （1013次）
• 封装规格：8-pin sop与8-pin dfn
• 认证标准：符合aec-q100 grade 1
词汇与备注
注一：铁电随机存取内存（fram）
fram是一种采用铁电质薄膜作为电容器以储存数据的内存，即便在没有电源的情况下仍可保存数据。fram结合了rom和ram的特性，并拥有高速写入数据、低功耗和高速读/写周期的优点。富士通自1999年即开始生产fram，亦称为feram。
小米5C或小米笔记本齐发挑战联想 雷军不给杨元庆活路？
三星Galaxy Note 9即将迎来Android 10测试版
苹果计划至少到2020年暂不发布5G手机
全新荣威i6 PLUS给寒冬里的车市添了一把火
嵌入式系统定义及特点
富士通电子推出全新2Mbit FRAM产品，满足汽车对低功耗电子器件的需求
维安股份沪主板IPO获受理！熔断器市占位居全球前列，募资超15亿发力车规功率器件
软性机器人以柔克刚 开启机器人市场新方向
泰矽微自主研发TCB561单串锂电池电量计芯片
华为云通用 AI 解决方案（EI 服务），如何成为企业智能的强大动力？
Tipster揭示了Sammy考虑在非美国5G Galaxy S21产品线上使用的芯片
包装生鲜牛肉pH值的高光谱无损检测方法
VRLA电池及其应用
三星推出BESPOKE缤色铂格十字门冰箱，开启保鲜新时代
GaN MEMS/NEMS应变调控谐振器研究
如何通过STM32的定时器输出PWM？
科创板方邦股份董事刘西山介绍、履历信息
电源输入保护技术详解
防护织物合成血液穿透测试仪的用途以及原理的介绍
12家硬件厂商发布飞桨生态发行版 软硬一体协同发展