UltraVt超高阈值耗尽型MOSFET的应用原理
ark（方舟微）研发的ultravt ®超高阈值耗尽型mosfet包括耐压70v的dmz0622e系列、耐压100v的dmz(x)1015e系列、耐压130v的dmz(x)1315e系列、耐压130v的dmz(x)1315el系列等产品。
该系列耗尽型mosfet具有超高的阈值电压参数，利用其压阈值特性，非常适合直接用于各类pwm ic的供电方案中，既能实现pwm ic的宽电压范围输入下的供电需求，又能很好的抑制电路浪涌，为pwm ic提供过压保护。
ultravt ®超高阈值耗尽型mosfet系列产品的主要参数如下：
01典型电路
ultravt ®超高阈值耗尽型mosfet稳压应用典型电路 (以dmz1015e为例)如下：
图1. ultravt ®超高阈值耗尽型mosfet稳压应用典型电路
02应用原理
ultravt ®超高阈值耗尽型mosfet稳压应用原理：
如图1电路所示，pwm ic与dmz1015e的s-g并联，因此pwm ic的vcc电压就等于dmz1015e的|v gs |电压。当输入电压较低时，dmz1015e基本直通，仅在d-s两端有较小压降。当dmz1015e工作在稳压状态时，mosfet自身会工作在饱和区，根据耗尽型mosfet的输出特性曲线可知，在不同的饱和电流ids下都会有唯一的vgs电压相对应，且该vgs电压数值上与同样ids电流下的|v gs(off) |相等。
而在图1所示电路中，v gs≤0v，因此vgs电压的范围为：0v≤|vgs |≤|v gs(off) | (max) ，即vcc的电压大小根据ids电流的不同，只能在dmz1015e的阈值电压范围内变化，ids电流越大，|vgs|数值越小。当ids电流一定时，输出电压|vgs |也唯一确定。
因此使用ark（方舟微）ultravt ®超高阈值耗尽型mosfet可以直接给pwm ic进行宽电压范围输入条件下的稳压供电。
ark（方舟微）
ultravt®超高阈值耗尽型mosfet
01
ark（方舟微）ultravt ® 超高阈值耗尽型mosfet可直接替代传统三极管供电方案：
图2.ultravt®超高阈值耗尽型mosfet替代传统供电方案
02
单绕组的vcc供电电路示意图：
图3.ultravt ® 超高阈值耗尽型mosfet在单绕组供电方案中的应用
03
双绕组vcc供电供电电路示意图：
图4.ultravt ® 超高阈值耗尽型mosfet在双绕组供电方案中的应用
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该系列耗尽型mosfet具有超高的阈值电压参数，利用其压阈值特性，非常适合直接用于各类pwm ic的供电方案中，既能实现pwm ic的宽电压范围输入下的供电需求，又能很好的抑制电路浪涌，为pwm ic提供过压保护。
ultravt ®超高阈值耗尽型mosfet系列产品的主要参数如下：
01典型电路
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如图1电路所示，pwm ic与dmz1015e的s-g并联，因此pwm ic的vcc电压就等于dmz1015e的|v gs |电压。当输入电压较低时，dmz1015e基本直通，仅在d-s两端有较小压降。当dmz1015e工作在稳压状态时，mosfet自身会工作在饱和区，根据耗尽型mosfet的输出特性曲线可知，在不同的饱和电流ids下都会有唯一的vgs电压相对应，且该vgs电压数值上与同样ids电流下的|v gs(off) |相等。
而在图1所示电路中，v gs≤0v，因此vgs电压的范围为：0v≤|vgs |≤|v gs(off) | (max) ，即vcc的电压大小根据ids电流的不同，只能在dmz1015e的阈值电压范围内变化，ids电流越大，|vgs|数值越小。当ids电流一定时，输出电压|vgs |也唯一确定。
因此使用ark（方舟微）ultravt ®超高阈值耗尽型mosfet可以直接给pwm ic进行宽电压范围输入条件下的稳压供电。
ark（方舟微）
ultravt®超高阈值耗尽型mosfet
01
ark（方舟微）ultravt ® 超高阈值耗尽型mosfet可直接替代传统三极管供电方案：
图2.ultravt®超高阈值耗尽型mosfet替代传统供电方案
02
单绕组的vcc供电电路示意图：
图3.ultravt ® 超高阈值耗尽型mosfet在单绕组供电方案中的应用
03
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