电力晶体管的详细资料
电力晶体管的详细资料
目录
电力晶体管简介
电力晶体管的结构
电力晶体管工作原理
电力晶体管特点
电力晶体管的基本特性
电力晶体管的主要参数
电力晶体管的驱动与保护
电力晶体管电路分析
电力晶体管简介
电力晶体管按英文giant transistor直译为巨型晶体管，是一种耐高电压、大电流的双极结型晶体管（bipolar junction transistor—bjt），所以有时也称为power bjt；其特性有：耐压高，电流大，开关特性好，但驱动电路复杂，驱动功率大；gtr和普通双极结型晶体管的工作原理是一样的。gtr是一种电流控制的双极双结大功率、高反压电力电子器件，具有自关断能力,产生于本世纪70年代，其额定值已达1800v/800a/2khz、1400v/600a/5khz、600v/3a/100khz。它既具备晶体管饱和压降低、开关时间短和安全工作区宽等固有特性，又增大了功率容量，因此，由它所组成的电路灵活、成熟、开关损耗小、开关时间短，在电源、电机控制、通用逆变器等中等容量、中等频率的电路中应用广泛。gtr的缺点是驱动电流较大、耐浪涌电流能力差、易受二次击穿而损坏。在开关电源和ups内，gtr正逐步被功率mosfet和igbt所代替。它的符号如图1,和普通的npn晶体管一样。
电力晶体管的结构
电力晶体管(giant transistor)简称gtr，结构和工作原理都和小功率晶体管非常相似。gtr由三层半导体、两个pn结组成。和小功率三极管一样，有pnp和npn两种类型，gtr通常多用npn结构。
[编辑本段]电力晶体管工作原理
在电力电子技术中，gtr主要工作在开关状态。gtr通常工作在正偏(ib＞0)时大电流导通；反偏(ib＜0＝时处于截止状态。因此，给gtr的基极施加幅度足够大的脉冲驱动信号，它将工作于导通和截止的开关状态。
[编辑本段]电力晶体管特点
l 输出电压
可以采用脉宽调制方式，故输出电压为幅值等于直流电压的强脉冲序列。
2 载波频率
由于电力晶体管的开通和关断时间较长，故允许的载波频率较低，大部分变频器的上限载波频率约为1.2～1.5khz左右。
3 电流波形
因为载波频率较低，故电流的高次谐波成分较大。这些高次谐波电流将在硅钢片中形成涡流，并使硅钢片相互间因产生电磁力而振动，并产生噪音。又因为载波频率处于人耳对声音较为敏感的区域，故电动机的电磁噪音较强。
4 输出转矩
因为电流中高次谐波的成分较大，故在50hz时，电动机轴上的输出转矩与工频运行时相比，略有减小。
[编辑本段]电力晶体管的基本特性
(1)静态特性
共发射极接法时可分为三个工作区：
① 截止区。在截止区内，ib≤0，ube≤0，ubc＜0，集电极只有漏电流流过。
② 放大区。ib ＞0，ube＞0，ubc＜0，ic =βib。
③ 饱和区。ib ＞ics/β，ube＞0，ubc＞0，ics是集电极饱和电流，其值由外电路决定。
结论：两个pn结都为正向偏置是饱和的特征。饱和时，集电极、发射极间的管压降uce很小，相当于开关接通，这时尽管电流很大，但损耗并不大。gtr刚进入饱和时为临界饱和，如ib继续增加，则为过饱和，用作开关时，应工作在深度饱和状态，这有利于降低uce和减小导通时的损耗。
(2)动态特性
图4-8 gtr共发射极接法的输出特性
gtr在关断时漏电流很小，导通时饱和压降很小。因此，gtr在导通和关断状态下损耗都很小，但在关断和导通的转换过程中，电流和电压都较大，所以开关过程中损耗也较大。当开关频率较高时，开关损耗是总损耗的主要部分。因此，缩短开通和关断时间对降低损耗、提高效率和提高运行可靠性很有意义。
[编辑本段]电力晶体管的主要参数
(1)最高工作电压
(2)集电极最大允许电流icm
(3)集电极最大允许耗散功率pcm
(4)最高工作结温tjm
二次击穿和安全工作区
(1)二次击穿
二次击穿是影响gtr安全可靠工作的一个重要因素。二次击穿是由于集电极电压升高到一定值(未达到极限值)时，发生雪崩效应造成的。防止二次击穿的办法是：①应使实际使用的工作电压比反向击穿电压低得多。②必须有电压电流缓冲保护措施。
(2)安全工作区
以直流极限参数icm、pcm、ucem构成的工作区为一次击穿工作区，以usb (二次击穿电压)与isb (二次击穿电流)组成的psb (二次击穿功率)是一个不等功率曲线。为了防止二次击穿，要选用足够大功率的gtr，实际使用的最高电压通常比gtr的极限电压低很多。
图4-10 gtr安全工作区
图4-11 gtr基极驱动电流波形
[编辑本段]电力晶体管的驱动与保护
1．gtr基极驱动电路
(1)对基极驱动电路的要求
①实现主电路与控制电路间的电隔离。
②导通时，基极正向驱动电流应有足够陡的前沿，并有一定幅度的强制电流，以加速开通过程，减小开通损耗。
③gtr导通期，基极电流都应使gtr处在临界饱和状态，这样既可降低导通饱和压降，又可缩短关断时间。
④在使gtr关断时，应向基极提供足够大的反向基极电流，以加快关断速度，减小关断损耗。
⑤应有较强的抗干扰能力，并有一定的保护功能。
(2)基极驱动电路
图4-12 实用的gtr驱动电路
2．集成化驱动
集成化驱动电路克服了一般电路元件多、电路复杂、稳定性差和使用不便的缺点，还增加了保护功能。
3．gtr的保护电路
开关频率较高，采用快熔保护是无效的。一般采用缓冲电路。主要有rc缓冲电路、充放电型r、c、vd缓冲电路和阻止放电型r、c、vd缓冲电路三种形式，如图4-13所示。
a) b) c)
图4-13 gtr的缓冲电路
图4-13a所示rc缓冲电路只适用于小容量的gtr(电流10 a以下)。图4-13b所示充放电型r、c、vd缓冲电路用于大容量的gtr。图4-13c所示阻止放电型r、c、vd缓冲电路，较常用于大容量gtr和高频开关电路，其最大优点是缓冲产生的损耗小。
力晶体管电路分析
图6-21所示为三相桥式pwm逆变电路，功率开关器件为gtr，负载为电感性。从电路结构上看，三相桥式pwm变频电路只能选用双极性控制方式，其工作原理如下：
三相调制信号uru、urv和urw为相位依次相差120°的正弦波，而三相载波信号是公用一个正负方向变化的三角形波uc，如图6-23所示。u、v和w相自关断开关器件的控制方法相同，现以u相为例：在uru>uc的各区间，给上桥臂电力晶体管v1以导通驱动信号，而给下桥臂v4以关断信号，于是u相输出电压相对直流电源ud中性点n’为uun’ ＝ud/2。在uru
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电力晶体管的详细资料
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蒸烤箱高温湿度氧气传感器的特性
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目录
电力晶体管简介
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电力晶体管特点
电力晶体管的基本特性
电力晶体管的主要参数
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电力晶体管电路分析
电力晶体管简介
电力晶体管按英文giant transistor直译为巨型晶体管，是一种耐高电压、大电流的双极结型晶体管（bipolar junction transistor—bjt），所以有时也称为power bjt；其特性有：耐压高，电流大，开关特性好，但驱动电路复杂，驱动功率大；gtr和普通双极结型晶体管的工作原理是一样的。gtr是一种电流控制的双极双结大功率、高反压电力电子器件，具有自关断能力,产生于本世纪70年代，其额定值已达1800v/800a/2khz、1400v/600a/5khz、600v/3a/100khz。它既具备晶体管饱和压降低、开关时间短和安全工作区宽等固有特性，又增大了功率容量，因此，由它所组成的电路灵活、成熟、开关损耗小、开关时间短，在电源、电机控制、通用逆变器等中等容量、中等频率的电路中应用广泛。gtr的缺点是驱动电流较大、耐浪涌电流能力差、易受二次击穿而损坏。在开关电源和ups内，gtr正逐步被功率mosfet和igbt所代替。它的符号如图1,和普通的npn晶体管一样。
电力晶体管的结构
电力晶体管(giant transistor)简称gtr，结构和工作原理都和小功率晶体管非常相似。gtr由三层半导体、两个pn结组成。和小功率三极管一样，有pnp和npn两种类型，gtr通常多用npn结构。
[编辑本段]电力晶体管工作原理
在电力电子技术中，gtr主要工作在开关状态。gtr通常工作在正偏(ib＞0)时大电流导通；反偏(ib＜0＝时处于截止状态。因此，给gtr的基极施加幅度足够大的脉冲驱动信号，它将工作于导通和截止的开关状态。
[编辑本段]电力晶体管特点
l 输出电压
可以采用脉宽调制方式，故输出电压为幅值等于直流电压的强脉冲序列。
2 载波频率
由于电力晶体管的开通和关断时间较长，故允许的载波频率较低，大部分变频器的上限载波频率约为1.2～1.5khz左右。
3 电流波形
因为载波频率较低，故电流的高次谐波成分较大。这些高次谐波电流将在硅钢片中形成涡流，并使硅钢片相互间因产生电磁力而振动，并产生噪音。又因为载波频率处于人耳对声音较为敏感的区域，故电动机的电磁噪音较强。
4 输出转矩
因为电流中高次谐波的成分较大，故在50hz时，电动机轴上的输出转矩与工频运行时相比，略有减小。
[编辑本段]电力晶体管的基本特性
(1)静态特性
共发射极接法时可分为三个工作区：
① 截止区。在截止区内，ib≤0，ube≤0，ubc＜0，集电极只有漏电流流过。
② 放大区。ib ＞0，ube＞0，ubc＜0，ic =βib。
③ 饱和区。ib ＞ics/β，ube＞0，ubc＞0，ics是集电极饱和电流，其值由外电路决定。
结论：两个pn结都为正向偏置是饱和的特征。饱和时，集电极、发射极间的管压降uce很小，相当于开关接通，这时尽管电流很大，但损耗并不大。gtr刚进入饱和时为临界饱和，如ib继续增加，则为过饱和，用作开关时，应工作在深度饱和状态，这有利于降低uce和减小导通时的损耗。
(2)动态特性
图4-8 gtr共发射极接法的输出特性
gtr在关断时漏电流很小，导通时饱和压降很小。因此，gtr在导通和关断状态下损耗都很小，但在关断和导通的转换过程中，电流和电压都较大，所以开关过程中损耗也较大。当开关频率较高时，开关损耗是总损耗的主要部分。因此，缩短开通和关断时间对降低损耗、提高效率和提高运行可靠性很有意义。
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(1)最高工作电压
(2)集电极最大允许电流icm
(3)集电极最大允许耗散功率pcm
(4)最高工作结温tjm
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(1)二次击穿
二次击穿是影响gtr安全可靠工作的一个重要因素。二次击穿是由于集电极电压升高到一定值(未达到极限值)时，发生雪崩效应造成的。防止二次击穿的办法是：①应使实际使用的工作电压比反向击穿电压低得多。②必须有电压电流缓冲保护措施。
(2)安全工作区
以直流极限参数icm、pcm、ucem构成的工作区为一次击穿工作区，以usb (二次击穿电压)与isb (二次击穿电流)组成的psb (二次击穿功率)是一个不等功率曲线。为了防止二次击穿，要选用足够大功率的gtr，实际使用的最高电压通常比gtr的极限电压低很多。
图4-10 gtr安全工作区
图4-11 gtr基极驱动电流波形
[编辑本段]电力晶体管的驱动与保护
1．gtr基极驱动电路
(1)对基极驱动电路的要求
①实现主电路与控制电路间的电隔离。
②导通时，基极正向驱动电流应有足够陡的前沿，并有一定幅度的强制电流，以加速开通过程，减小开通损耗。
③gtr导通期，基极电流都应使gtr处在临界饱和状态，这样既可降低导通饱和压降，又可缩短关断时间。
④在使gtr关断时，应向基极提供足够大的反向基极电流，以加快关断速度，减小关断损耗。
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图4-12 实用的gtr驱动电路
2．集成化驱动
集成化驱动电路克服了一般电路元件多、电路复杂、稳定性差和使用不便的缺点，还增加了保护功能。
3．gtr的保护电路
开关频率较高，采用快熔保护是无效的。一般采用缓冲电路。主要有rc缓冲电路、充放电型r、c、vd缓冲电路和阻止放电型r、c、vd缓冲电路三种形式，如图4-13所示。
a) b) c)
图4-13 gtr的缓冲电路
图4-13a所示rc缓冲电路只适用于小容量的gtr(电流10 a以下)。图4-13b所示充放电型r、c、vd缓冲电路用于大容量的gtr。图4-13c所示阻止放电型r、c、vd缓冲电路，较常用于大容量gtr和高频开关电路，其最大优点是缓冲产生的损耗小。
力晶体管电路分析
图6-21所示为三相桥式pwm逆变电路，功率开关器件为gtr，负载为电感性。从电路结构上看，三相桥式pwm变频电路只能选用双极性控制方式，其工作原理如下：
三相调制信号uru、urv和urw为相位依次相差120°的正弦波，而三相载波信号是公用一个正负方向变化的三角形波uc，如图6-23所示。u、v和w相自关断开关器件的控制方法相同，现以u相为例：在uru>uc的各区间，给上桥臂电力晶体管v1以导通驱动信号，而给下桥臂v4以关断信号，于是u相输出电压相对直流电源ud中性点n’为uun’ ＝ud/2。在uru
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