远翔DC-DC电源管理大功率升压恒压芯片FP5207B DFN-10L(EP)封装 带软启动可调频率可调
方案名称
远翔dc-dc电源管理大功率升压恒压芯片fp5207b dfn-10l(ep)封装 带软启动可调频率可调
芯片概述
fp5207b是一款大功率异步升压恒压芯片，外置n沟mos驱动，与肖特基和电感形成回路组成升压架构;工作电压低至2.8v启动，可适用已单节电池供电，高至24v宽压工作，甚至可通过外部三极管稳压高压供电;恒压基准(vfb)为1.2v±2%，电压高误差小，提高输出的准确度;工作频率(rt)可调为100-1000khz，可根据需求调整频率段;软启动(ss)可调，可根据需要启动时间来调整。
芯片特色
效率高达90%以上
低功耗，芯片关机功耗最低3ua
启动电压2.8v，稳定工作电压5-24v，扩展电压为24-48v
恒压基准值为1.2v±2%
工作频率100-1000khz
芯片软启动可调（ss）
芯片输入具有可调过流保护（ocp）
芯片输入低压保护（uvp）
芯片具有过温保护（otp）
脚位描述
线路图
应用元件
c1、c7：输入与输出稳压电容。
c2、c6、c8：高频噪声滤波电容。
c3：输入电源接 hvdd 经过内部稳压管到 vds 产生 8v，此电压会提供内部电路与 ext pin驱动外部 q2 的闸极，需要加稳压电容。
c4、c5、c13、r1、r5：系统的补偿回路，关系到系统的稳定度。
c17：软启动电容，改变电容值调整启动时间。
l1：电感具有储能与滤波功用，感值越大电感涟波越小，相对感值越小涟波越大。选用电感需注意电感是否适合高频操作，及电感额定饱和电流值。
d1：当 q2 截止时，d1 萧特基管导通提供电感放电回路。
q2：使用内阻低的 nmos，drain 端高电压等于输出 19v，耐压选用 19v 的 1.5 倍。
r3：vin 与 en 之间接 200kω，自动启动 ic。
r6：调整工作频率电阻。
r11、r12：分压电阻设定输出电压。
r8：预留作为 emi 对策。
rcs：电感峰值电流检测与过电流保护电阻。
pcb图片
注意事项:
大电流路径走线要粗，铺铜走线最佳。
开关切换连接点 l1、q2 的 drain 端与 d1，走线要短与粗，铺铜走线最佳。
输入电容 c6 靠近 hvdd 与 gnd pin，达到稳压与滤波功效。
分压电阻 r11/r12 靠近 fb 与 gnd pin。
fb pin 远离开关切换点 l1、q2 的 drain 与 d1，避免受到干扰。
输入电容 c1/c2 的地、输出电容 c7/c8 与 rcs 的地，铺铜走线，上下层地多打洞连接。
输出电容 c7/c8 的地一定要靠近 rcs 的地，可以降低开关切换突波，降低输出高频噪声。
rcs 靠近 cs 与 gnd pin。
板子多余空间建议铺地。
调频曲线
调频公式
可调限流
限流公式
软启动公式
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启动电压2.8v，稳定工作电压5-24v，扩展电压为24-48v
恒压基准值为1.2v±2%
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应用元件
c1、c7：输入与输出稳压电容。
c2、c6、c8：高频噪声滤波电容。
c3：输入电源接 hvdd 经过内部稳压管到 vds 产生 8v，此电压会提供内部电路与 ext pin驱动外部 q2 的闸极，需要加稳压电容。
c4、c5、c13、r1、r5：系统的补偿回路，关系到系统的稳定度。
c17：软启动电容，改变电容值调整启动时间。
l1：电感具有储能与滤波功用，感值越大电感涟波越小，相对感值越小涟波越大。选用电感需注意电感是否适合高频操作，及电感额定饱和电流值。
d1：当 q2 截止时，d1 萧特基管导通提供电感放电回路。
q2：使用内阻低的 nmos，drain 端高电压等于输出 19v，耐压选用 19v 的 1.5 倍。
r3：vin 与 en 之间接 200kω，自动启动 ic。
r6：调整工作频率电阻。
r11、r12：分压电阻设定输出电压。
r8：预留作为 emi 对策。
rcs：电感峰值电流检测与过电流保护电阻。
pcb图片
注意事项:
大电流路径走线要粗，铺铜走线最佳。
开关切换连接点 l1、q2 的 drain 端与 d1，走线要短与粗，铺铜走线最佳。
输入电容 c6 靠近 hvdd 与 gnd pin，达到稳压与滤波功效。
分压电阻 r11/r12 靠近 fb 与 gnd pin。
fb pin 远离开关切换点 l1、q2 的 drain 与 d1，避免受到干扰。
输入电容 c1/c2 的地、输出电容 c7/c8 与 rcs 的地，铺铜走线，上下层地多打洞连接。
输出电容 c7/c8 的地一定要靠近 rcs 的地，可以降低开关切换突波，降低输出高频噪声。
rcs 靠近 cs 与 gnd pin。
板子多余空间建议铺地。
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