纳芯微单通道隔离式栅极驱动器NSi66x1A和NSi6601M发布

纳芯微单通道隔离式栅极驱动器两款新品nsi66x1a和nsi6601m双双发布,均适用于驱动sic,igbt和mosfet等功率管,兼具车规(满足aec-q100标准)和工规两种等级,广泛适用于新能源汽车、空调、电源、光伏等应用场景。
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01nsi66x1a:带保护功能的智能隔离单管驱动
- 超强驱动能力,有效节约外围电路
- 支持asc,迅速响应,及时保护系统
02nsi6601m:带弥勒钳位功能的隔离单管驱动
- 有效解决高压高频系统中高dv/dt
01nsi66x1a
带保护功能的智能隔离单管驱动
(nsi6611a/nsi6651a)
产品特性
1. 超强驱动能力,可以提供最大10a的拉灌电流能力,支持轨到轨输出和分离输出
2. 完善的保护功能:desat短路保护、故障软关断、弥勒钳位、欠压保护;短路故障或欠压发生时,还能通过单独的引脚报告进行反馈
3. 输入与输出端均采用双电容增强隔离技术,外加纳芯微adaptive ook编码技术,最小共模瞬变抗扰度(cmti)高达150kv/μs,提高了系统的鲁棒性
4. 驱动器侧电源电压vcc2最大为32v,输入侧vcc1为3v至5.5v电源电压供电;vcc1和vcc2都具有欠压保护(uvlo)
5. 极低的传输延时,低至80ns
6. nsi6611支持asc特色的功能,可在紧急情况下强制输出为高
7. 工作环境温度:-40℃ ~ 125℃
8. 符合 rohs 标准的封装类型:sow16
功能框图
nsi66x1a 超强驱动能力,有效节约外围电路
在大功率的应用中,用户一般会选择如igbt和sic这样的大功率管子,因而功率管的qg也会更大,对产品驱动电流能力的要求变得更高了。
nsi66x1a能够提供最大10a的拉罐电流能力,比起传统方案,不需要额外的buffer 电路,即可直接驱动大功率的管子。节省了buffer电路的费用和pcb的体积,同时还不需要额外的电路做匹配,增加了系统的稳定性。此外,nsi66x1a内部集成弥勒钳位,支持分离输出,使用简单,外围器件更少,凸显性价比。
nsi6611a 支持asc功能
什么是asc?
asc即主动短路(active short circuit,简称asc),是电机系统的一种安全保护机制,是将电机的uvw三相短路(通过å对功率管的开关,实现上三桥臂短路或下三桥臂短路)。
nsi6611a支持asc功能,可以在电机处于转速过高,或者突然发生制动等其他异常时,通过三相短路的方式,让电机内耗电流,降低电机产生的反电动势,使其不超过高压电池提供的母线电压,确保动力电池、母线电容及其它高压器件不被损坏,从而保护电机和电气系统。
nsi6611a pin1 引脚便是asc 功能。如下asc时序图可以看到,即使在input是低电平,或者vcc1欠压情况下,当pin1引脚电平是高电平时,asc功能就会使能,out会强制输出为高,打开功率管。当然,如果用户不需要asc 功能,则可以将nsi6611a pin1 引脚悬空,或者下拉到gnd2。
nsi6611a asc 时序图
案例
详解
为了实现系统的asc功能,uvw三相下桥臂的管子驱动ic可以使用三颗nsi6611a,将其pin1 连接到一起,连接点命名为asc trigger,默认该点电压是低电平。当系统检测到故障时,如母线电压过高时,外部触发信号使asc trigger为高电平,这时三颗nsi6611会强制打开 uvw三相下桥臂的管子,实现电机下三桥臂短路,实现asc功能。nsi6611a被外部触发asc trigger为高电平到芯片out 强制输出为高,时间为0.66us (tasc_r), 响应迅速,及时保护系统。
02nsi6601m
带弥勒钳位功能的高可靠性隔离单管驱动
产品特性
1. 具有很强的驱动能力,可提供5a/5a的拉灌电流峰值电流
2. 集成弥勒钳位功能,钳位电流高达5a,有效抑制因为弥勒效应致使管子误开通,确保了系统的可靠性
3. 超高的共模抗扰能力:150 kv/us
4. 驱动器侧电源电压vcc2最大为32v,输入侧vcc1为3.1v至17v电源电压供电;vcc1和vcc2都具有欠压保护(uvlo)
5. 符合 rohs 标准的封装类型:sop8,sow8
6. 工作环境温度:-40℃ ~ 125℃
7. 符合 rohs 标准的封装类型:sow16
功能框图
nsi6601m:有效解决高压高频系统中高dv/dt
随着第三代半导体sic mosfet的兴起,更高压、更高频、更小体积、更大功率的系统正成为新的发展趋势。然而在高压高频的应用中系统在运行过程中却总是容易因为dv/dt过高,导致功率管子被烧坏。nsi6601m则能很好解决这一问题。
案例
详解
使用下图的电路作为例子说明。系统在开关的过程中,sw产生的dv/dt 通过弥勒电容cgd,会导致gate产生电压,如果这个电压高于管子的开通电压,会导致管子误开通,会造成上下管短路,烧毁管子。
nsi66001mc集成弥勒钳位功能,nsi6601m可以检测到gate电压的变化,当gate产生的电压高压2v时,nsi6601m内部弥勒钳位功能将被开启,将dv/dt 通过cgd产生的电流以最小阻抗路径释放到vee,在gate电压钳位到足够低的电压,防止下管q2误开通。
简化应用电路图


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