日本UV-LED先驱Nitride成立Micro LED全资子公司
日本uv-led先驱nitride semiconductors成立了一家名为micro nitride的全资子公司。新公司将基于一项正在申请专利的新技术，开发和销售用于micro led显示器的micro uv led芯片。该公司总资本为1亿日元（约600万人民币），其中5000万为储备金。
目前，业内有两种制造micro led显示器的方法：(1) 独立红绿蓝led芯片型，使用分别发红光、蓝光和绿光的三种led芯片; (2)micro blue led激发红光和绿光荧光粉型，使用micro blue led芯片和可以激发出红光和绿光的荧光粉。
对于独立红绿蓝led芯片型，红光micro led芯片由于材料太过脆弱而不具有生产性。另外，高密度转移和键合不同结构和颜色的micro led芯片也非常的困难。每种micro led的电流、电压和反应速度各不相同，因此单独控制每个芯片存在很大的问题。
相比之下，micro blue led激发荧光粉的方法只需要将单一的micro blue led芯片集成到显示基板上就可以，因此转移和键合难度大大降低，电流和电压也可以统一。不过这种方案中，蓝光是芯片发射光，而红光和绿光则是激发光，这意味着红光和绿光存在反应时间上的滞后。另外还存在一个问题，即由蓝色激发产生的红色和绿色的亮度都很低，颜色再现性也很差。
micro nitride公司正在开发一种名为micro uv led搭配rgb荧光粉的替代技术来解决这个问题。研究发现，同时在n层和p层内制作sls结构时，micro uv led芯片的发光效率可以提高一倍（该技术专利在申请中）。
提升发光效率的原因是电流的扩散距离变短，这使得发光复合几率增加，内量子效率提高，同时，从发光层到外部距离的缩短也进一步提高了外量子效率。
作为母公司的nitride semiconductors于2000年在德岛大学初创成立，其创始人们在那里开发出世界上第一颗uv led。该公司开发出比蓝光led波长短100nm的紫外光led，具有许多和晶体生长相关的核心技术。
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