三星分享2nm 1.4nm以及5nm射频计划

三星在2023年年度三星代工论坛 (sff) 上公布了更新的制造技术路线图。该公司有望分别于 2025年和 2027年在其 2纳米和 1.4纳米级节点上生产芯片。此外，该公司还计划在未来几年增加领先的 5 纳米级射频制造工艺并开始生产 gan 芯片。
与sf3（第二代 3nm 级）相比（在相同晶体管数量下），三星预计其 sf2（2nm 级）制造技术可将功率效率提高 25%（在相同频率和晶体管数量下），将性能提高 12%（在相同功率和复杂性下），并将面积减少 5%该公司。该公司将于 2025 年开始在 2nm 节点上制造移动 soc，并于 2026 年跟进 hpc 增强型 sf2p 节点同时，sf1.4（1.4nm级）制造工艺预计将于2027年提供给三星客户。
为了使其 sf2 节点更具竞争力，三星打算确保其客户很快就能获得一系列高质量的 sf2 ip，包括 lpddr5x、hbm3p、pcie gen6 和 112g serdes 等接口。
除了为智能手机、客户端 pc 和数据中心 soc 提供领先技术外，三星还计划在未来几年提供专门的制造工艺。其中包括 2027 年为汽车应用量身定制的 sf2a，以及 2025 年的 5nm 射频 (rf) 节点。与当前一代 14nm rf 工艺相比，即将推出的 5nm rf 预计将功率效率提高 40%，并将晶体管密度提高约 50% 。
三星还计划于 2025 年开始生产氮化镓 (gan) 功率半导体。这些芯片将面向各种应用，从消费电子产品到数据中心和汽车行业。
三星代工厂不仅专注于扩大其技术组合，还致力于增强其在美国和韩国的制造能力。该公司计划于 2023 年下半年在平泽 3 号生产线(p3)开始大批量生产芯片。至于位于德克萨斯州泰勒的工厂，预计将于今年年底完成建设，其预计将于 2024 年下半年开始运营。
作为其宏伟目标的一部分，三星计划到 2027 年将其洁净室总产能提高 7.3 倍，与 2021 年拥有的产能相比大幅增长。