各种常用二极管应该如何检测详细方法说明
半导体二极管又称为晶体二极管，具有明显的单向导电性，是各种电器设备中应用较为广泛的一种半导体元器件，也是日常维修中经常碰到的—种元器件，常见的有普通二极管、稳压二极管、发光二极管、光敏二极管等。熟练掌握各种二极管的检测是初学者必需的技能。
1.普通二极管的检测
（1）小功率锗二极管的正向电阻为300ω～500ω，硅工极管为lkω或更大些。锗二极管的反向电阻为几十干欧，硅二极管的反向电阻在500kω以上（大功率的其值要小些）。
（2）根据二极管的正向电阻小，反向电阻大的特点可判断二极管的极性。将万用表拨到欧姆挡（—般用r×100或r×1k挡、不要用r×1挡或r×10k挡。因为r×1挡使用电流太大，容易烧毁管子；而r×10k挡使用的电压太高，可能击穿管子）。用表笔分别与二极管的两极性相连，测出两阻值，在所测得阻值较小的一次，与黑表笔相连的一端即为二极管的正极。同理，在所测得阻值较大的一次，与黑表笔相接的一端为二极管的负极。如果测得的反向电阻很小，说明二极管内部短路；若正向电阻很大，则说明管子内部断路。在这两种情况下二极管就需报废。
（3）硅二极管一般正向压降为0.6v～0.7v，锗二极管的正向压降为0.iv～0.3v，所以测量一下二极管的正向导通电压，便可判断被测二极管是硅管还是锗管，其方法是在干电池的—端串一个电阻（lkω），同时按极性与二极管相接，使二极管正向导通，这时用万用表测量二极管两端的管压降，如果是0，6v～0.7v即为硅管浊口为0，iv～0，3v即为锗管；若用在路动态测量则更为方便。
2.稳压二极管的测量
（1）一般使用万用表的低阻挡测量稳压二极管，由于表内电池为⒈5v，这个电压不足以使稳压二极管反向击穿，因而使用低阻挡测量稳压二极管正反向电阻，其阻值应和普通二极管一样。
（2）稳压二极管的稳压值vz的测量。测量时，必须使管子进人反向击穿区，所以电源电压要大于被测管的稳定电压，这样，就必须用万用表的高阻挡（r×10k挡），这时表内电池是电压较高的叠层电池，当万用表量程置于高阻挡后，测其反向电阻，若实测阻值为rx，则稳压二极管的稳压值为：
式中，n-所用挡次的倍率数，如所用万用表的最高电阻挡是r×10k，则n=10000。
r0-是万用表的中心阻值。
e0-是所用万用表最高电阻挡的电池电压值。
例：用mf50型万用表测一只2cw14，r0＝10ω，最高电阻挡为r×10k挡，eo=15v，实测反向电阻为75kω，则其稳压值是：
如果实测阻值非常大（接近于无穷），表示被测管的稳压值vz大于e0，无法将其击穿。如果实测阻值很小（0或只有几欧），则是表笔接反，只要将表笔互换就可以。
3.发光二极管的测量
发光二极管是一种把电能变换成光能的半导体器件，当它通过一定的电流时就会发光。它具有体积小，工作电压低，工作电流小等特点，
（1）发光二极管内部是一个pn结，具有单向导电性，故其检测方法类似于—般二极管的测量。
（2）万用表置于r×1k或r×10k挡，测其正反向电阻值，一般正向电阻小于50kω，反向电阻大于200kω。
（3）发光二极管的工作电流是重要的一个参数，工作电流太小，发光二极管点不亮，太大则易损坏发光二极管。
（4）发光二极管正向开启电压为1.2v～2.5v（高亮led除外），而反向击穿电压为5v左右。
4.光敏二极管的测量
光敏二极管是一种能把光照强弱变化转换成电信号的半导体器件。
（1）光敏二极管的顶端有一个能射入光线的窗口，光线通过窗口照射到管芯上，在光的激发下，光敏二极管内产生大量的光电粒子，其导电能力大大增强，使内阻减小。
（2）光敏二极管和稳压二极管类似，也是工作在反向状态，须加反向电压。
（3）光敏二极管的正向电阻不随光的变化而变化，约为几千欧。其反向阻值在无光照时较大，受到光照时，其反向阻值变小，光照越强，反向电阻越小，甚至仅几百欧。去除光照条件，反向电阻立即恢复到原阻值。
（4）根据上述原理，用万用表测光敏二极管的反向电阻，边测边改变光的强弱，观察光敏二极管的反向电阻的变化。如在有光和无光时，反向电阻无变化或变化极小，说明该管已经失效。
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1.普通二极管的检测
（1）小功率锗二极管的正向电阻为300ω～500ω，硅工极管为lkω或更大些。锗二极管的反向电阻为几十干欧，硅二极管的反向电阻在500kω以上（大功率的其值要小些）。
（2）根据二极管的正向电阻小，反向电阻大的特点可判断二极管的极性。将万用表拨到欧姆挡（—般用r×100或r×1k挡、不要用r×1挡或r×10k挡。因为r×1挡使用电流太大，容易烧毁管子；而r×10k挡使用的电压太高，可能击穿管子）。用表笔分别与二极管的两极性相连，测出两阻值，在所测得阻值较小的一次，与黑表笔相连的一端即为二极管的正极。同理，在所测得阻值较大的一次，与黑表笔相接的一端为二极管的负极。如果测得的反向电阻很小，说明二极管内部短路；若正向电阻很大，则说明管子内部断路。在这两种情况下二极管就需报废。
（3）硅二极管一般正向压降为0.6v～0.7v，锗二极管的正向压降为0.iv～0.3v，所以测量一下二极管的正向导通电压，便可判断被测二极管是硅管还是锗管，其方法是在干电池的—端串一个电阻（lkω），同时按极性与二极管相接，使二极管正向导通，这时用万用表测量二极管两端的管压降，如果是0，6v～0.7v即为硅管浊口为0，iv～0，3v即为锗管；若用在路动态测量则更为方便。
2.稳压二极管的测量
（1）一般使用万用表的低阻挡测量稳压二极管，由于表内电池为⒈5v，这个电压不足以使稳压二极管反向击穿，因而使用低阻挡测量稳压二极管正反向电阻，其阻值应和普通二极管一样。
（2）稳压二极管的稳压值vz的测量。测量时，必须使管子进人反向击穿区，所以电源电压要大于被测管的稳定电压，这样，就必须用万用表的高阻挡（r×10k挡），这时表内电池是电压较高的叠层电池，当万用表量程置于高阻挡后，测其反向电阻，若实测阻值为rx，则稳压二极管的稳压值为：
式中，n-所用挡次的倍率数，如所用万用表的最高电阻挡是r×10k，则n=10000。
r0-是万用表的中心阻值。
e0-是所用万用表最高电阻挡的电池电压值。
例：用mf50型万用表测一只2cw14，r0＝10ω，最高电阻挡为r×10k挡，eo=15v，实测反向电阻为75kω，则其稳压值是：
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3.发光二极管的测量
发光二极管是一种把电能变换成光能的半导体器件，当它通过一定的电流时就会发光。它具有体积小，工作电压低，工作电流小等特点，
（1）发光二极管内部是一个pn结，具有单向导电性，故其检测方法类似于—般二极管的测量。
（2）万用表置于r×1k或r×10k挡，测其正反向电阻值，一般正向电阻小于50kω，反向电阻大于200kω。
（3）发光二极管的工作电流是重要的一个参数，工作电流太小，发光二极管点不亮，太大则易损坏发光二极管。
（4）发光二极管正向开启电压为1.2v～2.5v（高亮led除外），而反向击穿电压为5v左右。
4.光敏二极管的测量
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