英特尔与美光试制50纳米NAND闪存
美光科技公司(microntechnology)与英特尔公司近日宣布试制成功了基于行业领先的50纳米(nil])制程技术的nand闪存，这兑现了它们对快速提升技术领先曲线的承诺。样品通过im闪存技术公司(imflashtechnologies)制造，该公司为美光科技公司与英特尔公司合资创办的研发制造企业。两家公司目前正在试制4gb设备，计划2007年开
始大规模生产多种容量密度的50纳米产品。
英特尔公司与美光科技公司将通过向5o纳米制程技术转移来满足对更高密度nand闪存日益增长的需求，该产品可广泛用于计算和消费电子应用，如数字音乐播放器、移
动存储及手持通信设备等。
今年，美光科技公司与英特尔公司共同创办了im闪存技术公司(imft)，为双方制造nand闪存产品。自公司创办以来，imft已大规模加强生产设备。美光科技公司目前通过它在博伊西的制造工厂为imft供应nand闪存，而且美光科技公司位于弗吉尼亚州马纳萨斯的300毫米工厂将在今年晚些时候投入生产，届时将为imft供应nand。
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