如何直流偏置达林顿晶体管电路
达林顿晶体管是一种众所周知且流行的连接，使用一对双极晶体管结型晶体管（bjt），设计用于像统一的“超β”晶体管一样工作。下图显示了连接的详细信息。
定义
达林顿晶体管可以定义为两个bjt之间的连接，允许它们形成单个复合bjt，获得大量的电流增益，通常范围可能超过千。
这种配置的主要优点是复合晶体管的行为类似于单个器件，其增强的电流增益相当于每个晶体管的电流增益的乘积。
如果达林顿连接由两个单独的bjt组成，电流增益β1和β2组合电流增益可以使用以下公式计算：
βd= β1β2-------- （12.7）
当在达林顿连接中使用匹配的晶体管时，β1= β2= β ，上述电流增益公式简化为：
βd= β2-------- （12.8）
封装达林顿晶体管
由于其巨大的受欢迎程度，达林顿晶体管也以单个封装制造和现成，其中两个bjt内部连接为一个单元。
下表提供了单个封装中示例达林顿对的数据表。
所示的电流增益是两个bjt的净增益。该装置外部配有 3 个标准端子，即基极、发射极、集电极。
这种封装的达林顿晶体管具有类似于普通晶体管的外部特征，但与普通单晶体管相比，具有非常高和增强的电流增益输出。
如何直流偏置达林顿晶体管电路
下图显示了使用具有非常高电流增益β晶体管的常见达林顿电路d.
这里可以使用以下公式计算基极电流：
我b= v抄送， w是， 1b7 .dre-------------- （12.9）
虽然这看起来类似于通常应用于任何常规 bjt 的方程，但该值βd在上式中将大大高于v。是会比较大。上一段中介绍的示例数据表中也证明了这一点。
因此，发射极电流可以计算为：
我e= （βd+ 1）ib≈ βd我b-------------- （12.10）
直流电压将为：
ve= iere-------------- （12.11）
vb= ve+ v是-------------- （12.12）
已解决的示例 1
根据下图给出的数据，计算达林顿电路的偏置电流和电压。
解决方案：应用公式12.9，基极电流确定为：
我b= 18 v - 1.6 v / 3.3 mω + 8000（390ω） ≈ 2.56 μa
应用方程12.10，发射极电流的评估公式为：
我e≈ 8000（2.56 μa） ≈ 20.28 ma ≈ ic
发射极直流电压可以使用公式12.11计算，公式为：
ve= 20.48 ma（390ω） ≈ 8 v，
最后，可以通过应用公式12.12来评估集电极电压，如下所示：
vb= 8 v + 1.6 v = 9.6 v
在本例中，达林顿集电极的电源电压为：
vc= 18 v
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达林顿晶体管可以定义为两个bjt之间的连接，允许它们形成单个复合bjt，获得大量的电流增益，通常范围可能超过千。
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βd= β2-------- （12.8）
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这里可以使用以下公式计算基极电流：
我b= v抄送， w是， 1b7 .dre-------------- （12.9）
虽然这看起来类似于通常应用于任何常规 bjt 的方程，但该值βd在上式中将大大高于v。是会比较大。上一段中介绍的示例数据表中也证明了这一点。
因此，发射极电流可以计算为：
我e= （βd+ 1）ib≈ βd我b-------------- （12.10）
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vb= ve+ v是-------------- （12.12）
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根据下图给出的数据，计算达林顿电路的偏置电流和电压。
解决方案：应用公式12.9，基极电流确定为：
我b= 18 v - 1.6 v / 3.3 mω + 8000（390ω） ≈ 2.56 μa
应用方程12.10，发射极电流的评估公式为：
我e≈ 8000（2.56 μa） ≈ 20.28 ma ≈ ic
发射极直流电压可以使用公式12.11计算，公式为：
ve= 20.48 ma（390ω） ≈ 8 v，
最后，可以通过应用公式12.12来评估集电极电压，如下所示：
vb= 8 v + 1.6 v = 9.6 v
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