ASML：预计2015年可发布首款量产型EUV机台
极紫外光（euv）微影技术将于2015年突破量产瓶颈。传统浸润式微影技术在半导体制程迈入1x纳米节点后将面临物理极限，遂使euv成为产业明日之星。设备供应商艾司摩尔（asml）已协同比利时微电子研究中心（imec）和重量级晶圆厂，合力改良euv光源功率与晶圆产出速度，预计2015年可发布首款量产型euv机台。
asml亚太区技术行销协理郑国伟提到，asml虽也同步投入e-beam基础研究，但目前对相关设备的开发计划仍抱持观望态度。
asml亚太区技术行销协理郑国伟表示，asml于2012年下旬购併微影设备光源供应商--cymer后，近半年在euv技术研发方面已有重大突破。特别在光源功率表现上，已从去年30瓦（w）大幅提升至目前的55瓦，预估今年底设定功率达80瓦、每小时晶圆产出速度（wph）58片的目标也可顺利达阵，并将出货五部euv研发型设备--nxe 3300予客户。
与此同时，asml亦紧锣密鼓推动euv量产型机台设计，目前正与英特尔（intel）、台积电、三星（samsung）和imec紧密合作，将共同投入大量研发资源并贡献各自的硅智财（ip），进一步提升euv光源功率并改良光学机构设计，使晶圆产出速度和经济效益符合业界要求。郑国伟强调，asml最快在2015年中就能发布euv量产型机台，使光源功率突破250瓦，且晶圆产出速度臻至125wph，从而协助晶圆厂加速布建10纳米鳍式电晶体（finfet）产线。
事实上，asml已和晶圆厂客户达成共识，认为只要将euv光源功率提升至100～125瓦，实现70wph的水準，整体生产成本就能赶上多重浸润式曝光，逐渐在16/14纳米finfet制程崭露头角。至于2015～2016年，euv具备125wph的产出能力，更将成为晶圆厂发展10纳米finfet不可或缺的制程设备，跃居微影技术主流地位。
据悉，进入20纳米世代，电晶体线宽（指晶圆布线之间的距离）将微缩至30纳米以下，已超越目前主流浸润式微影方案的解析度极限（约为3x纳米），因此，包括台积电、格罗方德（globalfoundries）等正在投资建置20纳米产线的晶圆厂，皆已相继导入双重曝光（double-patterning）技术，在同一片晶圆面积上进行两次微影制程，以实现更高密度的晶片电路布局（layout）。
不过，郑国伟分析，一旦採用双重甚至三重曝光，增加晶圆制作流程的循环时间（cycle time），不仅生产成本倍增，良率也会随之下降，势将延宕先进制程开发速度，并重重打击晶圆厂和晶片商的投资信心。也因此，业界才会对解析度可朝30纳米以下规格延伸，并能单次曝光的euv寄予厚望；而euv主要设备供应商asml更是责无旁贷，务须跨越相关技术门槛，以延续摩尔定律（moore’s law）。
由于euv对半导体产业的发展举足轻重，部分业者也忧心该技术一旦遭遇瓶颈，整个供应链将无以为继的窘境，竞相开始寻求备案。郑国伟提到，现阶段的确有厂商同时押宝不同的微影方案，其中，可省下光罩制程且解析度亦能满足1x纳米晶圆要求的多重电子束（multi e-beam）技术，为当下呼声最高的euv替代选项；然而，e-beam的晶圆产出速度还远远落后传统或euv微影，短期内难有突破性的进展。
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与此同时，asml亦紧锣密鼓推动euv量产型机台设计，目前正与英特尔（intel）、台积电、三星（samsung）和imec紧密合作，将共同投入大量研发资源并贡献各自的硅智财（ip），进一步提升euv光源功率并改良光学机构设计，使晶圆产出速度和经济效益符合业界要求。郑国伟强调，asml最快在2015年中就能发布euv量产型机台，使光源功率突破250瓦，且晶圆产出速度臻至125wph，从而协助晶圆厂加速布建10纳米鳍式电晶体（finfet）产线。
事实上，asml已和晶圆厂客户达成共识，认为只要将euv光源功率提升至100～125瓦，实现70wph的水準，整体生产成本就能赶上多重浸润式曝光，逐渐在16/14纳米finfet制程崭露头角。至于2015～2016年，euv具备125wph的产出能力，更将成为晶圆厂发展10纳米finfet不可或缺的制程设备，跃居微影技术主流地位。
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不过，郑国伟分析，一旦採用双重甚至三重曝光，增加晶圆制作流程的循环时间（cycle time），不仅生产成本倍增，良率也会随之下降，势将延宕先进制程开发速度，并重重打击晶圆厂和晶片商的投资信心。也因此，业界才会对解析度可朝30纳米以下规格延伸，并能单次曝光的euv寄予厚望；而euv主要设备供应商asml更是责无旁贷，务须跨越相关技术门槛，以延续摩尔定律（moore’s law）。
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