【大大芯方案】转换效率再升级，大联大推出基于onsemi产品应用于5KW的电源方案
2023年3月7日，致力于亚太地区市场的领先半导体元器件分销商---大联大控股宣布
其旗下世平推出基于安森美（onsemi）nxh010p120mnf1 sic模块和ncp51561隔离式双通道栅极驱动器的5kw工业电源方案。☜
图示1-大联大世平基于onsemi sic模块的5kw工业电源方案的展示板图
工业用电在全社会电力消耗中占有很大比重，因此在节能减排的大背景下，提升工业电源的转换效率、降低能源消耗是非常有必要的。而由于工业应用一般都具有较高的耗能需求，因此大都采用交流380v或交流480v的电源供电。在如此高压的环境下，功率器件选择有限，以往主要是以igbt为主。但持续的高频、高温和大电流等工作条件，会使igbt温度升高，影响转换效率。针对这个问题，大联大世平基于onsemi nxh010p120mnf1 sic模块和ncp51561隔离式双通道栅极驱动器推出了5kw工业电源方案可以有效提高电源转换效率、降低能耗。
图示2-大联大世平基于onsemi sic模块的5kw工业电源方案的场景应用图
nxh010p120mnf1是一种sic mosfet功率器件整合模块，其包含一个半桥架构电路，该电路由两颗带反向二极管的10mr、1200v sic mosfet组成，并内置了一个负温系数（ntc）热敏电阻有助于温度监测。在模块中设有导热界面材料（thermal interface material，tim）或无tim选项，可在更高电压环境下改善rds(on)，提高效率或提高功率密度。
ncp51561是隔离式双通道栅极驱动器，具有4.5a峰值拉电流和9a峰值灌电流，其被设计用于快速切换以驱动功率mosfet和sic mosfet电源开关。ncp51561提供较短且匹配的传播延迟，两个独立的5kvrms（ul1577等级）电隔离栅极驱动器通道可用于任何配置中，如两个低边、两个高边开关或具有可编程死区时间的半桥驱动器。并提供其他重要的保护功能，例如用于栅极驱动器和使能功能的独立欠压锁定。
图示3-大联大世平基于onsemi sic模块的5kw工业电源方案的方块图
得益于onsemi sic模块和栅极驱动器的完美配合，本方案可提供出色的开关性能和增强的散热性能，并且能够在实现更高能效和功率密度的同时，降低系统体积和重量。
▌核心技术优势
sic mosfet相对于igbt技术优势：
更低的开关损耗：基于材料特性具备较低反向恢复时间，可快速关断sic mosfet的导通电流，且由于低栅极启动电荷和低反向恢复时间，所以能快速开启sic mosfet。
更低的传导损耗：基于低导通电压可改善igbt导通前的状态，配合较低的内阻温度漂移系数可在较高的功率或温度环境下工作，不会因太大的内阻变化而造成过多功率损耗。
sic mosfet相对于mosfet技术优势：
10倍介电击穿场强度；
2倍电子饱和/移动速度；
3倍能隙；
3倍热传导率。
▌方案规格
适用交流480v以下电源系统；
高度整合的功率驱动模块；
2个半桥隔离式栅极驱动器source 4.5a/sink 9a，具有5kv绝缘；
半桥隔离栅极驱动器内置欠压保护功能；
半桥隔离栅极驱动器共模抗噪能力>200 v/ns；
半桥隔离栅极驱动器可设置死区时间；
模组单体内建过温监测功能；
实际电气驱动功能及规格需搭配外置的微处理器，配合所需功能的电路来决定最终功能。
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图示2-大联大世平基于onsemi sic模块的5kw工业电源方案的场景应用图
nxh010p120mnf1是一种sic mosfet功率器件整合模块，其包含一个半桥架构电路，该电路由两颗带反向二极管的10mr、1200v sic mosfet组成，并内置了一个负温系数（ntc）热敏电阻有助于温度监测。在模块中设有导热界面材料（thermal interface material，tim）或无tim选项，可在更高电压环境下改善rds(on)，提高效率或提高功率密度。
ncp51561是隔离式双通道栅极驱动器，具有4.5a峰值拉电流和9a峰值灌电流，其被设计用于快速切换以驱动功率mosfet和sic mosfet电源开关。ncp51561提供较短且匹配的传播延迟，两个独立的5kvrms（ul1577等级）电隔离栅极驱动器通道可用于任何配置中，如两个低边、两个高边开关或具有可编程死区时间的半桥驱动器。并提供其他重要的保护功能，例如用于栅极驱动器和使能功能的独立欠压锁定。
图示3-大联大世平基于onsemi sic模块的5kw工业电源方案的方块图
得益于onsemi sic模块和栅极驱动器的完美配合，本方案可提供出色的开关性能和增强的散热性能，并且能够在实现更高能效和功率密度的同时，降低系统体积和重量。
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更低的开关损耗：基于材料特性具备较低反向恢复时间，可快速关断sic mosfet的导通电流，且由于低栅极启动电荷和低反向恢复时间，所以能快速开启sic mosfet。
更低的传导损耗：基于低导通电压可改善igbt导通前的状态，配合较低的内阻温度漂移系数可在较高的功率或温度环境下工作，不会因太大的内阻变化而造成过多功率损耗。
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10倍介电击穿场强度；
2倍电子饱和/移动速度；
3倍能隙；
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