256Mb ST-DDR3自旋转移扭矩MRAM的详细介绍
everspin公司型号emd3d256m08/16b 256mb ddr3自旋转移扭矩mram（stt-mram）是非易失性存储器，在ddr3速度下具有非挥发性和高耐久性。该设备能够以高达1333mt /秒/引脚的速率进行ddr3操作。它的设计符合所有ddr3 dram功能，包括设备端接（odt）和内部zq校准，但具有数据持久性和极高的写周期耐久性的优点。借助spin-torque mram技术，不需要刷新单元，从而大大简化了系统设计并减少了开销。
所有控制和地址输入均与一对外部提供的差分时钟同步，输入锁存在时钟交叉点。 i / o与一对双向选通脉冲（dqs，dqs）同步。该器件使用ras / cas多路复用方案，并在1.5v下工作。
特征：
•非易失性256mb（32mb x 8，16mb x 16）ddr3
•高达667mhz fck（1333mt /秒/针）
•页面大小为512位（x8）或1024位（x16）
•片上dll将dq，dqs，dqs转换与ck转换对齐
•所有地址和控制输入均在时钟的上升沿锁存
•突发长度为8，可编程突发斩波长度为4
•标准10x13mm 78球（x8）或96球（x16）bga封装
ddr3 dram兼容性
everspin ddr3自旋扭矩mram与jedec标准jesd79-3f中定义的dram操作的ddr3标准完全兼容。
•自旋扭矩mram是非易失性存储器。无论何时出于任何原因断开设备电源，已关闭/预充电存储区中的所有数据都将保留在内存中。
•在某些情况下，命令时间会有所不同。
•ddr3标准适用于高于256mb的密度，从而导致寻址和页面大小差异。
•突发类型/突发顺序仅支持ca 《2：0 = 000或100的连续突发类型。请参见第30页的“突发长度，类型和顺序”。
基本功能
ddr3 stt-mram是内部配置为八存储区ram的高速自旋扭矩磁阻随机存取存储器。它使用8n预取架构来实现高速操作。8n预取架构与旨在在i/o引脚的每个时钟周期传输两个数据字的接口相结合。ddr3 mram的单个读或写操作包括内部stt-mram内核的单个8n位宽，四个时钟数据传输以及i/o引脚上的两个相应的n位宽，半时钟周期数据传输。
对ddr3 stt-mram的读和写操作是面向突发的，从选定的位置开始，并按照编程的顺序继续进行八次突发长度或四次“斩波”突发。操作从激活活动命令的注册开始，然后是read或write命令。与激活命令一致注册的地址位用于选择要激活的存储体和行（［ba0：ba2］选择存储体； a0-a13选择行）；有关特定要求，与read或write命令一致的已注册地址位用于选择突发操作的起始列位置，确定是否要发出自动预充电命令（通过a10），并“即时”选择bc4或bl8模式。 （通过a12）（如果在模式寄存器中启用）。在正常操作之前，必须以预定义的方式上电并初始化ddr3 stt-mram。
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•片上dll将dq，dqs，dqs转换与ck转换对齐
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•标准10x13mm 78球（x8）或96球（x16）bga封装
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•自旋扭矩mram是非易失性存储器。无论何时出于任何原因断开设备电源，已关闭/预充电存储区中的所有数据都将保留在内存中。
•在某些情况下，命令时间会有所不同。
•ddr3标准适用于高于256mb的密度，从而导致寻址和页面大小差异。
•突发类型/突发顺序仅支持ca 《2：0 = 000或100的连续突发类型。请参见第30页的“突发长度，类型和顺序”。
基本功能
ddr3 stt-mram是内部配置为八存储区ram的高速自旋扭矩磁阻随机存取存储器。它使用8n预取架构来实现高速操作。8n预取架构与旨在在i/o引脚的每个时钟周期传输两个数据字的接口相结合。ddr3 mram的单个读或写操作包括内部stt-mram内核的单个8n位宽，四个时钟数据传输以及i/o引脚上的两个相应的n位宽，半时钟周期数据传输。
对ddr3 stt-mram的读和写操作是面向突发的，从选定的位置开始，并按照编程的顺序继续进行八次突发长度或四次“斩波”突发。操作从激活活动命令的注册开始，然后是read或write命令。与激活命令一致注册的地址位用于选择要激活的存储体和行（［ba0：ba2］选择存储体； a0-a13选择行）；有关特定要求，与read或write命令一致的已注册地址位用于选择突发操作的起始列位置，确定是否要发出自动预充电命令（通过a10），并“即时”选择bc4或bl8模式。 （通过a12）（如果在模式寄存器中启用）。在正常操作之前，必须以预定义的方式上电并初始化ddr3 stt-mram。
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