LED三维封装原理及芯片优化
为了使led通向照明，各大厂急需解决的问题是降低成本，增加光通量。其中有效的方式是在不增加成本的情况下，如何注入大电流。本封装适合于垂直结构led，工艺上取消原来的led芯片n--面ito电极，取代的是涂布型透明电极工艺结合pet薄膜形成无金线的封装模式。
具体步骤如图b，led垂直结构芯片(2)p--面焊接与基板(1)正电极，导电基材cu(3)焊接与基板(1)负电极，led芯片与基材cu的高度基本一致，涂布型透明导电材料(4)涂布于pet薄膜(5)，涂布型透明导电材料(4)连接led芯片(2)n--面与导电基材cu(3) 顶部。形成三维薄膜封装。
led芯片结构优化如图a，芯片n--面无需制作电极，无需电流扩散，无需焊盘。取代原有ito电极将是涂布型透明电极。
三维封装优势;1)芯片n--面的电流注入与p--面基本相似，形成等电位电流。可以注入大电流。2)电极形式优于梳状电极可以加大芯片尺寸，提高光效。3)增加光通量，降低成本。4)薄膜封装实现轻薄化。5)无金线封装增加器件稳定性。6)便于模块化生产。
芯片层面;1)取消电极删，减少遮光。2)无电极制作，减化工艺。
注;涂布型透明电极是替代ito的一种趋势。现有涂布型材料透光率80%以上;包括1)涂布型ito导电颗粒，2)高分子导电材料，3)纳米银导电颗粒，4)ag丝墨。其中电阻最低的是ag丝。方阻0.1-----0.2欧姆。优于ito方阻7----8欧姆。
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注;涂布型透明电极是替代ito的一种趋势。现有涂布型材料透光率80%以上;包括1)涂布型ito导电颗粒，2)高分子导电材料，3)纳米银导电颗粒，4)ag丝墨。其中电阻最低的是ag丝。方阻0.1-----0.2欧姆。优于ito方阻7----8欧姆。
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