1nm晶体管诞生 计算技术界迎来重大突破
据外媒报道，今天，沉寂已久的计算技术界迎来了一个大新闻。劳伦斯伯克利国家实验室的一个团队打破了物理极限，将现有最精尖的晶体管制程从14nm缩减到了1nm。晶体管的制程大小一直是计算技术进步的硬指标。晶体管越小，同样体积的芯片上就能集成更多，这样一来处理器的性能和功耗都能会获得巨大进步。
多年以来，技术的发展都在遵循摩尔定律，即当价格不变时，集成电路上可容纳的元器件的数目，约每隔18-24个月便会增加一倍，性能也将提升一倍。换言之，每一美元所能买到的电脑性能，将每隔18-24个月翻一倍以上。眼下，我们使用的主流芯片制程为14nm，而明年，整个业界就将开始向10nm制程发展。
不过放眼未来，摩尔定律开始有些失灵了，因为从芯片的制造来看，7nm就是物理极限。一旦晶体管大小低于这一数字，它们在物理形态上就会非常集中，以至于产生量子隧穿效应，为芯片制造带来巨大挑战。因此，业界普遍认为，想解决这一问题就必须突破现有的逻辑门电路设计，让电子能持续在各个逻辑门之间穿梭。
此前，英特尔等芯片巨头表示它们将寻找能替代硅的新原料来制作7nm晶体管，现在劳伦斯伯克利国家实验室走在了前面，它们的1nm晶体管由纳米碳管和二硫化钼（mos2）制作而成。mos2将担起原本半导体的职责，而纳米碳管则负责控制逻辑门中电子的流向。
眼下，这一研究还停留在初级阶段，毕竟在14nm的制程下，一个模具上就有超过10亿个晶体管，而要将晶体管缩小到1nm，大规模量产的困难有些过于巨大。
不过，这一研究依然具有非常重要的指导意义，新材料的发现未来将大大提升电脑的计算能力。
据白宫官网报道，美国东部时间22日，2015年美国最高科技奖获奖名单公布，包括9名国家科学奖获得者（national medal of science）和8名国家技术和创新奖（national medal of technology and innovation）获得者。其中美籍华人科学家胡正明荣获年度国家技术和创新奖。
胡正明教授是鳍式场效晶体管（finfet）的发明者，如今三星、台积电能做到14nm/16nm都依赖这项技术。他1947年出生于北京豆芽菜胡同，在***长大，后来考入加州大学伯克利分校。
在华为海思麒麟950的发布会上，胡正明教授曾现身vcr，据他介绍，finfet的两个突破，一是把晶体做薄后解决了漏电问题，二是向上发展，晶片内构从水平变成垂直。
胡认为，finfet的真正影响是打破了原来英特尔对全世界宣布的将来半导体的限制，这项技术现在仍看不到极限。
2010年后，bulk cmos工艺技术在20nm走到尽头，胡教授的finfet和fd-soi工艺发明得以使摩尔定律在今天延续传奇。
轮毂电机的结构、控制技术及应用前景
基于博流BL606P音视频开发板的CAN扩展模块收发测试
中国移动正式公布2019年至2020年基站天线集采中标结果
用NanDigits GOF来做DFT DRC检查的介绍和举例
一文看懂硬件环境和软件环境是什么
1nm晶体管诞生 计算技术界迎来重大突破
可穿戴设备掀热潮 巨头觊觎健康大数据
芯原计划建立开放创新安全的AI生态系统
如何学习C语言，C语言的知识框架
2019年Q3全球TWS耳机市场出货量3300万台 环比增长22%
什么是5G技术？这篇文章讲得很详细
请问PFS122B是如何利用内部参考电压反推VDD的？
ZiKKO(即刻)AK2800移动电池携带方便仅售450元
什么是超级电容器？超级电容有什么特殊的性能？
诺基亚6真机上手评测：低配高价，你怎么看？
苹果ios 16将新增交互方式，不支持3GB运行内存以下的机型
光电开关传感器如何接线_光电开关传感器三线直流接线图
简易空袭警报器制作教程
台端深知卡类连接器的市场展望偏弱力，开始推出新品力求转型
功率放大器在高校机械学院研究中的具体应用方向
多年以来，技术的发展都在遵循摩尔定律，即当价格不变时，集成电路上可容纳的元器件的数目，约每隔18-24个月便会增加一倍，性能也将提升一倍。换言之，每一美元所能买到的电脑性能，将每隔18-24个月翻一倍以上。眼下，我们使用的主流芯片制程为14nm，而明年，整个业界就将开始向10nm制程发展。
不过放眼未来，摩尔定律开始有些失灵了，因为从芯片的制造来看，7nm就是物理极限。一旦晶体管大小低于这一数字，它们在物理形态上就会非常集中，以至于产生量子隧穿效应，为芯片制造带来巨大挑战。因此，业界普遍认为，想解决这一问题就必须突破现有的逻辑门电路设计，让电子能持续在各个逻辑门之间穿梭。
此前，英特尔等芯片巨头表示它们将寻找能替代硅的新原料来制作7nm晶体管，现在劳伦斯伯克利国家实验室走在了前面，它们的1nm晶体管由纳米碳管和二硫化钼（mos2）制作而成。mos2将担起原本半导体的职责，而纳米碳管则负责控制逻辑门中电子的流向。
眼下，这一研究还停留在初级阶段，毕竟在14nm的制程下，一个模具上就有超过10亿个晶体管，而要将晶体管缩小到1nm，大规模量产的困难有些过于巨大。
不过，这一研究依然具有非常重要的指导意义，新材料的发现未来将大大提升电脑的计算能力。
据白宫官网报道，美国东部时间22日，2015年美国最高科技奖获奖名单公布，包括9名国家科学奖获得者（national medal of science）和8名国家技术和创新奖（national medal of technology and innovation）获得者。其中美籍华人科学家胡正明荣获年度国家技术和创新奖。
胡正明教授是鳍式场效晶体管（finfet）的发明者，如今三星、台积电能做到14nm/16nm都依赖这项技术。他1947年出生于北京豆芽菜胡同，在***长大，后来考入加州大学伯克利分校。
在华为海思麒麟950的发布会上，胡正明教授曾现身vcr，据他介绍，finfet的两个突破，一是把晶体做薄后解决了漏电问题，二是向上发展，晶片内构从水平变成垂直。
胡认为，finfet的真正影响是打破了原来英特尔对全世界宣布的将来半导体的限制，这项技术现在仍看不到极限。
2010年后，bulk cmos工艺技术在20nm走到尽头，胡教授的finfet和fd-soi工艺发明得以使摩尔定律在今天延续传奇。
轮毂电机的结构、控制技术及应用前景
基于博流BL606P音视频开发板的CAN扩展模块收发测试
中国移动正式公布2019年至2020年基站天线集采中标结果
用NanDigits GOF来做DFT DRC检查的介绍和举例
一文看懂硬件环境和软件环境是什么
1nm晶体管诞生 计算技术界迎来重大突破
可穿戴设备掀热潮 巨头觊觎健康大数据
芯原计划建立开放创新安全的AI生态系统
如何学习C语言，C语言的知识框架
2019年Q3全球TWS耳机市场出货量3300万台 环比增长22%
什么是5G技术？这篇文章讲得很详细
请问PFS122B是如何利用内部参考电压反推VDD的？
ZiKKO(即刻)AK2800移动电池携带方便仅售450元
什么是超级电容器？超级电容有什么特殊的性能？
诺基亚6真机上手评测：低配高价，你怎么看？
苹果ios 16将新增交互方式，不支持3GB运行内存以下的机型
光电开关传感器如何接线_光电开关传感器三线直流接线图
简易空袭警报器制作教程
台端深知卡类连接器的市场展望偏弱力，开始推出新品力求转型
功率放大器在高校机械学院研究中的具体应用方向