NP30P10G(100V P沟道增强模式MOSFE)

1.描述
np30p10g采用先进的沟槽技术并设计为提供出色的rds(on)
2.一般特征
* 带低门
* 冲锋。它可以用于广泛的应用。
vds=-100v id
r=-30a
ds(on)(典型值)=36 mω@vgs
r=-10v
ds(on)(典型值)=40 mω@vgs
* 高功率和电流处理能力
=-4.5v
* 获得无铅产品
* 表面贴装封装
3.应用程序
* 负荷开关
4.包装
 to-252-2l
5.示意图


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