一起来学5G终端射频标准(In-band emissions-1)

英利检测:发射机调制质量我们已经学习了evm和载波泄漏,今天继续学习带内发射:in-band emissions,简称ibe。
01

in-band emissions为什么又是调制性能
带有emission的测量项,有这样几种叫法:
out of band emission,带外发射; unwanted emission,无用发射; spurious emission,杂散发射。
与ibe不同,这些emission都是发生在带外的,被归类为输出频谱的性能,我们后面还会具体学习这些emission的区别。那么ibe也是一种emission,顾名思义它发生在带内。
首先,我们来搞清楚in-band emissions是如何发生的,如下图所示,在4g或5g的ofdm调制中,由于终端并不一定时时占满整个带宽的rb资源,事实上某个终端也总是不可能占满整个rb资源的,可能只占用整个带宽的极少一部分。所以被分配使用的rb(active)一旦发出了功率,就会相应的在未分配rb上产生杂波干扰信号,同时也会产生在载波处的泄漏(leakage)干扰信号,以及在镜像频率处的镜像干扰(image)信号。
所以in-band emissions,带内发射,根据发射干扰信号产生的频率位置,总共分为三类:general ,iq image和carrier leakage,如下图所示:
ibe所包含的三个类型的测试项:
carrier leakage:是在载波附近的ibe; iq image:是在分配的rb的另一侧相对于载波对称的ibe; general:适用于所有未分配的rb。
那为什么要进行ibe的测试?如果这三种干扰信号泄漏出来,首先载波泄漏的影响,我们在上一篇中已经讨论过了,另外两种干扰,一定会造成其他终端用户(这里其他用户指刚好使用了这些被干扰的rb的ue)的底噪抬升或信噪比的下降,也就是evm的恶化。
上一篇,我们分析了载波泄漏为什么是调制性能的测试项,而对于in-band emissions,当终端发射机在带内出现了上述一系列的杂波信号后,也同样导致了调制性能的恶化,所以需要进行测量。从范畴上来说,ibe的影响,比载波泄漏更加宽泛。
02

ibe的测量要求
ibe的测量分为pusch和pucch。
pusch的测试配置如下:
频率:低中高; 带宽:低中高; scs:最低; 上行调制:dft-s-ofdm qpsk,cp-ofdm qpsk; 上行rb分配:inner_1rb_left,inner_1rb_right;
pucch的测试配置如下:
频率:低中高; 带宽:低中高; scs:最低; 下行调制:cp-ofdm qpsk; 下行rb分配:full rb; pucch配置:format 3 and format 1,length in ofdm symbols = 14; 上行rb分配:0,nrb-1;
ibe的测量要求如下表6.4.2.3.5-1:
表格中出现了三种ibe的测量要求,其中general的ibe要求中出现了很多符号,我们来解释一下,有些是复习哈:
nrb:是给定信道带宽和子载波间隔的最大rb数量(transmission bandwidth configuration);lcrb:是分配的rb数量(transmission bandwidth);这两个参数的定义我们以前学习过,参考下图就知道为什么叫做transmission bandwidth configuration 和 transmission bandwidth了:
evm:这里出现的evm是表6.4.2.1.3-1中规定的分配rb使用的调制格式的限值。例如qpsk的限值是17.5%,参考一起来学5g终端射频标准(evm究竟如何算)。这里在general ibe的测试要求公式中取了对数单位,20log(17.5%)=-15.14 db;:是分配的rb和测量的未分配rb之间的起始频率偏移(例如,=-1 或 1,表示被分配rb带宽外的第一个左右相邻rb);:是以分配的rb数量进行归一化的10个子帧的平均发射功率,单位为dbm;tt:test tolerance为0.8db。 所以general的限值要求不是固定的,而是根据配置和功率等计算得出的。
上图是sp9500对ibe的实测结果举例,具体测试的结果是如何计算的,我们下次继续。
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