使用电容器降低MCU的电源噪声
stm32是广泛应用的mcu，涵盖cortex-m0、m3、m4和m7内核，共有1236多个系列，包含stm32主流mcu、stm32高性能mcu、stm32超低功耗mcu、stm32无线mcu、stm32 arm cortex mpus等门类。
stm32 mcu内置高级12位adc(取决于器件)，提供自校准功能。在涉及模数转换的应用中，adc精度会影响整体的系统质量和效率。而adc精度不仅取决于adc性能和功能，还取决于adc周围的整体应用设计，例如电源噪声，这些恰恰可以能通过电容器过滤掉。
在电源线和地线之间，建议连接具有优良高频特性的电容。也就是说，应在靠近电源的位置安装一个0.1μf和一个1至10μf的电容，这些电容允许ac信号通过它们。
就噪声而言，ldo的输出质量更佳。电源必须经过降压、整流和滤波，然后馈送到ldo。强烈建议将滤波电容连接到整流器输出。如果使用开关式电源，建议使用ldo供应模拟级。
小值电容过滤高频噪声，高值电容过滤低频噪声。陶瓷电容通常为小值电容(1pf至0.1μf)，并具有较小的额定电压(16v至50v)。建议将它们安装在靠近电源(vdd和vss)和模拟供电(vdda和vssa)引脚的位置。它们将过滤pcb走线产生的噪声。小电容可快速响应电流浪涌并快速放电，满足快速电流要求。
钽电容还可以与陶瓷电容一起使用。要过滤低频噪声，可以使用高值电容(10μf至100μf)，通常为电解电容。建议将它们安装在电源附近。
要过滤高频噪声，可使用与电源串联的铁氧体电感器。由于线圈的串行电阻极低，此解决方案导致的dc损失极低(可忽略不计)，除非电流很大。但是，高频时的阻抗较高。
在大多数stm32微控制器中，vdd和vss引脚的安装位置很接近。因此是vref+和vssa引脚。因此，可以在非常近的位置通过极短的引线将电容连接到微控制器。对于多个vdd和vss引脚，应使用单独的去耦电容。
vdda引脚必须连接到两个外部去耦电容(10nf陶瓷电容+1μf钽电容或陶瓷电容)。
100/144引脚封装stm32的电源和参考去耦
对于100/144引脚封装中提供的stm32微控制器，可通过在vref+上连接单独的外部adc参考电压输入来改善低压输入的精度。vref+上的电压范围可以是2.4v至vdda。若在vref+上施加单独的外部参考电压，则必须将一个10nf和一个1μf电容连接到此引脚。
36/48/64引脚封装stm32的电源和参考去耦
任何情况下，vref+都必须介于2.4v和vdda之间。如果使用外部参考电压源(vref+引脚上)，还必须考虑该外部参考源的三个参考电压规格：温度漂移、电压噪声和长期稳定性。
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vdda引脚必须连接到两个外部去耦电容(10nf陶瓷电容+1μf钽电容或陶瓷电容)。
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对于100/144引脚封装中提供的stm32微控制器，可通过在vref+上连接单独的外部adc参考电压输入来改善低压输入的精度。vref+上的电压范围可以是2.4v至vdda。若在vref+上施加单独的外部参考电压，则必须将一个10nf和一个1μf电容连接到此引脚。
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任何情况下，vref+都必须介于2.4v和vdda之间。如果使用外部参考电压源(vref+引脚上)，还必须考虑该外部参考源的三个参考电压规格：温度漂移、电压噪声和长期稳定性。
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