ReRAM与NRAM将成全球存储市场两大黑马
在存储器的竞争格局中，除了fram，不得不提的另外两个产品是reram和nram。简略地讲，fram 用于数据记录；reram可替代大容量eeprom；nram 用于数据记录和电码储存，还可替代nor flash。
今天，小编就为大家讲讲身怀绝技的 reram 和 nram。
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小型化是趋势，论reram的进化路线
reram：可变电阻式随机存取存储器，是一种非易失性存储器，通过向金属氧化物薄膜施加脉冲电压，产生大的电阻差值来存储“0”和“1”。
其结构非常简单，两侧电极将金属氧化物包夹于中间，这简化了制造工艺，同时可实现低功耗和高速重写等卓越性能。此存储器具备行业最低读取电流,非常适用于可穿戴设备和助听器。
富士通的 reram产品易于写入操作，在写入操作之前，不需要擦除操作，并且拥有丰富的中密度存储线，涵盖4mbit、8mbit、32mbit。同时，5mhz 的读出操作最大电流仅为0.5ma，远远低于同样条件的 eeprom (3ma@5mhz)。
可穿戴设备和小型医疗设备一直是 reram 的主要市场，为了使用可穿戴和医疗设备小型化和低功耗的要求，富士通的 reram 的产品也将向小型化方向发展。
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速度比普通内存快1000倍，富士通押宝nram
bcc research预计，全球nram市场将从2018年到2023年实现62.5%的复合年成长率(cagr)，其中嵌入式系统市场预计将在2018年达到470万美元，到了2023年将成长至2.176亿美元，cagr高达115.3% 。
作为一个比较“新”的产品，nram之所以能很快引起市场的注意，与nram独有的优势分不开——nram读写的速度比较快，读写耐久性比nor flash高于1000倍。具有高可靠性，一般80度可以存储数据达到1000年，300度时可达10年。同时还具有低功耗的特点。
目前，富士通与 nantero达成协议，使用三重富士通的 300mm 晶圆，共同开发 55nm cmos 技术的 nram。
高性能的 nram 在众多应用领域拥有明显的竞争优势：
可应用于任何系统：nram 不但是非易失性存储器，又具有与 dram 同等的高速操作。
可实现 instant on（即开即用）功能，降低功耗的同时提高了系统的性能。
适应于高温环境动作的逐渐增长的市场需求。
最后一张图了解富士通 nram的目标应用~
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可应用于任何系统：nram 不但是非易失性存储器，又具有与 dram 同等的高速操作。
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