中科院宣布2nm芯片技术已成功“破冰”
（文章来源：数码小ai）
众所周知，台积电目前最先进的是7nm+euv工艺制程，也是目前全球最领先的芯片制造技术，新款的麒麟990 5g芯片就是源自台积电的技术，指甲盖大小的芯片里面内置超100亿个晶体管，华为首次将5g modem集成到soc上，也是全球首款集成5g soc，技术上的确实现了巨大突破，也是国产芯片里程碑式的意义。而过去三十年时间里面，中国科技不断发展壮大，可始终无法在芯片领域真正超越美国，核心技术还是被美企垄断，好在我们正在努力缩小差距，这些年也是诞生了很多出色的芯片公司，这时候中科院传来“好消息”，实现技术突破，国芯未来可期！
纵观目前全球芯片市场占比来看，pc电脑几乎是被amd和intel垄断了，系统方面也是极度依赖微软和谷歌，可从去年中兴事件开始，国产科技巨头已经开始大力发展自主芯片产业，在ai芯片、电视机、手机芯片领域实现了巨大突破，尤其是华为海思芯片的正式崛起，也是逐渐打破美国技术垄断，这半年来中国也是开始大力扶持芯片企业，国产芯片进入全新阶段，更是出现了阿里含光800等顶级ai芯片，华为也是开始大力推进鸿蒙系统开发，国产芯片系统进入全新阶段，未来有望打破美国垄断地位！
而继华为之后，中科院突然宣布，2nm芯片技术“破冰”，国芯未来可期！大家都知道，芯片集成度越高意味着制造难度越大，台积电拥有最先进的光刻机，可以实现7nm代工，而前段时间传出中芯国际正在采购荷兰光刻机，可目前技术方面还是被西方国家垄断，先进的芯片制程技术还是被intel、台积电和三星垄断，好在中国不断突破，中科院最新研究结果表明，已经实现了世界上首个具有自对准栅极的叠层垂直纳米环栅晶体管，研究成果已经在权威杂志《ieee electron device letters》发表，并且获得多项中、美发明专利授权！
对准栅极的叠层垂直纳米环栅晶体管到底是什么，对于芯片到底有什么推进意义呢？太专业的术语这里就不展开讲了，主要还是用于提升芯片性能和可制造性的技术，在这之前，intel首发22nm finfet工艺，后来全区开始有了22/16/14nmfinfet鳍式晶体管，如今已经进入最低3nm，三星对外宣布用3nm节点改用gaa环绕栅极晶体管，而中科院的这项研究成果意义很大，这种新型垂直纳米环栅晶体管被视为2nm及以下工艺的主要技术候选，可能对国产芯片制造有巨大推动作用，国产芯片技术“破冰”，这绝对是中科院传来“好消息”，国产芯片不断实现技术突破，国芯未来可期，网上消息，华为麒麟1020将可能是一款5nm芯片，性能方面将有大幅提升！
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