IGBT结温估算—（二）IGBT/Diode损耗的计算
（二）igbt/diode损耗的计算
igbt模块损耗包含igbt损耗和diode损耗两部分，具体如下：
①igbt导通损耗
②igbt开通损耗eon
③igbt关断损耗eoff
④diode导通损耗
⑤diode反向恢复损耗err
其中，igbt/diode导通特性可通过相关静态测试设备获得，igbt开关损耗和二极管反向恢复损耗通过双脉冲测试获得。
损耗计算有如下两种方案：
基于瞬时电流的瞬时损耗计算以开关频率的周期间隔，根据瞬态电流，计算每个开关周期内的igbt/diode损耗。
① igbt导通损耗
duty为占空比；i(t)为当前电流；
vce(i(t),tj)为静态测试得到的igbt导通时的管压降，与流过的电流和结温有关
② igbt开关损耗
eon+off(i(t))为igbt的实时开通和关断损耗之和；fsw为开关频率
③ diode导通损耗
vf(i(t),tj)为静态测试得到的二极管导通时的两端电压，与流过的电流和结温有关
④ diode反向恢复损耗err
fsw为开关频率；err(i(t))为diode反向恢复损耗，与流过的电流和结温有关
基于周期性的平均损耗计算以当前电流矢量的幅值，计算其作用一个工频周期的igbt/diode平均损耗
① igbt导通损耗
m ： 调制度；cos：功率因数；ipk：电流矢量的幅值
② igbt开关损耗
③ diode导通损耗
m ： 调制度；cos：功率因数；ipk：电流矢量的幅值
④ diode反向恢复损耗err
err(ipk)：一个工频周期内的平均反向恢复损耗
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② igbt开关损耗
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③ diode导通损耗
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④ diode反向恢复损耗err
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① igbt导通损耗
m ： 调制度；cos：功率因数；ipk：电流矢量的幅值
② igbt开关损耗
③ diode导通损耗
m ： 调制度；cos：功率因数；ipk：电流矢量的幅值
④ diode反向恢复损耗err
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