一季度产能将达17000片晶圆/月。
据业内消息人士称,尽管最近市场传言英伟达已缩减2024年与台积电代工厂的订单,但台积电仍在继续扩大其cowos封装产能。
最近市场传言表明,英伟达在中国大陆的收入已经崩溃,其他市场无法填补中国大陆巨大的需求缺口。此外,接替h100的下一代gpu hgx h200将于第二季度上市,第三季度销量将有所增加。客户对现有h100和新h200芯片的订单正在调整,带来不确定性。
据传言,由于这些不确定性,英伟达首次削减了台积电预期的4nm工艺和cowos产能订单。
晶圆厂设备制造商称,台积电的可用cowos产能仍不足以满足需求。消息人士称,尽管台积电努力加快设备改造,但到2023年底,cowos的月产能仅为15000片晶圆。
消息人士指出,台积电正在修改info(集成扇出型)的部分设备,以支持cowos生产,该设备仍处理大部分先进封装出货。cowos封装的月产能预计将在2024年第一季度达到17000片晶圆。
消息人士称,台积电还为cowos生产分配更多晶圆厂产能,这将导致2024年cowos封装的月产能逐季增加,最终达到26000-28000片晶圆。
cowos封装产能限制ai芯片出货量
英伟达ai gpu的短缺是由于台积电cowos封装的产能不足。
台积电应众多客户要求,于2023年第二季度开始紧急配置产能,新cowos设备的交付时间超过6个月,部分设备从接到订单到生产安装需要长达10个月的时间。尽管如此,广达电脑、纬创资通、超微(supermicro)、技嘉、华硕等公司声称有订单但无法履行,这表明cowos供应缺口仍然存在。
据业内人士透露,台积电大约一半的cowos封装可用产能仍专门用于满足英伟达ai gpu的需求,这表明英伟达对即将于今年晚些时候发布的h200和b100 gpu充满信心。3nm b100系列预计2024年底出货。
英伟达计划在2024年第二季度发布规格较低的定制ai芯片,而高端h100 gpu仍然在全球范围内需求旺盛且缺货。
台积电已承诺在2024年大幅增加cowos封装产能。消息人士称,除了英伟达之外,随着微软和其他客户采用mi300 ai gpu系列,amd也增加了对台积电cowos封装的需求。另外,博通也是预付cowos产能费用的客户。
台积电在举办的 ieee 国际电子器件会议(iedm)的小组研讨会上透露,其 1.4nm 级工艺制程研发已经全面展开。根据 semianalysis 的 dylan patel 给出的幻灯片,台积电的 1.4nm 制程节点正式名称为 a14。
目前台积电尚未透露 a14 的量产时间和具体参数,但考虑到 n2 节点计划于 2025 年底量产,n2p 节点则定于 2026 年底量产,因此 a14 节点预计将在 2027-2028 年问世。
在技术方面,a14 节点不太可能采用垂直堆叠互补场效应晶体管(cfet)技术,不过台积电仍在探索这项技术。因此,a14 可能将像 n2 节点一样,依赖于台积电第二代或第三代环绕栅极场效应晶体管(gaafet)技术。
半导体业内人士认为,台积电目前已经感受到三星和英特尔的压力,而且创始人张忠谋已经将主要担忧从三星转移到英特尔方面。
英特尔近日发布报告,在 powervia 背面供电技术、玻璃基板和用于先进封装的 foveros direct 方面均取得较大成功。
根据 trendforce 集邦咨询 3q23 全球晶圆代工营收 top10 排名,英特尔晶圆代工业务首次进入全球 top10,以业界最快的季度增长位列第九。
2011年,台积电技术专家余振华带来了第一个产品——cowos。
cowos(chip on wafer on substrate)是一种2.5d的整合生产技术,由cow和os组合而来:先将芯片通过chip on wafer(cow)的封装制程连接至硅晶圆,再把cow芯片与基板(substrate)连接,整合成cowos。据悉,这是蒋尚义在2006年提出的构想。
cowos的核心是将不同的芯片堆叠在同一片硅中介层实现多颗芯片互联。在硅中介层中,台积电使用微凸块(μbmps)、硅穿孔(tsv)等技术,代替传统引线键合用于裸片间连接,大大提高了互联密度以及数据传输带宽。
cowos技术实现了提高系统性能、降低功耗、缩小封装尺寸的目标,从而也使台积电在后续的封装技术保持领先。
这也是目前火热的hbm内存、chiplet等主要的封装技术。
据悉,继英伟达10月确定扩大下单后,苹果、amd、博通、marvell等重量级客户近期也对台积电追加cowos订单。台积电为应对上述五大客户需求,加快cowos先进封装产能扩充脚步,明年月产能将比原订倍增目标再增加约20%,达3.5万片——换言之,台积电明年cowos月产能将同比增长120%。
同时,台积电根据不同的互连方式,把“cowos”封装技术分为三种类型:
cowos-s:它使用si中介层,该类型是2011年开发的第一个“cowos”技术,为高性能soc和hbm提供先进的封装技术;
cowos-r:它使用重新布线层(rdl)进行布线,更强调chiplet间的互连。能够降低成本,不过劣势是牺牲了i/o密度;
cowos-l:它使用小芯片(chiplet)和lsi(本地硅互连)进行互连,结合了cowos-s和info技术的优点,具有灵活集成性。
多年来,cowos一直在追求不断增加硅中介层尺寸,以支持封装中的处理器和hbm堆栈。台积电通过长期的技术积累和大量成功案例,目前cowos封装技术已迭代到了第5代。
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