在电子电路中,具有动态特性的器件往往是我们难以理解和掌握的,典型的动态特性器件如电感和电容,往往在电路中电感和电容赋予一定大小等属性, 我们总要问为什么取这个值? 而随着疑问的解决,我们对这类器件会有更加深刻地认识,本次我们还是通过自举电路来认识自举电容的取值依据,我们可以了解到这个电容也不是随便取值,它包含了一个简单的计算原理,而这个原理我们早在初级物理中已经接触到了。
这里我们强调一下动态器件的意义,这就是说只有变化量才能感知这个器件的存在意义,如电感是电流变化(di/dt)而存在的器件,电容则是电压变化(dv/dt)而存在的器件。
再看看自举电路,我们从上篇已经了解了其工作原理,那就是这种电路是专门为驱动半桥中的 浮动管或上管而设置的 ,小功率几瓦到几百瓦的dc-dc应用中极为广泛,这里为什么会强调功率范围呢?其缘由是随着功率的增大,选用的开关管需要的驱动功率急剧增大,自举驱动会显得无能为力了,进而只能采用各自专门的隔离电源去驱动了,这个上篇中已提到过,如下图是buck电路,c1是自举电容。
buck dc-dc电路中的自举电容
buck dc-dc
集成自举电路内部原理,其和外部自举的原理是相同的
自举电容的位置
我们再看看自举电容如何取值?计算依据是什么?很简单的公式,电荷量q、电压u以及电容c的关系:
电容电荷量与电压关系
因为我们知道,驱动消耗的功率在电容上面最终是电荷量的形式,我们驱动的如mosfet,最终在其门极是结电容造成的,而数据手册往往会给出其在一定驱动电压下需要的电荷量q,如下图是某mosfet数据手册中给出的门极总电荷量qg,其值分别是在10v和4.5v下的电荷量qg。
某mosfet门极电荷参数
门极总电荷量测试曲线,可以看出其是门极电压vgs的正相关量,中间平坦区是弥勒电容造成的,其电压被保持,但是电荷量在增加。
mosfet门极驱动电压和门极电荷量的关系
那么,我们计算我们的自举电容就简单了,通过转换一下电容、电荷量和其电压的基本关系就可以得到自举电容c的计算方法
电容和电荷关系式
这里,qg是我们驱动浮动mosfet或高边mosfet的门极总电荷量;△u是电容两端电压的变化量,我们知道这个电压越稳定,意味着驱动电压越稳定,保持一定的驱动电压意味着如mosfet在稳定的饱和区,功率损耗越小。
常规情况下,在电容已经被充电稳定的情况下,保持电容电压的变化或波动量在100mv到300mv是我们能够接受的,这个值也就就是电容电压的纹波大小。假如门极电荷量是10nc(驱动电压是10v的情况下),我们要求驱动过程中,自举电容的电压变化量最大是100mv,那么自举电容则为:
自举电容值计算
实际中,这个电容我们通常要求采用低esr的陶瓷电容,以便提供高质量的驱动能量,而大小则需要取值为计算值的3至5倍,这是因为电容本身会存在一定的偏差,陶瓷电容在直流偏置下容量衰减的比较厉害,即使你只使用它额定电压的50%或更低,尤其是非c0g材质的陶瓷电容。
而我们常用的小功率dc-dc更是会给出一个典型的自举电容,比如100nf或10nf,这个值往往都是大于计算值的,我们采用推荐值,因为这些dc-dc的mosfet内置,多数情况下,我们无法得知这个mosfet的特性,所以采用它们给的推荐值。
自举电容典型的推荐值
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Buck电路中的自举电容如何取值?计算依据是什么?
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