5G时代我们需要什么样的晶圆？
随着5g的快速发展， rf半导体设计者都在挖空心思为5g系统寻找新材料和新设计/架构。
图1：5g系统需要新的半导体材料。 由于5g使用不同的高频频段来实现高速数据传输，因此5g rf前端模块所需要的功率放大器、滤波器、开关、lna和天线调谐器的需求量倍增，速度之快令人措手不及。对于智能手机设计者来说，庞大的零部件数量（其中许多仍是独立部件）很让人头疼，他们必须将所有这些rf模块全部塞到一部5g手机里。 5g智能手机开发商也担心rf器件的质量、散热和能效问题，因为这些都可能降低rf前端模块的性能。 “因此，越来越多的rf芯片设计公司都在寻找新的材料和衬底，以满足5g rf的严格要求。”soitec公司ceo paul boudre先生表示，利用soi技术，可为这些新兴领域提供价格低、性能好、可靠性高的方案。
soitec已经在soi晶圆方面取得了巨大成功，准备进军化合物材料的新世界来扩展其业务。boudre提到，soitec计划为芯片厂商“开发、制造和提供基于soitec工程衬底的新材料”。soitec研发的新材料包括：
压电绝缘体(poi)工程衬底——用于生产高性能表面声波(saw)滤波器组件，主要针对4g和5g新无线电(nr)波段。
硅基氮化镓(gan-on-si)和碳化硅基氮化镓(gan-on-sic)外延片。soitec去年收购了位于比利时的imect子公司epigan，获得了外延片开发和制造技术。通过将epigan融入到公司中，同时购买必要的工具，soitec计划进入需求庞大的5g gan功率放大器市场。
soitec将于今年开始交付碳化硅（sic）晶圆样品，这是基于其smart cut专有技术而开发的。
soitec的smart cut工艺可让soitec工程师指定材料，并从这些材料上生长单晶层，然后将这些生长层从一个衬底转移到另一个衬底。这样就有可能形成晶圆片的活性层，独立于支撑机械基底进行控制管理。 soitec公司ceo paul boudre先生已确认参加2020年11月5日在深圳举办的aspencore第三届“全球ceo峰会”（点击查看峰会介绍与报名），届时将发表主题为《优化衬底赋能边缘计算》的精彩演讲。 aspencore 第三届全球双峰会依然选择在全球包容性最强的深圳举办，邀请全球电子行业话语性最强的领袖人物聚集一堂，与全行业与会嘉宾和观众分享碰撞最热门的技术话题，助力电子行业从业者把握市场未来。
原文标题：5g时代，我们需要什么样的晶圆？--全球ceo峰会精彩看点
文章出处：【微信公众号：fpga开发圈】欢迎添加关注！文章转载请注明出处。
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