本应用笔记解释了如何将max13030e–max13035e逻辑电平转换器用作存储卡电平转换器。示例电路说明了这些器件的优势。
图1所示电路显示了max13030e–max13035e逻辑电平转换器ic如何转换存储卡信号的逻辑电平,同时保护信号免受高达±15kv hbm(人体模型)的esd冲击。例如,max13035e从任何存储卡控制器(例如基带处理器、应用处理器或多媒体处理器)获取1.8v信号,并自动将其转换为3.3v。该设备也可以执行反向过程。该电路可用于sd卡,mmc,transflash(microsd),minisd,memorystick,memorystick pro和类似的存储卡。
图1.用于存储卡的逻辑电平转换器电路。j2 所示的引脚排列用于 sd 卡。
这些器件采用专有架构,无需方向 (dir) 或写/读 (w/r) 引脚来指示数据方向。这种方法有几个好处。首先,max13035e系列器件的封装尺寸在16焊球ucsp中减小到只有2mm×2mm,因为需要的信号更少。其次,基带处理器上原本用于指示信号方向的i/o现在可以自由地用于其他用途。最后,在紧凑的布局中,必须少路由一个信号。
max13035e的专有架构还使用内部电流源,当输入为高阻时,保证总线上的已知状态。这种设计免除了增设外部上拉或下拉电阻的需要。每个通道均可互换,并与高达 50mhz (100mbps) 的 cmos 推挽信号或 200khz (400kbps) 的漏极开路信号兼容。这种灵活性在连接mmc等存储卡时特别有用,其中初始化模式可以在其中一条线路上使用漏极开路信号。
max13035e和max13030e系列器件中的其它器件均在v时关断抄送
图2.max13035e使用clk_ret引脚将时钟信号反馈给主机处理器。
max13015e系列的所有器件均具有高达±15kv (hbm)的扩展esd保护,用于v上的所有i/o线路抄送侧(卡侧)。为保证全面的esd保护,应使用一个1μf陶瓷电容旁路v。抄送.
图1电路还给出了如何使用max3202e为card_detect和write_protect信号提供esd保护。使用此电路时,强烈建议您使用 sd 卡连接器提供的card_detect,而不是 dat3 上的上拉电阻。这是因为max13035e与卡检测的上拉技术不兼容。
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