联发科发布全新5G移动平台 采用7nm工艺制造
5月29日，在今天的台北国际电脑展上，联发科对外发布全新5g移动平台，该款多模 5g系统单芯片（soc）采用7nm工艺制造。
据了解，集成化的全新5g移动平台内置5g调制解调器helio m70，采用节能型封装，该设计优于外挂5g基带芯片的解决方案，能够以更低功耗达成更高的传输速率，为终端手机厂商打造全面的超高速5g解决方案。
helio m70支持lte和5g双连接（en-dc），具有动态功耗分配功能，并支持从 2g 至 5g 各代蜂窝网络。它采用动态带宽切换技术，能为特定应用分配所需的5g带宽，从而将调制解调器电源效能提升50%，延长终端设备的续航时间。
此外，全新5g移动平台还包含arm最新的cortex-a77 cpu、mali-g77 gpu和联发科技独立ai处理单元apu，可充分满足5g的功率与性能要求，提供超快速连接和极致用户体验。该款多模5g移动平台适用于5g独立与非独立（sa / nsa）组网架构sub-6ghz频段，支持从2g到4g各代连接技术，以便现有网络在全球5g逐步完成布署之前仍可接入。
联发科技总经理陈冠州表示，该款芯片的所有功能均面向首批旗舰5g终端设计。据悉，联发科技5g 移动平台将于2019年第三季度向主要客户送样， 首批搭载该移动平台的5g终端最快将在2020年第一季度面市。
使用LX7720的电机驱动器：将LX7720如何集成到电机驱动系统中
89BSD-006BA-B压力传感器水深液位测量
Wi-Fi联盟宣布Wi-Fi 6设备将可使用6GHz频段 并表示Wi-Fi 6E将特别适用于增强现实和虚拟现实
国家电网：共同推动我国电动汽车持续健康发展
成本低、可靠性高和干手时间短的EM78P419N单片机消毒干手机设计
联发科发布全新5G移动平台 采用7nm工艺制造
我国光器件产业还存在哪些问题？有什么建议？
“野蛮人”饱受争议：3GB+32GB+1600万，仅899
电容失效原因分析
浅谈IC类器件的元件模型是如何创建？
2020的物联网有什么机遇可言
ATMEL8051系列单片机选型指南
拉低功耗的3970X性能到底会损失多少
英创信息技术基于英创ARM主板的继电器控制驱动设计介绍
国务院启动265亿节能家电补贴
国产SRAM芯片EMI502NL16VM的特征是怎样的
90平米的房间，路由器选择指南
毫米波雷达与远红外热成像产品介绍
敏芯股份成功入选“国家知识产权优势企业”
新思科技授权芯耀辉运用新思科技12-28纳米工艺技术
据了解，集成化的全新5g移动平台内置5g调制解调器helio m70，采用节能型封装，该设计优于外挂5g基带芯片的解决方案，能够以更低功耗达成更高的传输速率，为终端手机厂商打造全面的超高速5g解决方案。
helio m70支持lte和5g双连接（en-dc），具有动态功耗分配功能，并支持从 2g 至 5g 各代蜂窝网络。它采用动态带宽切换技术，能为特定应用分配所需的5g带宽，从而将调制解调器电源效能提升50%，延长终端设备的续航时间。
此外，全新5g移动平台还包含arm最新的cortex-a77 cpu、mali-g77 gpu和联发科技独立ai处理单元apu，可充分满足5g的功率与性能要求，提供超快速连接和极致用户体验。该款多模5g移动平台适用于5g独立与非独立（sa / nsa）组网架构sub-6ghz频段，支持从2g到4g各代连接技术，以便现有网络在全球5g逐步完成布署之前仍可接入。
联发科技总经理陈冠州表示，该款芯片的所有功能均面向首批旗舰5g终端设计。据悉，联发科技5g 移动平台将于2019年第三季度向主要客户送样， 首批搭载该移动平台的5g终端最快将在2020年第一季度面市。
使用LX7720的电机驱动器：将LX7720如何集成到电机驱动系统中
89BSD-006BA-B压力传感器水深液位测量
Wi-Fi联盟宣布Wi-Fi 6设备将可使用6GHz频段 并表示Wi-Fi 6E将特别适用于增强现实和虚拟现实
国家电网：共同推动我国电动汽车持续健康发展
成本低、可靠性高和干手时间短的EM78P419N单片机消毒干手机设计
联发科发布全新5G移动平台 采用7nm工艺制造
我国光器件产业还存在哪些问题？有什么建议？
“野蛮人”饱受争议：3GB+32GB+1600万，仅899
电容失效原因分析
浅谈IC类器件的元件模型是如何创建？
2020的物联网有什么机遇可言
ATMEL8051系列单片机选型指南
拉低功耗的3970X性能到底会损失多少
英创信息技术基于英创ARM主板的继电器控制驱动设计介绍
国务院启动265亿节能家电补贴
国产SRAM芯片EMI502NL16VM的特征是怎样的
90平米的房间，路由器选择指南
毫米波雷达与远红外热成像产品介绍
敏芯股份成功入选“国家知识产权优势企业”
新思科技授权芯耀辉运用新思科技12-28纳米工艺技术