国产SRAM芯片EMI502NL16VM的特征是怎样的
emi502nl16vm系列由emi先进的全cmos工艺技术制造。这些系列支持工业温度范围和芯片级封装，以使用户灵活地进行系统设计。该系列还支持低数据保持电压，以低数据保持电流实现电池备份操作。此款国产sram芯片可替换issi is61wv12816edbll。emi代理支持提供技术支持及样品测试。
特征：
●工艺技术：全cmos
●位宽：128kx16位
●电源电压：2.3v〜3.6v
●低数据保持电压：1.5v（最小值）
●三态输出和ttl兼容
●标准44tsop2，48bga
●工业操作温度
引脚封装
issi is6164wv12816edbll是一种高速的2，097，152位静态ram，以131，072个字乘16位组织。它是使用issi的高性能cmos技术制造的。这种高度可靠的过程与创新的电路设计技术相结合，可生产出高性能和低功耗的设备。is61wv12816edbll封装在jedec标准的44引脚tsop-ii和48引脚bga中。
特征
cmos待机
•单电源
-vdd2.4v至3.6v（10ns）
-vdd3.3v±10％（8ns）
•完全静态操作：无需时钟或刷新
•三态输出
•高低字节数据控制
•工业和汽车温度支持
•无铅可用
•错误检测和错误纠正
引脚封装
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