低压差稳压器(LDO)电路设计
有几种专门为ldo（低压差）稳压器设计的集成电路芯片。使用标准运算放大器和分立元件构建 ldo 是一种替代方案。这是ldo电路的一种设计：
这里有一些选择组件值的指南：
选择d1是为了获得最佳性能，开关过渡曲线越尖锐越好。有人说5,6v齐纳二极管比其他电压具有更好的稳压能力。但实际上您可以使用低于预期最小输出电压的任何电压。输出电压为vd(r4+r3)/r3，其中vd是齐纳二极管d1的电压。
r1 的选择应确保 d1 的准确电压在输入电源范围变化上的漂移最小。查看 d1 数据表。 r1通常并不重要，可以使用较大的值来节省电流损耗。
r3和r4用于设置预期的输出电压，并且选择尽可能大的值以节省电流损耗，但应远小于运算放大器的输入阻抗。
选择 q1 是为了实现最低的 vce 压降，从而实现最佳性能、更高的增益 (hfe)，并且集电极电流必须能够处理预期的最大负载电流。
如果稳压器需要调节低压源，则 q2 必须具有低压降 vce，但如果输入电源电压较高，则q2 的 vce 压降并不那么重要。
可以选择 r2 以确保 q2 始终“导通”，即使在稳压器空载时也是如此。只需记住，r2 两端的电压与 q1 的 vbe 相同，您可以设置 r2 的值，以将 q2 的电流 ice 设置为 q2 的 ibe/ice 曲线的最佳值。
选择运算放大器 a1 以获得最佳高增益、最高输入阻抗。 a1 最重要的特性是输出摆幅应能够降至 q2 vbe 开启点以下。
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r1 的选择应确保 d1 的准确电压在输入电源范围变化上的漂移最小。查看 d1 数据表。 r1通常并不重要，可以使用较大的值来节省电流损耗。
r3和r4用于设置预期的输出电压，并且选择尽可能大的值以节省电流损耗，但应远小于运算放大器的输入阻抗。
选择 q1 是为了实现最低的 vce 压降，从而实现最佳性能、更高的增益 (hfe)，并且集电极电流必须能够处理预期的最大负载电流。
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可以选择 r2 以确保 q2 始终“导通”，即使在稳压器空载时也是如此。只需记住，r2 两端的电压与 q1 的 vbe 相同，您可以设置 r2 的值，以将 q2 的电流 ice 设置为 q2 的 ibe/ice 曲线的最佳值。
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