ARK(方舟微)的MOSFET产品简介和常见问题解答
ark（方舟微）的mosfet产品简介
ark（方舟微）研发销售的mos产品主要以n沟道-耗尽型mosfet为主（包括具有自主知识产权的高阈值电压（ultravt®）耗尽型mosfet系列产品），以及n沟道-增强型mosfet和p沟道-增强型mosfet。产品耐压等级覆盖0～1700v区间。
ark（方舟微）的mosfet产品大部分都具有栅极esd保护设计，在一定程度上能够有效避免客户在元件贴装过程中或使用过程中因esd而出现的产品失效，具有esd保护设计的mosfet在产品结构示意图上有如下特征：
怎么避免和增强型mosfet混淆？
部分客户在初次接触耗尽型mosfet时，若未先行查看其产品规格书，则可能会按照测试增强型mosfet的方式直接对其进行测试，由于耗尽型mosfet在栅极零偏压时为导通状态，因此会认为器件属于失效产品。
常用的区分方法是：
查阅产品规格书，通过规格书中的介绍和参数定义进行判断。
可直接在g极浮空的情况下，使用万用表对mosfet的d-s导通状态进行测量，若测得mosfet的d-s为导通状态，且所测阻值约为产品规格书中定义的导通电阻值，则表明该mosfet为耗尽型mosfet；若测得mosfet的d-s为开路状态，则表明该mosfet为增强型mosfet。
耗尽型mosfet与jfet的管脚区分
jfet的d、s管脚通常是对称的，即d、s管脚在使用时可以互换；而ark（方舟微）的耗尽型mosfet的d、s管脚不具有对称性，在使用时d、s管脚不能互换。
对于n沟道-耗尽型mosfet，当电流方向为d→s时，电流仅能从沟道流过；当电流方向为s→d时，电流较小时从沟道流过（体二极管未导通），电流较大时，会同时从沟道和体二极管流过；n沟道-耗尽型mosfet关断后只能阻断d→s方向的电压。
耗尽型mosfet与jfet的栅极-源极结构近似吗？
jfet的g-s、g-d之间的结构为pn结，而耗尽型mosfet属于绝缘栅结构，mosfet的栅极与半导体材料之间隔着栅氧化层，因此通常认为mosfet的输入阻抗远大于jfet。另外因为这种结构上的差异，使得jfet在一定条件下，其g-s可以作为二极管使用，而耗尽型mosfet的g-s则无法作为二极管使用。
实际上mosfet的输入阻抗还和芯片本身的结构及芯片大小相关，ark（方舟微）研发的mosfet大多具有esd保护设计，在mosfet的g-s间并联有esd保护二极管，因此我们会在其产品规格书中看到部分mosfet的igss漏电流可能会达到微安级。
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常用的区分方法是：
查阅产品规格书，通过规格书中的介绍和参数定义进行判断。
可直接在g极浮空的情况下，使用万用表对mosfet的d-s导通状态进行测量，若测得mosfet的d-s为导通状态，且所测阻值约为产品规格书中定义的导通电阻值，则表明该mosfet为耗尽型mosfet；若测得mosfet的d-s为开路状态，则表明该mosfet为增强型mosfet。
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jfet的d、s管脚通常是对称的，即d、s管脚在使用时可以互换；而ark（方舟微）的耗尽型mosfet的d、s管脚不具有对称性，在使用时d、s管脚不能互换。
对于n沟道-耗尽型mosfet，当电流方向为d→s时，电流仅能从沟道流过；当电流方向为s→d时，电流较小时从沟道流过（体二极管未导通），电流较大时，会同时从沟道和体二极管流过；n沟道-耗尽型mosfet关断后只能阻断d→s方向的电压。
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实际上mosfet的输入阻抗还和芯片本身的结构及芯片大小相关，ark（方舟微）研发的mosfet大多具有esd保护设计，在mosfet的g-s间并联有esd保护二极管，因此我们会在其产品规格书中看到部分mosfet的igss漏电流可能会达到微安级。
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