pcb设计如何用下小电流控制大电流
使用继电器或者igbt
y以上电路就是使用pwm控制igbt快速开关实现控制大电流的例子。
igbt是以gtr为主导元件，mosfet为驱动元件的达林顿结构的复合器件。其外部有三个电极，分别为g-栅极，c-集电极，e-发射极。
在igbt使用过程中，可以通过控制其集-射极电压uce和栅-射极电压uge的大小，从而实现对igbt导通/关断/阻断状态的控制。
1）当igbt栅-射极加上加0或负电压时，mosfet内沟道消失，igbt呈关断状态。
2）当集-射极电压uce＜0时，j3的pn结处于反偏，igbt呈反向阻断状态。
3）当集-射极电压uce＞0时，分两种情况：
②若栅-射极电压uge＜uth，沟道不能形成，igbt呈正向阻断状态。
②若栅-射极电压uge＞uth ，栅极沟道形成，igbt呈导通状态（正常工作）。此时，空穴从p+区注入到n基区进行电导调制，减少n基区电阻rn的值，使igbt通态压降降低。
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