开关电源设计过程流程介绍
开关电源设计过程流程介绍
1 目的
希望以简短的篇幅,将公司目前设计的流程做介绍,若有介绍不当之处,请不吝指教.
2 设计步骤:
2.1 绘线路图、pcb layout.
2.2 变压器计算.
2.3 零件选用.
2.4 设计验证.
3 设计流程介绍(以da-14b33为例):
3.1 线路图、pcb layout请参考资识库中说明.
3.2 变压器计算:
变压器是整个电源供应器的重要核心,所以变压器的计算及验证是很重要的,以下即就da-14b33变压器做介绍.
3.2.1 决定变压器的材质及尺寸:
依据变压器计算公式
b(max) = 铁心饱合的磁通密度(gauss)
lp = 一次侧电感值(uh)
ip = 一次侧峰值电流(a)
np = 一次侧(主线圈)圈数
ae = 铁心截面积(cm2)
b(max) 依铁心的材质及本身的温度来决定,以tdk ferrite core pc40为例,100℃时的b(max)为3900 gauss,设计时应考虑零件误差,所以一般取3000~3500 gauss之间,若所设计的power为adapter(有外壳)则应取3000 gauss左右,以避免铁心因高温而饱合,一般而言铁心的尺寸越大,ae越高,所以可以做较大瓦数的power.
3.2.2 决定一次侧滤波电容:
滤波电容的决定,可以决定电容器上的vin(min),滤波电容越大,vin(win)越高,可以做较大瓦数的power,但相对价格亦较高.
3.2.3 决定变压器线径及线数:
当变压器决定后,变压器的bobbin即可决定,依据bobbin的槽宽,可决定变压器的线径及线数,亦可计算出线径的电流密度,电流密度一般以6a/mm2为参考,电流密度对变压器的设计而言,只能当做参考值,最终应以温升记录为准.
3.2.4 决定duty cycle (工作周期):
由以下公式可决定duty cycle ,duty cycle的设计一般以50%为基准,duty cycle若超过50%易导致振荡的发生.
ns = 二次侧圈数
np = 一次侧圈数
vo = 输出电压
vd= 二极管顺向电压
vin(min) = 滤波电容上的谷点电压
d = 工作周期(duty cycle)
3.2.5 决定ip值:
ip = 一次侧峰值电流
iav = 一次侧平均电流
pout = 输出瓦数
效率
pwm震荡频率
3.2.6 决定辅助电源的圈数:
依据变压器的圈比关系,可决定辅助电源的圈数及电压.
3.2.7 决定mosfet及二次侧二极管的stress(应力):
依据变压器的圈比关系,可以初步计算出变压器的应力(stress)是否符合选用零件的规格,计算时以输入电压264v(电容器上为380v)为基准.
3.2.8 其它:
若输出电压为5v以下,且必须使用tl431而非tl432时,须考虑多一组绕组提供photo coupler及tl431使用.
3.2.9 将所得资料代入 公式中,如此可得出b(max),若b(max)值太高或太低则参数必须重新调整.
3.2.10 da-14b33变压器计算:
输出瓦数13.2w(3.3v/4a),core = ei-28,可绕面积(槽宽)=10mm,margin tape = 2.8mm(每边),剩余可绕面积=4.4mm.
假设ft = 45 khz ,vin(min)=90v, =0.7,p.f.=0.5(cosθ),lp=1600 uh
计算式:
变压器材质及尺寸:
由以上假设可知材质为pc-40,尺寸=ei-28,ae=0.86cm2,可绕面积(槽宽)=10mm,因margin tape使用2.8mm,所以剩余可绕面积为4.4mm.
假设滤波电容使用47uf/400v,vin(min)暂定90v.
决定变压器的线径及线数:
假设np使用0.32ψ的线
电流密度=
可绕圈数=
假设secondary使用0.35ψ的线
电流密度=
假设使用4p,则
电流密度=
可绕圈数=
决定duty cycle:
假设np=44t,ns=2t,vd=0.5(使用schottky diode)
决定ip值:
决定辅助电源的圈数:
假设辅助电源=12v
na1=6.3圈
假设使用0.23ψ的线
可绕圈数=
若na1=6tx2p,则辅助电源=11.4v
决定mosfet及二次侧二极管的stress(应力):
mosfet(q1) =最高输入电压(380v)+ =
=463.6v
diode(d5)=输出电压(vo)+ x最高输入电压(380v)
=
=20.57v
diode(d4)=
= =41.4v
其它:
因为输出为3.3v,而tl431的vref值为2.5v,若再加上photo coupler上的压降约1.2v,将使得输出电压无法推动photo coupler及tl431,所以必须另外增加一组线圈提供回授路径所需的电压.
假设na2 = 4t使用0.35ψ线,则
可绕圈数= ,所以可将na2定为4tx2p
变压器的接线图:
3.3 零件选用:
零件位置(标注)请参考线路图: (da-14b33 schematic)
3.3.1 fs1:
由变压器计算得到iin值,以此iin值(0.42a)可知使用公司共享料2a/250v,设计时亦须考虑pin(max)时的iin是否会超过保险丝的额定值.
3.3.2 tr1(热敏电阻):
电源启动的瞬间,由于c1(一次侧滤波电容)短路,导致iin电流很大,虽然时间很短暂,但亦可能对power产生伤害,所以必须在滤波电容之前加装一个热敏电阻,以限制开机瞬间iin在spec之内(115v/30a,230v/60a),但因热敏电阻亦会消耗功率,所以不可放太大的阻值(否则会影响效率),一般使用sck053(3a/5ω),若c1电容使用较大的值,则必须考虑将热敏电阻的阻值变大(一般使用在大瓦数的power上).
3.3.3 vdr1(突波吸收器):
当雷极发生时,可能会损坏零件,进而影响power的正常动作,所以必须在靠ac输入端 (fuse之后),加上突波吸收器来保护power(一般常用07d471k),但若有价格上的考虑,可先忽略不装.
3.3.4 cy1,cy2(y-cap):
y-cap一般可分为y1及y2电容,若ac input有fg(3 pin)一般使用y2- cap , ac input若为2pin(只有l,n)一般使用y1-cap,y1与y2的差异,除了价格外(y1较昂贵),绝缘等级及耐压亦不同(y1称为双重绝缘,绝缘耐压约为y2的两倍,且在电容的本体上会有“回”符号或注明y1),此电路因为有fg所以使用y2-cap,y-cap会影响emi特性,一般而言越大越好,但须考虑漏电及价格问题,漏电(leakage current )必须符合安规须求(3pin公司标准为750ua max).
3.3.5 cx1(x-cap)、rx1:
x-cap为防制emi零件,emi可分为conduction及radiation两部分,conduction规范一般可分为: fcc part 15j class b 、 cispr 22(en55022) class b 两种 , fcc测试频率在450k~30mhz,cispr 22测试频率在150k~30mhz, conduction可在厂内以频谱分析仪验证,radiation 则必须到实验室验证,x-cap 一般对低频段(150k ~ 数m之间)的emi防制有效,一般而言x-cap愈大,emi防制效果愈好(但价格愈高),若x-cap在0.22uf以上(包含0.22uf),安规规定必须要有泄放电阻(rx1,一般为1.2mω 1/4w).
3.3.6 lf1(common choke):
emi防制零件,主要影响conduction 的中、低频段,设计时必须同时考虑emi特性及温升,以同样尺寸的common choke而言,线圈数愈多(相对的线径愈细),emi防制效果愈好,但温升可能较高.
3.3.7 bd1(整流二极管):
将ac电源以全波整流的方式转换为dc,由变压器所计算出的iin值,可知只要使用1a/600v的整流二极管,因为是全波整流所以耐压只要600v即可.
3.3.8 c1(滤波电容):
由c1的大小(电容值)可决定变压器计算中的vin(min)值,电容量愈大,vin(min)愈高但价格亦愈高,此部分可在电路中实际验证vin(min)是否正确,若ac input 范围在90v~132v (vc1 电压最高约190v),可使用耐压200v的电容;若ac input 范围在90v~264v(或180v~264v),因vc1电压最高约380v,所以必须使用耐压400v的电容.
re:开关电方设计?过祘
3.3.9 d2(辅助电源二极管):
整流二极管,一般常用fr105(1a/600v)或byt42m(1a/1000v),两者主要差异:
1. 耐压不同(在此处使用差异无所谓)
2. vf不同(fr105=1.2v,byt42m=1.4v)
3.3.10 r10(辅助电源电阻):
主要用于调整pwm ic的vcc电压,以目前使用的3843而言,设计时vcc必须大于8.4v(min. load时),但为考虑输出短路的情况,vcc电压不可设计的太高,以免当输出短路时不保护(或输入瓦数过大).
3.3.11 c7(滤波电容):
辅助电源的滤波电容,提供pwm ic较稳定的直流电压,一般使用100uf/25v电容.
3.3.12 z1(zener 二极管):
当回授失效时的保护电路,回授失效时输出电压冲高,辅助电源电压相对提高,此时若没有保护电路,可能会造成零件损坏,若在3843 vcc与3843 pin3脚之间加一个zener diode,当回授失效时zener diode会崩溃,使得pin3脚提前到达1v,以此可限制输出电压,达到保护零件的目的.z1值的大小取决于辅助电源的高低,z1的决定亦须考虑是否超过q1的vgs耐压值,原则上使用公司的现有料(一般使用1/2w即可).
3.3.13 r2(启动电阻):
提供3843第一次启动的路径,第一次启动时透过r2对c7充电,以提供3843 vcc所需的电压,r2阻值较大时,turn on的时间较长,但短路时pin瓦数较小,r2阻值较小时,turn on的时间较短,短路时pin瓦数较大,一般使用220kω/2w m.o..
3.3.14 r4 (line compensation):
高、低压补偿用,使3843 pin3脚在90v/47hz及264v/63hz接近一致(一般使用750kω~1.5mω 1/4w之间).
3.3.15 r3,c6,d1 (snubber):
此三个零件组成snubber,调整snubber的目的:1.当q1 off瞬间会有spike产生,调整snubber可以确保spike不会超过q1的耐压值,2.调整snubber可改善emi.一般而言,d1使用1n4007(1a/1000v)emi特性会较好.r3使用2w m.o.电阻,c6的耐压值以两端实际压差为准(一般使用耐压500v的陶质电容).
3.3.16 q1(n-mos):
目前常使用的为3a/600v及6a/600v两种,6a/600v的rds(on)较3a/600v小,所以温升会较低,若ids电流未超过3a,应该先以3a/600v为考虑,并以温升记录来验证,因为6a/600v的价格高于3a/600v许多,q1的使用亦需考虑vds是否超过额定值.
3.3.17 r8:
r8的作用在保护q1,避免q1呈现浮接状态.
3.3.18 r7(rs电阻):
3843 pin3脚电压最高为1v,r7的大小须与r4配合,以达到高低压平衡的目的,一般使用2w m.o.电阻,设计时先决定r7后再加上r4补偿,一般将3843 pin3脚电压设计在0.85v~0.95v之间(视瓦数而定,若瓦数较小则不能太接近1v,以免因零件误差而顶到1v).
3.3.19 r5,c3(rc filter):
滤除3843 pin3脚的噪声,r5一般使用1kω 1/8w,c3一般使用102p/50v的陶质电容,c3若使用电容值较小者,重载可能不开机(因为3843 pin3瞬间顶到1v);若使用电容值较大者,也许会有轻载不开机及短路pin过大的问题.
3.3.20 r9(q1 gate电阻 ):
r9电阻的大小,会影响到emi及温升特性,一般而言阻值大,q1 turn on / turn off的速度较慢,emi特性较好,但q1的温升较高、效率较低(主要是因为turn off速度较慢);若阻值较小, q1 turn on / turn off的速度较快,q1温升较低、效率较高,但emi较差,一般使用51ω-150ω 1/8w.
3.3.21 r6,c4(控制振荡频率):
决定3843的工作频率,可由data sheet得到r、c组成的工作频率,c4一般为10nf的电容(误差为5%),r6使用精密电阻,以da-14b33为例,c4使用103p/50v pe电容,r6为3.74kω 1/8w精密电阻,振荡频率约为45 khz.
3.3.22 c5:
功能类似rc filter,主要功用在于使高压轻载较不易振荡,一般使用101p/50v陶质电容.
3.3.23 u1(pwm ic):
3843是pwm ic的一种,由photo coupler (u2)回授信号控制duty cycle的大小,pin3脚具有限流的作用(最高电压1v),目前所用的3843中,有ka3843(samsung)及uc3843bn(s.t.)两种,两者脚位相同,但产生的振荡频率略有差异,uc3843bn较ka3843快了约2khz,ft的增加会衍生出一些问题(例如:emi问题、短路问题),因ka3843较难买,所以新机种设计时,尽量使用uc3843bn.
3.3.24 r1、r11、r12、c2(一次侧回路增益控制):
3843内部有一个error amp(误差放大器),r1、r11、r12、c2及error amp组成一个负回授电路,用来调整回路增益的稳定度,回路增益,调整不恰当可能会造成振荡或输出电压不正确,一般c2使用立式积层电容(温度持性较好).
3.3.25 u2(photo coupler)
光耦合器(photo coupler)主要将二次侧的信号转换到一次侧(以电流的方式),当二次侧的tl431导通后,u2即会将二次侧的电流依比例转换到一次侧,此时3843由pin6 (output)输出off的信号(low)来关闭q1,使用photo coupler的原因,是为了符合安规需求(primacy to secondary的距离至少需5.6mm).
3.3.26 r13(二次侧回路增益控制):
控制流过photo coupler的电流,r13阻值较小时,流过photo coupler的电流较大,u2转换电流较大,回路增益较快(需要确认是否会造成振荡),r13阻值较大时,流过photo coupler的电流较小,u2转换电流较小,回路增益较慢,虽然较不易造成振荡,但需注意输出电压是否正常.
3.3.27 u3(tl431)、r15、r16、r18
调整输出电压的大小, ,输出电压不可超过38v(因为tl431 vka最大为36v,若再加photo coupler的vf值,则vo应在38v以下较安全),tl431的vref为2.5v,r15及r16并联的目的使输出电压能微调,且r15与r16并联后的值不可太大(尽量在2kω以下),以免造成输出不准.
3.3.28 r14,c9(二次侧回路增益控制):
控制二次侧的回路增益,一般而言将电容放大会使增益变慢;电容放小会使增益变快,电阻的特性则刚好与电容相反,电阻放大增益变快;电阻放小增益变慢,至于何谓增益调整的最佳值,则可以dynamic load来量测,即可取得一个最佳值.
3.3.29 d4(整流二极管):
因为输出电压为3.3v,而输出电压调整器(output voltage regulator)使用tl431(vref=2.5v)而非tl432(vref=1.25v),所以必须多增加一组绕组提供photo coupler及tl431所需的电源,因为u2及u3所需的电流不大(约10ma左右),二极管耐压值100v即可,所以只需使用1n4148(0.15a/100v).
3.3.30 c8(滤波电容):
因为u2及u3所需的电流不大,所以只要使用1u/50v即可.
3.3.31 d5(整流二极管):
输出整流二极管,d5的使用需考虑:
a. 电流值
b. 二极管的耐压值
以da-14b33为例,输出电流4a,使用10a的二极管(schottky)应该可以,但经点温升验证后发现d5温度偏高,所以必须换为15a的二极管,因为10a的vf较15a的vf 值大.耐压部分40v经验证后符合,因此最后使用15a/40v schottky.
3.3.32 c10,r17(二次侧snubber) :
d5在截止的瞬间会有spike产生,若spike超过二极管(d5)的耐压值,二极管会有被击穿的危险,调整snubber可适当的减少spike的电压值,除保护二极管外亦可改善emi,r17一般使用1/2w的电阻,c10一般使用耐压500v的陶质电容,snubber调整的过程(264v/63hz)需注意r17,c10是否会过热,应避免此种情况发生.
3.3.33 c11,c13(滤波电容):
二次侧第一级滤波电容,应使用内阻较小的电容(lxz,yxa…),电容选择是否洽当可依以下三点来判定:
a. 输出ripple电压是符合规格
b. 电容温度是否超过额定值
c. 电容值两端电压是否超过额定值
3.3.34 r19(假负载):
适当的使用假负载可使线路更稳定,但假负载的阻值不可太小,否则会影响效率,使用时亦须注意是否超过电阻的额定值(一般设计只使用额定瓦数的一半).
3.3.35 l3,c12(lc滤波电路):
lc滤波电路为第二级滤波,在不影响线路稳定的情况下,一般会将l3 放大(电感量较大),如此c12可使用较小的电容值.
4 设计验证:(可分为三部分)
a. 设计阶段验证
b. 样品制作验证
c. qe验证
4.1 设计阶段验证
设计实验阶段应该养成记录的习惯,记录可以验证实验结果是否与电气规格相符,以下即就da-14b33设计阶段验证做说明(验证项目视规格而定).
4.1.1 电气规格验证:
4.1.1.1 3843 pin3脚电压(full load 4a) :
90v/47hz = 0.83v
115v/60hz = 0.83v
132v/60hz = 0.83v
180v/60hz = 0.86v
230v/60hz = 0.88v
264v/63hz = 0.91v
4.1.1.2 duty cycle , ft:
4.1.1.3 vin(min) = 100v (90v / 47hz full load)
4.1.1.4 stress (264v / 63hz full load) :
q1 mosfet:
4.1.1.5 辅助电源(开机,满载)、短路pin max.:
4.1.1.6 static (full load)
pin(w) iin(a) iout(a) vout(v) p.f. ripple(mv) pout(w) eff
90v/47hz 18.7 0.36 4 3.30 0.57 32 13.22 70.7
115v/60hz 18.6 0..31 4 3.30 0.52 28 13.22 71.1
132v/60hz 18.6 0.28 4 3.30 0.50 29 13.22 71.1
180v/60hz 18.7 0.21 4 3.30 0.49 30 13.23 70.7
230v/60hz 18.9 0.18 4 3.30 0.46 29 13.22 69.9
264v/60hz 19.2 0.16 4 3.30 0.45 29 13.23 68.9
4.1.1.7 full range负载(0.3a-4a)
(验证是否有振荡现象)
4.1.1.8 回授失效(输出轻载)
vout = 8.3v90v/47hz
vout = 6.03v264v/63hz
4.1.1.9 o.c.p.(过电流保护)
90v/47hz = 7.2a
264v/63hz = 8.4a
4.1.1.10 pin(max.)
90v/47hz = 24.9w
264v/63hz = 27.1w
4.1.1.11 dynamic test
h=4a,t1=25ms,slew rate = 0.8a/ms (rise)
l=0.3a,t2=25ms,slew rate = 0.8a/ms (full)
90v/47hz
264v/63hz
4.1.1.12 hi-pot test:
hi-pot test一般可分为两种等级:
输入为3 pin(有fg者),hi-pot test为1500vac/1 minute.y-cap使用y2-cap
输入为2 pin(无fg者),hi-pot test为3000vac/1 minute.y-cap使用y1-cap
da-14b33属于输入3 pin hi-pot test 为1500vac/1 minute.
4.1.1.13 grounding test:
输入为3 pin(有fg者),一般均要测接地阻(grounding test),安规规定fg到输出线材(输出端)的接地电阻不能超过100mω(2.5ma/3 second).
4.1.1.14 温升记录
设计实验定案后(暂定),需针对整体温升及emi做评估,若温升或emi无法符合规格,则需重新实验.温升记录请参考附件,d5原来使用byv118(10a/40v schottky barrier 肖特基二极管 ),因温升较高改为pbyr1540ctx(15a/40v).
4.1.1.15 emi测试:
emi测试分为二类:
conduction(传导干扰)
radiation(幅射干扰)
前者视规范不同而有差异(fcc : 450k - 30mhz,cispr 22 :150k - 30mhz),前者可利用厂内的频谱分析仪验证;后者(范围由30m - 300mhz,则因厂内无设备必须到实验室验证,conduction,radiation测试数据请参考附件) .
4.1.1.16 机构尺寸:
设计阶段即应对机构尺寸验证,验证的项目包括 : pcb尺寸、零件限高、零件禁置区、螺丝孔位置及孔径、外壳孔寸….,若设计阶段无法验证,则必须在样品阶段验证.
4.1.2 样品验证:
样品制作完成后,除温升记录、emi测试外(是否需重新验证,视情况而定),每一台样品都应经过验证(包括电气及机构尺寸),此阶段的电气验证可以以ate(chroma)测试来完成,ate测试必须与电气规格相符.
4.1.3 qe验证:
qe针对工程部所提供的样品做验证,工程部应提供以下交件及样品供qe验证.
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1 目的
希望以简短的篇幅,将公司目前设计的流程做介绍,若有介绍不当之处,请不吝指教.
2 设计步骤:
2.1 绘线路图、pcb layout.
2.2 变压器计算.
2.3 零件选用.
2.4 设计验证.
3 设计流程介绍(以da-14b33为例):
3.1 线路图、pcb layout请参考资识库中说明.
3.2 变压器计算:
变压器是整个电源供应器的重要核心,所以变压器的计算及验证是很重要的,以下即就da-14b33变压器做介绍.
3.2.1 决定变压器的材质及尺寸:
依据变压器计算公式
b(max) = 铁心饱合的磁通密度(gauss)
lp = 一次侧电感值(uh)
ip = 一次侧峰值电流(a)
np = 一次侧(主线圈)圈数
ae = 铁心截面积(cm2)
b(max) 依铁心的材质及本身的温度来决定,以tdk ferrite core pc40为例,100℃时的b(max)为3900 gauss,设计时应考虑零件误差,所以一般取3000~3500 gauss之间,若所设计的power为adapter(有外壳)则应取3000 gauss左右,以避免铁心因高温而饱合,一般而言铁心的尺寸越大,ae越高,所以可以做较大瓦数的power.
3.2.2 决定一次侧滤波电容:
滤波电容的决定,可以决定电容器上的vin(min),滤波电容越大,vin(win)越高,可以做较大瓦数的power,但相对价格亦较高.
3.2.3 决定变压器线径及线数:
当变压器决定后,变压器的bobbin即可决定,依据bobbin的槽宽,可决定变压器的线径及线数,亦可计算出线径的电流密度,电流密度一般以6a/mm2为参考,电流密度对变压器的设计而言,只能当做参考值,最终应以温升记录为准.
3.2.4 决定duty cycle (工作周期):
由以下公式可决定duty cycle ,duty cycle的设计一般以50%为基准,duty cycle若超过50%易导致振荡的发生.
ns = 二次侧圈数
np = 一次侧圈数
vo = 输出电压
vd= 二极管顺向电压
vin(min) = 滤波电容上的谷点电压
d = 工作周期(duty cycle)
3.2.5 决定ip值:
ip = 一次侧峰值电流
iav = 一次侧平均电流
pout = 输出瓦数
效率
pwm震荡频率
3.2.6 决定辅助电源的圈数:
依据变压器的圈比关系,可决定辅助电源的圈数及电压.
3.2.7 决定mosfet及二次侧二极管的stress(应力):
依据变压器的圈比关系,可以初步计算出变压器的应力(stress)是否符合选用零件的规格,计算时以输入电压264v(电容器上为380v)为基准.
3.2.8 其它:
若输出电压为5v以下,且必须使用tl431而非tl432时,须考虑多一组绕组提供photo coupler及tl431使用.
3.2.9 将所得资料代入 公式中,如此可得出b(max),若b(max)值太高或太低则参数必须重新调整.
3.2.10 da-14b33变压器计算:
输出瓦数13.2w(3.3v/4a),core = ei-28,可绕面积(槽宽)=10mm,margin tape = 2.8mm(每边),剩余可绕面积=4.4mm.
假设ft = 45 khz ,vin(min)=90v, =0.7,p.f.=0.5(cosθ),lp=1600 uh
计算式:
变压器材质及尺寸:
由以上假设可知材质为pc-40,尺寸=ei-28,ae=0.86cm2,可绕面积(槽宽)=10mm,因margin tape使用2.8mm,所以剩余可绕面积为4.4mm.
假设滤波电容使用47uf/400v,vin(min)暂定90v.
决定变压器的线径及线数:
假设np使用0.32ψ的线
电流密度=
可绕圈数=
假设secondary使用0.35ψ的线
电流密度=
假设使用4p,则
电流密度=
可绕圈数=
决定duty cycle:
假设np=44t,ns=2t,vd=0.5(使用schottky diode)
决定ip值:
决定辅助电源的圈数:
假设辅助电源=12v
na1=6.3圈
假设使用0.23ψ的线
可绕圈数=
若na1=6tx2p,则辅助电源=11.4v
决定mosfet及二次侧二极管的stress(应力):
mosfet(q1) =最高输入电压(380v)+ =
=463.6v
diode(d5)=输出电压(vo)+ x最高输入电压(380v)
=
=20.57v
diode(d4)=
= =41.4v
其它:
因为输出为3.3v,而tl431的vref值为2.5v,若再加上photo coupler上的压降约1.2v,将使得输出电压无法推动photo coupler及tl431,所以必须另外增加一组线圈提供回授路径所需的电压.
假设na2 = 4t使用0.35ψ线,则
可绕圈数= ,所以可将na2定为4tx2p
变压器的接线图:
3.3 零件选用:
零件位置(标注)请参考线路图: (da-14b33 schematic)
3.3.1 fs1:
由变压器计算得到iin值,以此iin值(0.42a)可知使用公司共享料2a/250v,设计时亦须考虑pin(max)时的iin是否会超过保险丝的额定值.
3.3.2 tr1(热敏电阻):
电源启动的瞬间,由于c1(一次侧滤波电容)短路,导致iin电流很大,虽然时间很短暂,但亦可能对power产生伤害,所以必须在滤波电容之前加装一个热敏电阻,以限制开机瞬间iin在spec之内(115v/30a,230v/60a),但因热敏电阻亦会消耗功率,所以不可放太大的阻值(否则会影响效率),一般使用sck053(3a/5ω),若c1电容使用较大的值,则必须考虑将热敏电阻的阻值变大(一般使用在大瓦数的power上).
3.3.3 vdr1(突波吸收器):
当雷极发生时,可能会损坏零件,进而影响power的正常动作,所以必须在靠ac输入端 (fuse之后),加上突波吸收器来保护power(一般常用07d471k),但若有价格上的考虑,可先忽略不装.
3.3.4 cy1,cy2(y-cap):
y-cap一般可分为y1及y2电容,若ac input有fg(3 pin)一般使用y2- cap , ac input若为2pin(只有l,n)一般使用y1-cap,y1与y2的差异,除了价格外(y1较昂贵),绝缘等级及耐压亦不同(y1称为双重绝缘,绝缘耐压约为y2的两倍,且在电容的本体上会有“回”符号或注明y1),此电路因为有fg所以使用y2-cap,y-cap会影响emi特性,一般而言越大越好,但须考虑漏电及价格问题,漏电(leakage current )必须符合安规须求(3pin公司标准为750ua max).
3.3.5 cx1(x-cap)、rx1:
x-cap为防制emi零件,emi可分为conduction及radiation两部分,conduction规范一般可分为: fcc part 15j class b 、 cispr 22(en55022) class b 两种 , fcc测试频率在450k~30mhz,cispr 22测试频率在150k~30mhz, conduction可在厂内以频谱分析仪验证,radiation 则必须到实验室验证,x-cap 一般对低频段(150k ~ 数m之间)的emi防制有效,一般而言x-cap愈大,emi防制效果愈好(但价格愈高),若x-cap在0.22uf以上(包含0.22uf),安规规定必须要有泄放电阻(rx1,一般为1.2mω 1/4w).
3.3.6 lf1(common choke):
emi防制零件,主要影响conduction 的中、低频段,设计时必须同时考虑emi特性及温升,以同样尺寸的common choke而言,线圈数愈多(相对的线径愈细),emi防制效果愈好,但温升可能较高.
3.3.7 bd1(整流二极管):
将ac电源以全波整流的方式转换为dc,由变压器所计算出的iin值,可知只要使用1a/600v的整流二极管,因为是全波整流所以耐压只要600v即可.
3.3.8 c1(滤波电容):
由c1的大小(电容值)可决定变压器计算中的vin(min)值,电容量愈大,vin(min)愈高但价格亦愈高,此部分可在电路中实际验证vin(min)是否正确,若ac input 范围在90v~132v (vc1 电压最高约190v),可使用耐压200v的电容;若ac input 范围在90v~264v(或180v~264v),因vc1电压最高约380v,所以必须使用耐压400v的电容.
re:开关电方设计?过祘
3.3.9 d2(辅助电源二极管):
整流二极管,一般常用fr105(1a/600v)或byt42m(1a/1000v),两者主要差异:
1. 耐压不同(在此处使用差异无所谓)
2. vf不同(fr105=1.2v,byt42m=1.4v)
3.3.10 r10(辅助电源电阻):
主要用于调整pwm ic的vcc电压,以目前使用的3843而言,设计时vcc必须大于8.4v(min. load时),但为考虑输出短路的情况,vcc电压不可设计的太高,以免当输出短路时不保护(或输入瓦数过大).
3.3.11 c7(滤波电容):
辅助电源的滤波电容,提供pwm ic较稳定的直流电压,一般使用100uf/25v电容.
3.3.12 z1(zener 二极管):
当回授失效时的保护电路,回授失效时输出电压冲高,辅助电源电压相对提高,此时若没有保护电路,可能会造成零件损坏,若在3843 vcc与3843 pin3脚之间加一个zener diode,当回授失效时zener diode会崩溃,使得pin3脚提前到达1v,以此可限制输出电压,达到保护零件的目的.z1值的大小取决于辅助电源的高低,z1的决定亦须考虑是否超过q1的vgs耐压值,原则上使用公司的现有料(一般使用1/2w即可).
3.3.13 r2(启动电阻):
提供3843第一次启动的路径,第一次启动时透过r2对c7充电,以提供3843 vcc所需的电压,r2阻值较大时,turn on的时间较长,但短路时pin瓦数较小,r2阻值较小时,turn on的时间较短,短路时pin瓦数较大,一般使用220kω/2w m.o..
3.3.14 r4 (line compensation):
高、低压补偿用,使3843 pin3脚在90v/47hz及264v/63hz接近一致(一般使用750kω~1.5mω 1/4w之间).
3.3.15 r3,c6,d1 (snubber):
此三个零件组成snubber,调整snubber的目的:1.当q1 off瞬间会有spike产生,调整snubber可以确保spike不会超过q1的耐压值,2.调整snubber可改善emi.一般而言,d1使用1n4007(1a/1000v)emi特性会较好.r3使用2w m.o.电阻,c6的耐压值以两端实际压差为准(一般使用耐压500v的陶质电容).
3.3.16 q1(n-mos):
目前常使用的为3a/600v及6a/600v两种,6a/600v的rds(on)较3a/600v小,所以温升会较低,若ids电流未超过3a,应该先以3a/600v为考虑,并以温升记录来验证,因为6a/600v的价格高于3a/600v许多,q1的使用亦需考虑vds是否超过额定值.
3.3.17 r8:
r8的作用在保护q1,避免q1呈现浮接状态.
3.3.18 r7(rs电阻):
3843 pin3脚电压最高为1v,r7的大小须与r4配合,以达到高低压平衡的目的,一般使用2w m.o.电阻,设计时先决定r7后再加上r4补偿,一般将3843 pin3脚电压设计在0.85v~0.95v之间(视瓦数而定,若瓦数较小则不能太接近1v,以免因零件误差而顶到1v).
3.3.19 r5,c3(rc filter):
滤除3843 pin3脚的噪声,r5一般使用1kω 1/8w,c3一般使用102p/50v的陶质电容,c3若使用电容值较小者,重载可能不开机(因为3843 pin3瞬间顶到1v);若使用电容值较大者,也许会有轻载不开机及短路pin过大的问题.
3.3.20 r9(q1 gate电阻 ):
r9电阻的大小,会影响到emi及温升特性,一般而言阻值大,q1 turn on / turn off的速度较慢,emi特性较好,但q1的温升较高、效率较低(主要是因为turn off速度较慢);若阻值较小, q1 turn on / turn off的速度较快,q1温升较低、效率较高,但emi较差,一般使用51ω-150ω 1/8w.
3.3.21 r6,c4(控制振荡频率):
决定3843的工作频率,可由data sheet得到r、c组成的工作频率,c4一般为10nf的电容(误差为5%),r6使用精密电阻,以da-14b33为例,c4使用103p/50v pe电容,r6为3.74kω 1/8w精密电阻,振荡频率约为45 khz.
3.3.22 c5:
功能类似rc filter,主要功用在于使高压轻载较不易振荡,一般使用101p/50v陶质电容.
3.3.23 u1(pwm ic):
3843是pwm ic的一种,由photo coupler (u2)回授信号控制duty cycle的大小,pin3脚具有限流的作用(最高电压1v),目前所用的3843中,有ka3843(samsung)及uc3843bn(s.t.)两种,两者脚位相同,但产生的振荡频率略有差异,uc3843bn较ka3843快了约2khz,ft的增加会衍生出一些问题(例如:emi问题、短路问题),因ka3843较难买,所以新机种设计时,尽量使用uc3843bn.
3.3.24 r1、r11、r12、c2(一次侧回路增益控制):
3843内部有一个error amp(误差放大器),r1、r11、r12、c2及error amp组成一个负回授电路,用来调整回路增益的稳定度,回路增益,调整不恰当可能会造成振荡或输出电压不正确,一般c2使用立式积层电容(温度持性较好).
3.3.25 u2(photo coupler)
光耦合器(photo coupler)主要将二次侧的信号转换到一次侧(以电流的方式),当二次侧的tl431导通后,u2即会将二次侧的电流依比例转换到一次侧,此时3843由pin6 (output)输出off的信号(low)来关闭q1,使用photo coupler的原因,是为了符合安规需求(primacy to secondary的距离至少需5.6mm).
3.3.26 r13(二次侧回路增益控制):
控制流过photo coupler的电流,r13阻值较小时,流过photo coupler的电流较大,u2转换电流较大,回路增益较快(需要确认是否会造成振荡),r13阻值较大时,流过photo coupler的电流较小,u2转换电流较小,回路增益较慢,虽然较不易造成振荡,但需注意输出电压是否正常.
3.3.27 u3(tl431)、r15、r16、r18
调整输出电压的大小, ,输出电压不可超过38v(因为tl431 vka最大为36v,若再加photo coupler的vf值,则vo应在38v以下较安全),tl431的vref为2.5v,r15及r16并联的目的使输出电压能微调,且r15与r16并联后的值不可太大(尽量在2kω以下),以免造成输出不准.
3.3.28 r14,c9(二次侧回路增益控制):
控制二次侧的回路增益,一般而言将电容放大会使增益变慢;电容放小会使增益变快,电阻的特性则刚好与电容相反,电阻放大增益变快;电阻放小增益变慢,至于何谓增益调整的最佳值,则可以dynamic load来量测,即可取得一个最佳值.
3.3.29 d4(整流二极管):
因为输出电压为3.3v,而输出电压调整器(output voltage regulator)使用tl431(vref=2.5v)而非tl432(vref=1.25v),所以必须多增加一组绕组提供photo coupler及tl431所需的电源,因为u2及u3所需的电流不大(约10ma左右),二极管耐压值100v即可,所以只需使用1n4148(0.15a/100v).
3.3.30 c8(滤波电容):
因为u2及u3所需的电流不大,所以只要使用1u/50v即可.
3.3.31 d5(整流二极管):
输出整流二极管,d5的使用需考虑:
a. 电流值
b. 二极管的耐压值
以da-14b33为例,输出电流4a,使用10a的二极管(schottky)应该可以,但经点温升验证后发现d5温度偏高,所以必须换为15a的二极管,因为10a的vf较15a的vf 值大.耐压部分40v经验证后符合,因此最后使用15a/40v schottky.
3.3.32 c10,r17(二次侧snubber) :
d5在截止的瞬间会有spike产生,若spike超过二极管(d5)的耐压值,二极管会有被击穿的危险,调整snubber可适当的减少spike的电压值,除保护二极管外亦可改善emi,r17一般使用1/2w的电阻,c10一般使用耐压500v的陶质电容,snubber调整的过程(264v/63hz)需注意r17,c10是否会过热,应避免此种情况发生.
3.3.33 c11,c13(滤波电容):
二次侧第一级滤波电容,应使用内阻较小的电容(lxz,yxa…),电容选择是否洽当可依以下三点来判定:
a. 输出ripple电压是符合规格
b. 电容温度是否超过额定值
c. 电容值两端电压是否超过额定值
3.3.34 r19(假负载):
适当的使用假负载可使线路更稳定,但假负载的阻值不可太小,否则会影响效率,使用时亦须注意是否超过电阻的额定值(一般设计只使用额定瓦数的一半).
3.3.35 l3,c12(lc滤波电路):
lc滤波电路为第二级滤波,在不影响线路稳定的情况下,一般会将l3 放大(电感量较大),如此c12可使用较小的电容值.
4 设计验证:(可分为三部分)
a. 设计阶段验证
b. 样品制作验证
c. qe验证
4.1 设计阶段验证
设计实验阶段应该养成记录的习惯,记录可以验证实验结果是否与电气规格相符,以下即就da-14b33设计阶段验证做说明(验证项目视规格而定).
4.1.1 电气规格验证:
4.1.1.1 3843 pin3脚电压(full load 4a) :
90v/47hz = 0.83v
115v/60hz = 0.83v
132v/60hz = 0.83v
180v/60hz = 0.86v
230v/60hz = 0.88v
264v/63hz = 0.91v
4.1.1.2 duty cycle , ft:
4.1.1.3 vin(min) = 100v (90v / 47hz full load)
4.1.1.4 stress (264v / 63hz full load) :
q1 mosfet:
4.1.1.5 辅助电源(开机,满载)、短路pin max.:
4.1.1.6 static (full load)
pin(w) iin(a) iout(a) vout(v) p.f. ripple(mv) pout(w) eff
90v/47hz 18.7 0.36 4 3.30 0.57 32 13.22 70.7
115v/60hz 18.6 0..31 4 3.30 0.52 28 13.22 71.1
132v/60hz 18.6 0.28 4 3.30 0.50 29 13.22 71.1
180v/60hz 18.7 0.21 4 3.30 0.49 30 13.23 70.7
230v/60hz 18.9 0.18 4 3.30 0.46 29 13.22 69.9
264v/60hz 19.2 0.16 4 3.30 0.45 29 13.23 68.9
4.1.1.7 full range负载(0.3a-4a)
(验证是否有振荡现象)
4.1.1.8 回授失效(输出轻载)
vout = 8.3v90v/47hz
vout = 6.03v264v/63hz
4.1.1.9 o.c.p.(过电流保护)
90v/47hz = 7.2a
264v/63hz = 8.4a
4.1.1.10 pin(max.)
90v/47hz = 24.9w
264v/63hz = 27.1w
4.1.1.11 dynamic test
h=4a,t1=25ms,slew rate = 0.8a/ms (rise)
l=0.3a,t2=25ms,slew rate = 0.8a/ms (full)
90v/47hz
264v/63hz
4.1.1.12 hi-pot test:
hi-pot test一般可分为两种等级:
输入为3 pin(有fg者),hi-pot test为1500vac/1 minute.y-cap使用y2-cap
输入为2 pin(无fg者),hi-pot test为3000vac/1 minute.y-cap使用y1-cap
da-14b33属于输入3 pin hi-pot test 为1500vac/1 minute.
4.1.1.13 grounding test:
输入为3 pin(有fg者),一般均要测接地阻(grounding test),安规规定fg到输出线材(输出端)的接地电阻不能超过100mω(2.5ma/3 second).
4.1.1.14 温升记录
设计实验定案后(暂定),需针对整体温升及emi做评估,若温升或emi无法符合规格,则需重新实验.温升记录请参考附件,d5原来使用byv118(10a/40v schottky barrier 肖特基二极管 ),因温升较高改为pbyr1540ctx(15a/40v).
4.1.1.15 emi测试:
emi测试分为二类:
conduction(传导干扰)
radiation(幅射干扰)
前者视规范不同而有差异(fcc : 450k - 30mhz,cispr 22 :150k - 30mhz),前者可利用厂内的频谱分析仪验证;后者(范围由30m - 300mhz,则因厂内无设备必须到实验室验证,conduction,radiation测试数据请参考附件) .
4.1.1.16 机构尺寸:
设计阶段即应对机构尺寸验证,验证的项目包括 : pcb尺寸、零件限高、零件禁置区、螺丝孔位置及孔径、外壳孔寸….,若设计阶段无法验证,则必须在样品阶段验证.
4.1.2 样品验证:
样品制作完成后,除温升记录、emi测试外(是否需重新验证,视情况而定),每一台样品都应经过验证(包括电气及机构尺寸),此阶段的电气验证可以以ate(chroma)测试来完成,ate测试必须与电气规格相符.
4.1.3 qe验证:
qe针对工程部所提供的样品做验证,工程部应提供以下交件及样品供qe验证.
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