英特尔、美光联手推出25纳米NAND
英特尔、美光联手推出25纳米nand
英特尔公司和美光科技公司今天宣布推出世界上首个25纳米nand技术——该技术能够增加智能手机、个人音乐与媒体播放器(pmp)等流行消费电子产品，以及全新高性能固态硬盘(ssd)的存储容量，提供更高的成本效益。
nand闪存可用于存储消费电子产品中的数据和其它媒体内容，即使在电源关闭时也能保留信息。nand制程尺寸的缩小，推动了该技术持续发展并不断出现新的用途。25纳米制程不仅是当前尺寸最小的nand技术，也是全球最精密的半导体技术——这项技术成就将使当今的消费电子产品和计算设备能存储更多音乐、视频和其它类型数据。
在1.67平方厘米的空间里存储8gb数据！英特尔、美 光全球首推25纳米nand闪存，领跑半导体行业
该技术由英特尔和美光共同组建的nand闪存合资企业im flash technologies(简称imft)生产，单个25纳米制程nand设备的存储容量达到8gb，为当前小巧的消费电子产品提供大容量存储解决方案。其尺寸仅有167平方毫米——小到足以穿过光盘中间的孔，却能存储比光盘多10倍的数据(一张标准光盘可存储700mb数据)。
通过对nand研发的专注和投资，英特尔和美光大约每18个月将nand的密度提升一倍，从而带来尺寸更小、成本效益更高、容量更大的产品。imft从2006年就开始采用50纳米制程技术生产，紧接着在2008年推出34纳米制程技术。凭借今天公布的25纳米制程技术，英特尔和美光合作推出了业内最小的半导体光刻技术，从而进一步加强了在制程和制造领域的领先地位。
英特尔公司副总裁兼nand解决方案事业部总经理tom rampone表示：“通过持续投资于imft，我们不断推出领先的技术和制造工艺，开发出成本效益最高、最可靠的nand存储产品，这将加快固态硬盘解决方案在计算设备中的广泛应用。”
美光存储事业部副总裁brian shirley表示：“英特尔和美光凭借最先进的制程技术引领整个半导体行业发展，创造了技术上的奇迹。我们希望进一步挑战半导体尺寸上的极限。该技术可通过更高密度的媒体解决方案，为我们的客户带来巨大的效益。”
采用25纳米技术的8gb设备现已推出样品，预计将在2010年第二季度批量生产。针对消费电子产品制造商，该设备提供了密度最大、每个单元可存储2比特数据的多层式(mlc)芯片，并且支持符合行业标准的薄型小尺寸封装(tsop)，可将多个8gb设备封装在一起，从而提高存储容量。与上一代制程相比，全新25纳米8gb设备可将封装的芯片数量减少一半，不仅实现了尺寸更小、密度更高的设计，还提高了成本效益。例如，组成一个256gb的固态硬盘(ssd)只需32个25纳米nand芯片(之前则需要64个这样的芯片)，一个32gb的智能手机只需要4个这样的芯片，而16gb的闪存卡只需要2个。
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nand闪存可用于存储消费电子产品中的数据和其它媒体内容，即使在电源关闭时也能保留信息。nand制程尺寸的缩小，推动了该技术持续发展并不断出现新的用途。25纳米制程不仅是当前尺寸最小的nand技术，也是全球最精密的半导体技术——这项技术成就将使当今的消费电子产品和计算设备能存储更多音乐、视频和其它类型数据。
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该技术由英特尔和美光共同组建的nand闪存合资企业im flash technologies(简称imft)生产，单个25纳米制程nand设备的存储容量达到8gb，为当前小巧的消费电子产品提供大容量存储解决方案。其尺寸仅有167平方毫米——小到足以穿过光盘中间的孔，却能存储比光盘多10倍的数据(一张标准光盘可存储700mb数据)。
通过对nand研发的专注和投资，英特尔和美光大约每18个月将nand的密度提升一倍，从而带来尺寸更小、成本效益更高、容量更大的产品。imft从2006年就开始采用50纳米制程技术生产，紧接着在2008年推出34纳米制程技术。凭借今天公布的25纳米制程技术，英特尔和美光合作推出了业内最小的半导体光刻技术，从而进一步加强了在制程和制造领域的领先地位。
英特尔公司副总裁兼nand解决方案事业部总经理tom rampone表示：“通过持续投资于imft，我们不断推出领先的技术和制造工艺，开发出成本效益最高、最可靠的nand存储产品，这将加快固态硬盘解决方案在计算设备中的广泛应用。”
美光存储事业部副总裁brian shirley表示：“英特尔和美光凭借最先进的制程技术引领整个半导体行业发展，创造了技术上的奇迹。我们希望进一步挑战半导体尺寸上的极限。该技术可通过更高密度的媒体解决方案，为我们的客户带来巨大的效益。”
采用25纳米技术的8gb设备现已推出样品，预计将在2010年第二季度批量生产。针对消费电子产品制造商，该设备提供了密度最大、每个单元可存储2比特数据的多层式(mlc)芯片，并且支持符合行业标准的薄型小尺寸封装(tsop)，可将多个8gb设备封装在一起，从而提高存储容量。与上一代制程相比，全新25纳米8gb设备可将封装的芯片数量减少一半，不仅实现了尺寸更小、密度更高的设计，还提高了成本效益。例如，组成一个256gb的固态硬盘(ssd)只需32个25纳米nand芯片(之前则需要64个这样的芯片)，一个32gb的智能手机只需要4个这样的芯片，而16gb的闪存卡只需要2个。
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