什么是耗尽型MOS晶体管
什么是耗尽型mos晶体管
据导电方式的不同，mosfet又分增强型、耗尽型。耗尽型是指，当vgs=0时即形成沟道，加上正确的vgs时，能使多数载流子流出沟道，因而“耗尽”了载流子，使管子转向截止。
耗尽型mos场效应管，是在制造过程中，预先在sio2绝缘层中掺入大量的正离子，因此，在ugs=0时，这些正离子产生的电场也能在p型衬底中“感应”出足够的电子，形成n型导电沟道。
当uds>0时，将产生较大的漏极电流id。如果使ugs<0，则它将削弱正离子所形成的电场，使n沟道变窄，从而使id减小。当ugs更负，达到某一数值时沟道消失，id=0。使id=0的ugs我们也称为夹断电压，仍用up表示。ugs
n沟道耗尽型mosfet的结构与增强型mosfet结构类似，只有一点不同，就是n沟道耗尽型mosfet在栅极电压ugs=0时，沟道已经存在。该n沟道是在制造过程中应用离子注入法预先在衬底的表面，在d、s之间制造的，称之为初始沟道。n沟道耗尽型mosfet的结构和符号如图1.（a）所示，它是在栅极下方的sio2绝缘层中掺入了大量的金属正离子。所以当vgs＝0时，这些正离子已经感应出反型层，形成了沟道。于是，只要有漏源电压，就有漏极电流存在。当vgs＞0时，将使id进一步增加。vgs＜0时，随着vgs的减小漏极电流逐渐减小，直至id＝0。对应id＝0的vgs称为夹断电压，用符号vgs(off)表示，有时也用vp表示。n沟道耗尽型mosfet的转移特性曲线如图1.（b）所示。
(a) 结构示意图 (b) 转移特性曲线
图1. n沟道耗尽型mosfet的结构和转移特性曲线
由于耗尽型mosfet在ugs=0时，漏源之间的沟道已经存在，所以只要加上uds,就有id流通。如果增加正向栅压ugs，栅极与衬底之间的电场将使沟道中感应更多的电子，沟道变厚，沟道的电导增大。
如果在栅极加负电压（即ugs＜0＝，就会在相对应的衬底表面感应出正电荷，这些正电荷抵消n沟道中的电子，从而在衬底表面产生一个耗尽层，使沟道变窄，沟道电导减小。当负栅压增大到某一电压up时，耗尽区扩展到整个沟道，沟道完全被夹断（耗尽），这时即使uds仍存在，也不会产生漏极电流，即id=0。up称为夹断电压或阈值电压，其值通常在–1v–10v之间n沟道耗尽型mosfet的输出特性曲线和转移特性曲线分别如图2—60（a）、（b）所示。
在可变电阻区内，id与uds、ugs的关系仍为
在恒流区，id与ugs的关系仍满足式（2—81），即
若考虑uds的影响，id可近似为
对耗尽型场效应管来说，式（2—84）也可表示为
式中，idss称为ugs=0时的饱和漏电流，其值为
p沟道mosfet的工作原理与n沟道mosfet完全相同，只不过导电的载流子不同，供电电压极性不同而已。这如同双极型三极管有npn型和pnp型一样。
寺库集团与Ultrain超脑信任计算在区块链领域达成了战略合作
央行发行的数字货币还可能面临着那些法律挑战
存储器芯片厂商普冉半导体科创板IPO过会
LSI推出丰富双核MegaRAID控制器解决方案
2018年全球5G与自动驾驶发展专题研究
什么是耗尽型MOS晶体管
无线蓝牙耳机哪个品牌好、口碑最好的蓝牙耳机
你需要支持VR的手机吗？还是普通手机就好
物联网连接解决方案正在重新定义海上石油和天然气监测的可能性
EPON技术介绍及所面临的测试挑战
Schreiner PrinTronics推出一款印刷RFID传感平台，配备带有电气功能的复杂标签
三星和索尼争夺图像传感器市场主导权
基于硬件的MCU解决安全漏洞问题
车载语音交互市场呈现出三大趋势，初创公司压力很大
华为5G合同突破1000亿美元_被围堵的华为就是这么强
限流式保护器在酒店电气防火中的应用
2020-2030年中国5G的直接和间接经济产出统计情况及预测
美国一公司推便携式Linux服务器 仅名片大小
基于空心微针的等离子体传感器检测真皮间质液中的生物标志物
北汽决定放弃燃油车，全力投产新能源车
据导电方式的不同，mosfet又分增强型、耗尽型。耗尽型是指，当vgs=0时即形成沟道，加上正确的vgs时，能使多数载流子流出沟道，因而“耗尽”了载流子，使管子转向截止。
耗尽型mos场效应管，是在制造过程中，预先在sio2绝缘层中掺入大量的正离子，因此，在ugs=0时，这些正离子产生的电场也能在p型衬底中“感应”出足够的电子，形成n型导电沟道。
当uds>0时，将产生较大的漏极电流id。如果使ugs<0，则它将削弱正离子所形成的电场，使n沟道变窄，从而使id减小。当ugs更负，达到某一数值时沟道消失，id=0。使id=0的ugs我们也称为夹断电压，仍用up表示。ugs
(a) 结构示意图 (b) 转移特性曲线
图1. n沟道耗尽型mosfet的结构和转移特性曲线
由于耗尽型mosfet在ugs=0时，漏源之间的沟道已经存在，所以只要加上uds,就有id流通。如果增加正向栅压ugs，栅极与衬底之间的电场将使沟道中感应更多的电子，沟道变厚，沟道的电导增大。
如果在栅极加负电压（即ugs＜0＝，就会在相对应的衬底表面感应出正电荷，这些正电荷抵消n沟道中的电子，从而在衬底表面产生一个耗尽层，使沟道变窄，沟道电导减小。当负栅压增大到某一电压up时，耗尽区扩展到整个沟道，沟道完全被夹断（耗尽），这时即使uds仍存在，也不会产生漏极电流，即id=0。up称为夹断电压或阈值电压，其值通常在–1v–10v之间n沟道耗尽型mosfet的输出特性曲线和转移特性曲线分别如图2—60（a）、（b）所示。
在可变电阻区内，id与uds、ugs的关系仍为
在恒流区，id与ugs的关系仍满足式（2—81），即
若考虑uds的影响，id可近似为
对耗尽型场效应管来说，式（2—84）也可表示为
式中，idss称为ugs=0时的饱和漏电流，其值为
p沟道mosfet的工作原理与n沟道mosfet完全相同，只不过导电的载流子不同，供电电压极性不同而已。这如同双极型三极管有npn型和pnp型一样。
寺库集团与Ultrain超脑信任计算在区块链领域达成了战略合作
央行发行的数字货币还可能面临着那些法律挑战
存储器芯片厂商普冉半导体科创板IPO过会
LSI推出丰富双核MegaRAID控制器解决方案
2018年全球5G与自动驾驶发展专题研究
什么是耗尽型MOS晶体管
无线蓝牙耳机哪个品牌好、口碑最好的蓝牙耳机
你需要支持VR的手机吗？还是普通手机就好
物联网连接解决方案正在重新定义海上石油和天然气监测的可能性
EPON技术介绍及所面临的测试挑战
Schreiner PrinTronics推出一款印刷RFID传感平台，配备带有电气功能的复杂标签
三星和索尼争夺图像传感器市场主导权
基于硬件的MCU解决安全漏洞问题
车载语音交互市场呈现出三大趋势，初创公司压力很大
华为5G合同突破1000亿美元_被围堵的华为就是这么强
限流式保护器在酒店电气防火中的应用
2020-2030年中国5G的直接和间接经济产出统计情况及预测
美国一公司推便携式Linux服务器 仅名片大小
基于空心微针的等离子体传感器检测真皮间质液中的生物标志物
北汽决定放弃燃油车，全力投产新能源车