澎芯半导体主驱级SiC MOSFET产出良率达到75%
近日，澎芯半导体在产品开拓方面取得了多项进展：
● 推出主驱级新品——1200v/15mω sic mosfet，产出良率75%；
● 已联合模块和终端厂商开发出1200v/150a和1200v/400a的模块产品；
● sic mosfet产品系列化布局更加全面，在obc、光储充等领域实现批量应用。
车规sic mos新品 性能优异
12月12日上午，行家说三代半了解到，澎芯半导体1200v电压平台迎来新的成员——1200v/15mω的sic mosfet产品。
据了解，该产品由澎芯半导体自主设计研发，拥有自主知识产权，并且联手国内标杆sic晶圆厂制造完成，产品各项参数性能指标表现非常优异，产出良率达到75%。
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合作开发 新增2款模块产品
据悉，澎芯半导体在前期工程批已完成各项性能指标的考核验证，现已联合模块客户(模块封装厂)和终端使用客户共同定义开发出1200v/150a和1200v/400a的模块产品，后续可提供晶圆和客制化模块两大类产品。
产品系列化 发展加速提档
随着此产品的推出，澎芯半导体的sic mosfet产品系列化布局更加全面，包括以下：
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● 推出主驱级新品——1200v/15mω sic mosfet，产出良率75%；
● 已联合模块和终端厂商开发出1200v/150a和1200v/400a的模块产品；
● sic mosfet产品系列化布局更加全面，在obc、光储充等领域实现批量应用。
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