MOS管的基础知识
场效应晶体管（fet）是利用电场效应来控制晶体管电流的半导体器件，因此叫场效应管。它是一种用输入电压控制型的半导体器件。按基本结构分为结型场效应管和金属-氧化物-半导体场效应管（又叫绝缘栅型场效应管）。
场效应管家族分类
场效应管的特点：输入阻抗高、噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强、制造工艺简单。
由于市面上见到和工作中使用的主要是增强型mosfet，下面内容以此讨论。
1.mos管的基础知识
mos管分为n沟道mos管和p沟道mos管（n沟道应用更加广泛）。
mos管的三个极分别为：栅极g、漏极d、源极s。
n沟道mos管和p沟道mos管电路符号
n-mos与p-mos区别
注：mos管制造工艺会造成内部d极与s极之间存在一个寄生二极管，其作用：一是电路有反向电压时，为反向电压提供续流，避免反向电压击穿mos管；二是当ds两级电压过高时，体二极管会先被击穿，进而保护mos；对于高速开关场合，寄生二极管由于开通速度慢，导致反向后无法迅速开通，进而损坏mos，因此需要在外部并联一个快恢复或肖特基二极管。
2.mos管的主要参数
irf3205规格书
irf3205规格书
①漏源电流id：是指场效应管正常工作时，漏源间所允许通过的最大电流。场效应管的工作电流不应超过 id 。此参数会随结温的上升而有所降低。
②漏源击穿电压vdss：是指栅源电压vgs 为 0 时，场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压。这是一项极限参数，加在场效应管上的工作电压必须小于 vdss 。
③导通漏源电阻rds（on）：在特定的结温及漏极电流的条件下， mosfet 导通时漏源间的最大阻抗。它是一个非常重要的参数，决定了 mosfet 导通时的消耗功率。此参数一般会随结温的上升而有所增大。故应以此参数在最高工作结温条件下的值作为损耗及压降计算。
④开启电压vt：是指增强型绝缘栅场效管中，使漏源间刚导通时（规定id值）的栅极电压。
⑤最大栅源电压vgs ：指栅源两极间可以施加的最大电压，设计驱动时要考虑，一般为：-20v~+20v，之所以有正有负，是因为涵盖n型和p型。
3.mos管的应用电路
mos管作为功率器件主要以开关状态应用在主回路中，此外还有放大、阻抗变换、振荡等等作用。
mos管用作反激电源开关管
由mos管组成的全桥逆变电路
mos管应用放大电路
详解EMC和逆变器
如何让智能照明更加「智能」？当无主灯设计用上GeekPad智慧屏开关
自动化控制系统技术要求
华为手机进不了美国市场的原因分析
三星将在CES上推出全新一代的Family Hub（家庭中心）冰箱
MOS管的基础知识
PCB组装中最常见的缺陷
中微发布面向22纳米及以下芯片生产的第二代离子刻蚀设备
一文解读LED触摸调光台灯控制电路板的工作原理
PD放大电路主要的噪声源是哪些？如何降低PD放大电路噪声？
加州自动驾驶法案即将出炉,无方向盘和后视镜也能上路
武大靖成为竞速体验官，iQOO Neo3发布会倒计时3天
研究显示iPad充电一年费用仅1.36美元
把比亚迪汽车拆开后，工程师震惊了！
NVIDIA首席技术官 Michael Kagan解读数据中心新时代
5G技术带来的只有速度吗？只应用于手机？
DDR、DDR2、DDR3、DDR4、LPDDR区别
浅谈一下锡膏过期了是否还能用？
SanDisk：3D NAND闪存开始出击
手机电池测试中弹片微针模组有着异常优秀的表现
场效应管家族分类
场效应管的特点：输入阻抗高、噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强、制造工艺简单。
由于市面上见到和工作中使用的主要是增强型mosfet，下面内容以此讨论。
1.mos管的基础知识
mos管分为n沟道mos管和p沟道mos管（n沟道应用更加广泛）。
mos管的三个极分别为：栅极g、漏极d、源极s。
n沟道mos管和p沟道mos管电路符号
n-mos与p-mos区别
注：mos管制造工艺会造成内部d极与s极之间存在一个寄生二极管，其作用：一是电路有反向电压时，为反向电压提供续流，避免反向电压击穿mos管；二是当ds两级电压过高时，体二极管会先被击穿，进而保护mos；对于高速开关场合，寄生二极管由于开通速度慢，导致反向后无法迅速开通，进而损坏mos，因此需要在外部并联一个快恢复或肖特基二极管。
2.mos管的主要参数
irf3205规格书
irf3205规格书
①漏源电流id：是指场效应管正常工作时，漏源间所允许通过的最大电流。场效应管的工作电流不应超过 id 。此参数会随结温的上升而有所降低。
②漏源击穿电压vdss：是指栅源电压vgs 为 0 时，场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压。这是一项极限参数，加在场效应管上的工作电压必须小于 vdss 。
③导通漏源电阻rds（on）：在特定的结温及漏极电流的条件下， mosfet 导通时漏源间的最大阻抗。它是一个非常重要的参数，决定了 mosfet 导通时的消耗功率。此参数一般会随结温的上升而有所增大。故应以此参数在最高工作结温条件下的值作为损耗及压降计算。
④开启电压vt：是指增强型绝缘栅场效管中，使漏源间刚导通时（规定id值）的栅极电压。
⑤最大栅源电压vgs ：指栅源两极间可以施加的最大电压，设计驱动时要考虑，一般为：-20v~+20v，之所以有正有负，是因为涵盖n型和p型。
3.mos管的应用电路
mos管作为功率器件主要以开关状态应用在主回路中，此外还有放大、阻抗变换、振荡等等作用。
mos管用作反激电源开关管
由mos管组成的全桥逆变电路
mos管应用放大电路
详解EMC和逆变器
如何让智能照明更加「智能」？当无主灯设计用上GeekPad智慧屏开关
自动化控制系统技术要求
华为手机进不了美国市场的原因分析
三星将在CES上推出全新一代的Family Hub（家庭中心）冰箱
MOS管的基础知识
PCB组装中最常见的缺陷
中微发布面向22纳米及以下芯片生产的第二代离子刻蚀设备
一文解读LED触摸调光台灯控制电路板的工作原理
PD放大电路主要的噪声源是哪些？如何降低PD放大电路噪声？
加州自动驾驶法案即将出炉,无方向盘和后视镜也能上路
武大靖成为竞速体验官，iQOO Neo3发布会倒计时3天
研究显示iPad充电一年费用仅1.36美元
把比亚迪汽车拆开后，工程师震惊了！
NVIDIA首席技术官 Michael Kagan解读数据中心新时代
5G技术带来的只有速度吗？只应用于手机？
DDR、DDR2、DDR3、DDR4、LPDDR区别
浅谈一下锡膏过期了是否还能用？
SanDisk：3D NAND闪存开始出击
手机电池测试中弹片微针模组有着异常优秀的表现