SanDisk：3D NAND闪存开始出击
7月24日国外消息：sandisk在3d nand方面正在走自己的技术路线-- 在同一个区域记录层的堆叠在一个闪存芯片放到另一个提供更多的容量之内。
sandisk公司目前在其新的bics （bit-cost scalable nand bit-cost可扩展nand）产品，它可能是在2015年第四季度交付，或在2016年。
objective analysis的顾问及分析师jim handy表示，“bics不是堆叠芯片，它是昂贵的。这是叠加位在同一块芯片上。nand被制成成垂直串位，而不是今天的水平的字符串。”
这对晶圆代工水平要求是苛刻的，因为它从根本上改变了nand。比如缩小现有的流程从34纳米nand到28 nm nand，流程中的步骤通常保持不变。bics并非如此，“一个最值得关注的问题是，它改变了整个过程。半导体制造商调整他们的晶圆厂从一个过程到下一个移动通过更换工装的10-25%，但是bics的出现这将是75%的大部分进行全新更换。”
分析师说，“涉及蚀刻/沉积，而不是像现有2d nand尽可能多的光刻。”
nand生产成本
整点收缩是缩小芯片的面积来降低成本。堆叠芯片仍消耗相同的区域所以它不执行任何操作来减少成本，但是创建垂直结构（3d nand或finfets）中为一个给定的区域集成更多的晶体管/位，所以芯片可以做得更小，更便宜。
如果一个nand芯片面积减少，你可以削减更多的他们从一个标准的晶圆成本，因此，每个芯片的成本下降。
（p-bic码具有“u”形的nand串在背栅极底部部分，以减少寄生电阻。并没有在cgs之间扩散。选择具有不对称的源极和漏极结构门，以减少电流关闭。）幻灯片内容
东芝bics技术幻灯片
sanddisk bics的时间表并不取决于它能成为第一个市场，分析师认为。 “sandisk公司，在其5月投资者会议上，做了一个非常大的指向说，他们不会被推出bics，直到它被证明相对于1z能提供更好的投资回报率”。
“尽管如此，”分析师继续讲道，“有的内部投资分析师质疑为什么公司会落后于三星，有传言说今年他会介绍它的3 d nand今年。似乎他们不明白两者之间的不同，是成为第一市场，还是要第一个利润。”
sandisk的1z术语是指至10nm比16nm以下，这是一般所理解的1z内的单元格的大小。
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