几款不错的场效应管功放电路图
几款不错的场效应管功放电路图
场效应管多管并联输出，500w。
场管跟普功率最大不同就是场管是用电压驱动，在驱动级上有些不一样，没弄过场管功放，音质怎要看你设计和工艺！
irfb33n15d是一颗非常好的mos管，其导通内阻低达56mω，最大电流为33a，耐压却有150v，常用于dc/dc的变换器中，当然，在数字功放中，也经常应用。
其也有不足的地方，其输入电容为2020pf，和常见的mos管一样，在驱动它时，就要采用特殊电路来驱动，如同你的电路中的r29和d3并联电路，也是业界惯用手法，其作用是：
当没有r29时，q7的栅极直接接前面的ic引脚，其内部都是图腾柱电路，由于是容性负载，都会有振荡产生，从而使驱动波形出现振铃现象，产生的后时是，mos管开启不够，内阻大，效率低。 串入r29可以消除这种振荡，其和后续的mos管输入电容（ciss）的时间常数要远小于mos管的开启时间13ns，而4.7ω的2020pf的时间常数为9.5ns，满足要求。
irfb33n15d用标准电路（相当于r29为3.6ω）驱动时，其恢复时间长达130ns，这也是mos管的通病，为了加快关断（争取这9.5ns的时间），在关断时，希望栅级电阻为0，所以会在r29上反向并联肖特基二极管d3（其工作频率可以近ghz），来加速放电。
irfb33n15d的vgs在3.0v至5.5v这间，实际驱动时，取决于irs2902s的工作电压，实际都在10v左右，肖特基二极管d3的正向压降只有1.2v左右（电流1a，但其δv/δi约为0，动态内阻极低），已经可以确保q7和栅极处于低于vgs以下，对关断没有影响。 另外，你要学习动态内阻的含义，如同电源，其压降可能是5v，但其内阻可以低达十几毫欧。
这个电路里的2颗场效应管不能同时导通，所以，在它们工作的时候，要关断优先，导通稍缓。d3，d4二极管就能够在驱动电压下降的时候，迅速释放场效应管的栅极结电压，从而使管子从导通状态恢复到关断状态的时间大大缩短。而驱动电压上升的时候，要通过r29，r27给管子的栅极结电容充电，从而延缓了管子的导通时间。 就这样实现了关断优先，导通稍缓的功能，大大的避免了一个管子还没退出导通，另一个管子已经进入导通的状态。
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这个电路里的2颗场效应管不能同时导通，所以，在它们工作的时候，要关断优先，导通稍缓。d3，d4二极管就能够在驱动电压下降的时候，迅速释放场效应管的栅极结电压，从而使管子从导通状态恢复到关断状态的时间大大缩短。而驱动电压上升的时候，要通过r29，r27给管子的栅极结电容充电，从而延缓了管子的导通时间。 就这样实现了关断优先，导通稍缓的功能，大大的避免了一个管子还没退出导通，另一个管子已经进入导通的状态。
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