Vishay推出的P沟道功率MOSFET SiA433EDJ
vishay推出的p沟道功率mosfet sia433edj
日前，vishayintertechnology,inc.宣布，推出新款20vp沟道功率mosfet——sia433edj。器件采用紧凑的2mm×2mm占位面积的热增强powerpaksc-70封装，具有迄今为止p沟道器件所能达到的最低导通电阻。新款sia433edj是采用第三代trenchfetp沟道技术的最新器件，使用了自矫正的工艺技术，在每平方英寸的硅片上装进了1亿个晶体管。这种最先进的技术实现了超精细、亚微米的间距工艺，将目前业界最好的p沟道mosfet的导通电阻减小了近一半。
sia433edj具有超低的导通电阻，在4.5v、2.5v和1.8v下的导通电阻分别为18mω、26mω和65mω。在4.5v和2.5v下，这些数值比最接近的竞争器件小40%和30%。
新的mosfet也是唯一同时具有12v栅源电压和可在1.8v额定电压下导通的20v器件。这样就可以将该器件用在由于浪涌、尖峰、噪声或过压导致的更高栅极驱动电压波动的应用，同时在采用更低输入电压的应用中提供更安全的设计。 sia433edj可以用作手持设备，如手机、智能手机、pda、mp3播放器中的负载、电池和充电开关。mosfet的低导通电阻意味着更低的导通损耗，节约能量并延长这些设备中两次充电之间的电池寿命。sia433edj的尺寸只有tsop-6封装的一半，却能提供近似的导通电阻，其紧凑的powerpaksc-70封装可将节约出来的电路板空间用于其他产品特性，或是实现更小的终端产品。 为减少esd导致的故障，器件内置了一个齐纳二极管，使esd保护提高到1800v。mosfet符合iec61249-2-21的无卤素规范，符合rohs指令2002/95/ec，通过了完整的rg测试。 新的sia433edjtrenchfet功率mosfet现可提供样品，将于2010年第一季度实现量产，大宗订货的供货周期为十四周至十六周。
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sia433edj具有超低的导通电阻，在4.5v、2.5v和1.8v下的导通电阻分别为18mω、26mω和65mω。在4.5v和2.5v下，这些数值比最接近的竞争器件小40%和30%。
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